尽管3纳米芯片暂未获得市场普遍性的认可，但未来一两年里，随着良率提升和代工成本下降，将使得这一芯片工艺成为主流的先进芯片工艺之一。预计到2025年之际，3nm制程市场的产值将会高达255亿美元，超越5nm时预估的193亿美元产值。彼时，三星也或能在该芯片工艺上分得一块大蛋糕。
当前，在3纳米这一先进芯片工艺上，台积电和三星是彼此最大的竞争对手。尽管这一芯片工艺宣布量产已有一段时间，但似乎没能获得大规模的订单，仅台积电获得苹果独家订单，三星则更是忽略不计。
不过，近日有消息传出，三星3纳米芯片工艺似乎有订单进来。
半导体设计公司ADTechnology Co.近日宣布，已与一家海外客户已签订一份合同，内容是基于三星代工的3nm工艺、面向服务器的芯片设计项目。这也是三星电子首次确认通过设计公司获得3nm客户。ADTechnology并未透露该客户身份，但据说是一家从事高性能计算（HPC）芯片的美国公司。
去年6月，三星率先宣布成功量产3纳米芯片。与台积电的3nm制程工艺不同，三星的3nm制程工艺采用的是更先进的GAA晶体管，而不是鳍式场效应晶体管（FinFET）。
不过，此后，三星一直被传3纳米芯片工艺良率较低，无法获得客户的认可。尽管此前有消息称三星电子已经向中国客户交付了一款3纳米工艺的芯片，但由于该工艺省略了逻辑芯片中的SRAM，因此很难将其视为“完整的 3nm 芯片”。
因此，在宣布量产之后一段时间里，三星实际上一直努力在尝试提升3纳米芯片的良率。
据韩媒 ChosunBiz报道，有业内人士最近分析，三星电子、台积电的3纳米工艺良品率目前都在50%左右。尽管这一分析也是估算或猜测，但从两家的代工订单数量和规模来看，3纳米工艺良品率并不理想，毕竟此前台积电就被传出为获得苹果订单不惜承担良率损失成本。
业界认为，尽管三星已经率先量产重点发展的 3nm 全栅极技术（GAA），但它的产量还不足以影响大客户。在这种技术中，由于栅极环绕在构成半导体的晶体管中电流通道的四边，与此前环绕三边的工艺相比，难度自然会增加。一位熟悉三星的人士透露，“要赢得高通等大客户明年的3nm移动芯片订单，良率至少需要提高到70%。”
尽管目前三星未能实现70%及以上的良率，但能获得3纳米芯片订单，也侧面说明其工艺良率有一定的提升。
三星晶圆代工业务部门执行副总裁兼业务开发团队负责人 Gibong Jeong 表示：“我们很高兴地宣布，与我们的可靠合作伙伴 ADTechnology 在 3nm 设计项目上建立合作。我们的共同努力将成为 SAFE 生态系统内协作的优秀范例。我们期待着有机会进行更紧密的合作，从而为我们的客户提供卓越的产品。”
ADTechnology 首席执行官 JK Park 说：“这个 3nm 项目将是业界最大的 ASIC 产品之一。我相信，这种 3nm 和 2.5D 的设计经验将是我们在未来与其他竞争对手区分开来的一剂良药。我们将尽最大努力为客户提供高质量的设计方案。”
据悉，三星2023-2024年将以3nm生产为主，即SF3(3GAP)及其改进版本SF3P(3GAP+)，其生产良率初期可维持在60-70%的范围内，而且该公司还计划于2025-2026年开始推出其2nm级别节点。
尽管3纳米芯片暂未获得市场普遍性的认可，但未来一两年里，随着良率提升和代工成本下降，将使得这一芯片工艺成为主流的先进芯片工艺之一。预计到2025年之际，3nm制程市场的产值将会高达255亿美元，超越5nm时预估的193亿美元产值。彼时，三星也或能在该芯片工艺上分得一块大蛋糕。
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