在扩大硬件设施的同时，SK海力士还于2023年11月开始招聘逻辑芯片（如CPU、GPU）设计人员，计划将HBM4通过3D堆叠直接集成在芯片上。SK海力士还与英伟达等多家半导体公司讨论这一新集成方式，共同设计芯片，并委托台积电生产。
过去的一年，伴随AI芯片需求大涨，向英伟达提供HBM的SK海力士也赚得盆满钵满。1月2日消息，SK海力士计划利用目前在建的M15X作为HBM生产基地，以满足下一代HBM需求，且已着手加快建设该基地。
2023年9月，SK海力士宣布，在韩国清州科技城产业园区内约6万平方米的用地开建M15X，并目标于2025年初竣工，计划在今后5年内共投资15万亿韩元建设M15X工厂并引进生产设备。M15X是复式结构，其规模与现有的清州M11和M12两座工厂的总和相近。
在扩大硬件设施的同时，SK海力士还于2023年11月开始招聘逻辑芯片（如CPU、GPU）设计人员，计划将HBM4通过3D堆叠直接集成在芯片上。SK海力士还与英伟达等多家半导体公司讨论这一新集成方式，共同设计芯片，并委托台积电生产。
近日，SK海力士在介绍2024年储存产品线时，已确认2024年将启动下一代HBM4的开发工作。其实，在2023年在第四季，包括三星和美光就已先后确认正在开发HBM4，预计分别在2025年和2026年正式推出。
目前，HBM已经经过5个世代的迭代升级，其中在HBM3E是HBM3的扩展版本，而HBM4将是第6代产品。SK海力士表示，HBM3E会在2024年进入大量生产，而启动HBM4的开发工作代表着HBM产品的持续发展迈出了重要的一步。
未来，下一代HBM4设计会有重大的变化，内存堆栈将采用2048位接口。2015年以来，从HBM1到HBM3e，它们都保留了相同的1024位(每个堆栈)接口，即具有以相对适中的时钟速度运行的超宽接口。为了提高内存传输速率，下一代HBM4可能需要对高带宽内存技术进行更实质性的改变，即从更宽的2048位内存接口开始。
业界认为，由于M15X晶圆厂计划于2025年初竣工，HBM最早可以在2025年中期开始量产。HBM3E和HBM4有望从M15X开始量产。一位业内人士表示，“最近，用于M15 HBM线扩建的设备订单不断”，“预计即使未来M15X完工，新TSV线的设备订单也将继续”。
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