俄罗斯公布芯片发展路线：2030年实现14nm国产芯片制造

长期以来，俄罗斯一直依赖西方国家的芯片技术，这在某种程度上限制了俄罗斯科技创新和国家安全的发展。在俄乌冲突之后，俄罗斯受到来自欧美等国家和地区封锁，无法从正常市场获取芯片。为此，俄罗斯正在积极投入力量，瞄准新领域，发展自主芯片技术，以减少对西方芯片的依赖。

近日，俄罗斯联邦工业和贸易部副部长Vasily Shpak在论坛上又提出产业发展“路线图”，计划到2026年实现65nm的芯片节点工艺，2027年实现28nm本土芯片制造，到2030年实现14nm国产芯片制造。

目前，俄罗斯微电子企业可以生产130nm制程的产品，同时在芯片设计和制造方面基础相对薄弱，仅在软件和高科技服务方面有一定的发展成绩。

据悉，俄罗斯政府制定了新微电子发展计划的初步版本，到2030年需要投资约3.19万亿卢布（384.3亿美元）。这笔资金将用于开发本地半导体生产技术、国内芯片开发、数据中心基础设施、培养本地人才、营销自制芯片和解决方案。

同时，在半导体制造方面，俄罗斯计划斥资4200亿卢布（50亿美元）用于新的制造技术研发及其提升。短期目标之一是在今年年底前利用90nm制造技术提高本地芯片产量。长期目标是到2030年开发使用28nm节点的制造工艺。

值得一提的是，近日圣彼得堡理工大学的研究人员开发出了一种"国产光刻复合体"，可用于蚀刻生产无掩模芯片，这将使"解决俄罗斯在微电子领域的技术主权问题"成为可能。据开发人员称，传统光刻技术需要使用专门的掩膜板来获取图像。该装置由专业软件控制，可实现完全自动化，随后的另外一台设备可直接用于形成纳米结构，但也可以制作硅膜，例如用于舰载超压传感器。

而俄罗斯科学院下诺夫哥罗德应用物理研究所（IPF RAS）更是早在2022年10月就开始创造先进光刻解决方案。

实际上，俄罗斯并非一直与半导体先进制造技术的开发趋势脱节。在EUV光刻技术初现的2010年代，俄相关领域研究人员深度介入了此技术的初始开发，相关技术也被应用在ASML的成品中。

总体而言，尽管俄罗斯受到严密的技术封锁，但考虑到俄罗斯的工业基础、扎实的基础理论能力和近乎逆天的系统工程能力，未来数年里实现“路线图“里的芯片制造计划也并非完全不可能。