尽管SK海力士利用TSV技术，使其HBM产品一直保持业界领先水平，但仍需解决产能偏低、成本过高的问题。为此，SK海力士持续研发主打封装技术TSV外，还在关注“扇出型晶圆级封装”，将其视为促使未来利润产生的新的增长动力和技术。
在生成式AI的推动下，HBM成为2023年最火热的高端存储产品，其市场需求紧俏。作为HBM主力供应商，SK海力士在推进HBM迭代的同时，还在探索成本更低的内存芯片封装方法。
根据韩媒Business Korea报道，业内人士透露，SK海力士准备在下一代DRAM中应用2.5D扇出（2.5D fan-out）封装技术，最快将在2024年发布相关方案。
据悉，目前TSV技术是SK海力士提高HBM2E处理速度的核心技术。2013年，SK海力士在全球首次成功研发并量产了采用TSV结构的HBM，并相继成功量产了为高密度产品研发的3DS产品。2019年，该公司仅用了10个月的时间就成功研发了HBM2E并实现量产，确保了其在HBM市场上压倒性的优势，且一直保持至今。
不过，尽管SK海力士利用TSV技术，使其HBM产品一直保持业界领先水平，但仍需解决产能偏低、成本过高的问题。为此，SK海力士持续研发主打封装技术TSV外，还在关注“扇出型晶圆级封装（Fan Out-Wafer Level Package，简称FO-WLP）”，将其视为促使未来利润产生的新的增长动力和技术。
图源：SK海力士
据悉，2.5D扇出封装技术就是将两个DRAM芯片水平并排放置，然后将它们组合成一个芯片，由于芯片下方没有添加基板，能使芯片更薄，安装在IT设备时的芯片厚度能大幅减少。该扇出技术是比其他封装类型具有更多I/O的小型封装，以前从未用于存储行业，而是主要应用于半导体制造领域。
2016年，台积电首次将扇出式晶圆级封装（FOWLP）商业化，并将其用于生产 iPhone 的应用处理器，从而获得了苹果的信任。三星电子已从今年第四季度开始将这项技术引入Galaxy智能手机的高级AP封装中。
实际上，HBM为3D封装最典型应用，通过将多个DRAM芯片堆叠在一起，实现了更高的存储带宽和更低的延迟，而扇出封装技术属于2.5D封装方案。
而SK海力士之所以作出这样的技术探索，旨在降低封装的成本。业界认为2.5D扇出封装是一种技术，可以通过跳过硅通孔（TSV）工艺来降低成本，同时增加输入/输出（I/O）接口的数量。业界推测，这种封装技术将应用于图形 DRAM（GDDR）和其他需要扩展信息I/O的领域。
SK海力士是HBM方案的强有力推动者。按照之前的计划，SK海力士最早将在2026年量产第六代HBM，即HBM 4，其将拥有12层或16层DRAM。SK海力士还透露，将把下一代后处理技术“混合键合”应用于HBM 4产品。
由此可见，SK海力士的战略正变得越来越清晰，即利用2.5D封装技术满足内存产品小批量、多样化的IT趋势。
当前，SK海力士正在巩固与GPU巨头英伟达的合作，帮助英伟达在HBM市场处于领先地位。此外，有消息称，SK海力士还为苹果新款AR设备“Vision Pro”中安装的“R1”计算单元生产并供应了专用DRAM。
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