近日，三星在加利福尼亚州圣何塞举办的第七届三星代工论坛上透露，将于 2025 年开始大规模生产用于移动应用的 2nm 芯片，并承诺下一代技术将显着提高性能。这一消息使得三星的芯片制造进程与台积电保持一致，台积电也制定了 2025 年 2nm 工艺的目标。英特尔和日本Rapidus也计划提供2nm芯片生产，不过他们没有像台积电和三星那样公布时间表。
电子工程专辑讯 近日，三星在加利福尼亚州圣何塞举办的第七届三星代工论坛上透露，将于 2025 年开始大规模生产用于移动应用的 2nm 芯片，并承诺下一代技术将显着提高性能。这一消息使得三星的芯片制造进程与台积电保持一致，台积电也制定了 2025 年 2nm 工艺的目标。英特尔和日本Rapidus也计划提供2nm芯片生产，不过他们没有像台积电和三星那样公布时间表。
三星2nm芯片细节曝光
在此次活动中，三星透露，用于移动应用的 2nm 芯片将于 2025 年开始量产，然后在2026 年扩展到 HPC，并于 2027 年扩展到汽车应用。该公司还展望了该技术的下一次迭代，并表示将量产 1.4nm芯片将按计划于 2027 年开始生产。
先进工艺的芯片拥有的晶体管将越来越多，也意味着其性能将得到更大的提升。三星声称，与去年开始生产的3nm 工艺的芯片相比，其 2nm 工艺性能提高了 12%，功率效率提高了 25%，面积减少了 5%。
摩尔定律接近极限，芯片性能也趋于极限，而且随着工艺越来越先进，晶圆代工价格并没有更大程度的下降。台积电的各个节点的晶圆代工价格被曝光，预计2025年起2nm工艺的每片晶圆代工价格是近2.5万美元，2023年台积电的3nm工艺代工达到了19865美元/每片晶圆，5nm晶圆是13400美元/每片晶圆。三星若想拥有更高的竞争力，在价格方面也需要有更大的优势。
三星在寻找新的突破点
三星也在寻找新材料和突破点。据悉，从2025年开始，三星将开始提供基于氮化镓（GaN）的8英寸功率半导体的代工服务，面向消费、数据中心和汽车应用。
三星还着眼于 6G，并表示 5nm 射频 (RF) 芯片也在开发中，将于 2025 年上半年上市。三星的 5nm RF 工艺显示功率效率提高了 40%，面积减少了 50%与之前的14nm工艺相比。
三星代工总裁兼负责人 Siyoung Choi 博士表示：“三星晶圆代工厂始终通过走在技术创新曲线的前沿来满足客户需求，今天，我们相信我们的技术将有助于支持使用人工智能应用程序的客户的需求。确保客户的成功是我们代工服务最核心的价值。”
除此之外，与许多芯片制造商一样，在 2021 年全球芯片短缺导致许多公司无法获得关键零部件后，三星一直在大力投资生产能力，试图支撑半导体供应链。三星在去年5月宣布在美国德克萨斯州泰勒市新建晶圆厂，投资额为170亿美元，不过由于通货膨胀等因素使得该投资建厂将增资80亿美元。
在去年 6 月，三星就已经开始大规模生产GAA技术的 3 nm芯片。在此之前的一个月，美国总统乔·拜登参观三星平泽工厂，三星借此展示了 3nm 芯片，并宣称平泽工厂是世界上最大的半导体工厂。
三星还表示，下半年将在平泽P3开始量产手机及其他应用的代工产品，并计划增加美国产能，泰勒工厂预计年内竣工，按计划于明年下半年结束并投入运营。
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