高通骁龙8Gen3芯片或能效提升更大  综合性能仍难超越苹果A17

近日，高通骁龙8Gen3芯片部分信息在网络上公开，预计预计会在11月正式发布。据悉，高通骁龙8Gen3芯片很可能采用台积电3nm芯片工艺，以在性能上追求苹果A17芯片。

2022年底，台积电正式官宣，3nm开始量产，随之3nm市场争夺战就打响了。尽管三星率先宣布量产3nm芯片工艺，但其良率据传仅有20%。三星3nm芯片良品率低主要原因是选择GAA工艺。GAA工艺虽然改善了FinFET架构某些不足，能提升芯片的功率以及效率，但是良品率很低。

而台积电在3纳米技术上延续使用多年的FinFET架构，相对保守，更加安全，良品率高。根据Business Next发布了一份报告，据统计推测，台积电3nm的良品率将达到80%左右。而3nm芯片的成品率也能达到60%-80%。

因此，2023年台积电的3nm产能还是充足的，也将是各大芯片厂商的首选代工对象。而高通骁龙8Gen 3会将绝大部分订单交给台积电代工，但是由于3nm工艺造价高昂，造成下一代骁龙8 Gen3旗舰，可能面临集体涨价。而高通也不排除会向手机厂商收取更高的芯片专利费用。

据网络公开信息，相对于骁龙8Gen2芯片，骁龙8Gen3芯片的运行速度将会提升到20%，内核进行了一定程度上的提升。同时，骁龙8Gen3芯片采用了超大核进程，性能上全面对标苹果将要发布的A17芯片。

一旦这款芯片发布后，作为搭载高通骁龙系列芯片的安卓系统手机，比如OPPO、一加、魅族、小米等，在性能表现方便，将会与搭载苹果A系列芯片的iPhone手机进一步缩小差距。

不过，下一代骁龙8Gen 3很难GPU与CPU都提升超越A17。以骁龙8Gen 2为例，该芯片论综合性能，确实与苹果的A16差距很小，GPU性能已经大幅度超越了A16，但是CPU性能还不及A15，CPU性能表现有劣势。

同时，3nm芯片工艺对骁龙8Gen 3性能提升不会那么显著，但对于能效帮助还是比较大的。骁龙8+从三星4nm换到台积电，功耗显著降低33%以上就是例证。

从官方PPT的图上看，第二代台积电3nmN3E有着更高的良率，性能和功耗表现也都更出色：同功耗下，速度提升15-20%；同性能下，功耗降低30-35%。从此前台积电公布有关N3的数据来看，N3E相比N3似乎有着比较显著的进步。

另外，还值得关注的是，目前高通还在和ARM打官司，也就是混用架构的问题，其涉及到高通收购Nuvia的授权问题。ARM要求必须全用其的架构，但高通却不舍得放弃自研的GPU架构。ARM这个政策很可能倒逼高通加紧转向全面自研的道路，或者全面倒向第三方架构，例如RISC-V。不过，骁龙8Gen 3可能还是ARM公版CPU+高通自研GPU的架构，到2024年才有高通完全自研的SOC。到那个时候，高通芯片也许在整体性能上对苹果实现赶超，特别是在CPU上。