与电子器件相比,光子器件具有容量大、速度快和功耗低等优异特性,已广泛用于光通信、传感、信息处理、计算和光存储。如今,光子器件已压缩到电子器件的尺寸,且CMOS兼容,故使得光电子集成芯片成为可能,进而激起众多研究机构的积极探索。作者观点认为:集成光子学目前正在多领域取得进展。

在过去的十年中,大学和企业在集成光子学方面做出了重大的研究努力,并取得了切实的进展。目标是开发将系统和组件从“电子加光学”转变为两种技术的无缝融合更好的构建块,这两种技术有很多共同点,并表现出物理定律所定义的重大差异。

几个例子显示了进展的范围。在一个用例研究中,著名的瑞士洛桑理工学院(EPFL)的研究人员通过将稀土离子引入集成光子电路,构建了一个小型波导放大器。

自20世纪80年代以来,掺铒光纤放大器(EDFA)被用来为光纤中的光子提供功率增益(图1),以提高光信号功率,这在长距离通信电缆和光纤激光器中至关重要;请记住,光功率是通过增加给定波长下的光子数量来提高的,而不是光子本身的“幅度”。幅度是一个固定量,为波长的函数。使用铒离子是因为它们可以放大1.55毫米波长范围内的光,而硅基光纤传输损耗在该范围内最低。

图1:掺铒光纤放大器示意图。资料来源:RP Photonics

在简单的掺铒光纤放大器示意图中,两个激光二极管(LD)为掺铒光纤提供泵浦功率。泵浦光通过二色光纤耦合器注入,而光隔离器降低了器件对反射光的灵敏度。

有人尝试使用掺铒光波导代替独特的光纤,但功率输出太低,生产问题很难解决。现在,EPFL团队已经构建并测试了一个基于集成电路的铒放大器,该放大器提供145毫瓦的输出功率和超过30分贝的小信号增益,这与商用光纤放大器(基于光子集成电路的掺铒放大器)相当,如图2所示。

图2:波导放大器示意图。资料来源:EPFL

图2所示为EPFL研究人员开发的一种小型波导放大器。设计中,研究人员成功地将稀土离子注入到集成光子电路中。

该器件基于离子注入,采用超低损耗氮化硅(Si3N4)光子集成电路,波导结构尺寸为毫米级,长约50厘米。通过将电光元件集成到一个公共基板上,进一步减小了分立元件的尺寸和数量,这在某种程度上与将分立晶体管和无源元件集成到IC中的方式有些类似。

英特尔的激光阵列

多波长集成光学领域也取得了进展。英特尔实验室展示了一种完全集成在晶片上的八波长分布式反馈(DFB)激光器阵列,该阵列采用该公司的300毫米硅光子学制造工艺。其输出功率均匀性为±0.25dB,波长间隔均匀性为±6.5%,优于行业规范的要求。

这种使用密集波分复用(DWDM)技术的共封装光学器件,提供了大幅提高带宽的潜力,同时显著减小了光子芯片的物理尺寸。然而,迄今为止,生产具有均匀波长间隔和功率的DWDM光源一直非常困难(见图3)。

图3:八波长激光器阵列示意图。资料来源:英特尔

图3所示为八波长激光器阵列,包括八个微环调制器和一个光波导,各微环以均匀的间距调谐到不同的光波长上,且每个微环都可以单独调制。

英特尔的器件结构确保光源的波长相隔一致,同时保持均匀的输出功率,从而满足光计算互连和DWDM通信的要求。英特尔在III-V芯片邦定工艺之前,使用先进的光刻技术来实现硅波导光栅,这与在3英寸或4英寸III-V芯片制造厂中生产的传统半导体激光器相比,可以产生更好的波长均匀性。

此外,由于激光器的紧密集成,当环境温度变化时,阵列能保持其通道间距一致;这始终是光学器件中的一个主要指标,因为温度引起的漂移会破坏基本一致性。

光学芯片

与这些迈向商用的潜在重要节点在实验室取得进展的同时,市场上也出现了一些其他集成光子技术的进展。支持英特尔的Ayar实验室正在提供单片封装光学I/O(OIO)芯片。这些集成硅光子器件基于CMOS工艺制造,采用多芯片封装(MCP)技术。从而消除了电气I/O瓶颈,在对更多更快性能的不懈追求中,提高了功率效率、实现了低延迟和高带宽密度,如图4所示。

图4:不同技术的集成度比较。资料来源:Ayar实验室

图4显示光电集成方法的层次以性能递增的方式给出不同的选项,最顶部的是光子全集成。

上述解决方案将TeraPHY(封装内光学I/O芯片)与SuperNova(多波长光源)相结合,将硅光子学与标准CMOS制造工艺相结合,与电子I/O相比,仅需1/10的功率即可将带宽密度提升高达1000倍(参见图5)。

图5:TeraPHY OIO小芯片构成的高级组件示意图。资料来源:Ayar Labs

图5所示的高级组件中,TeraPHY OIO小芯片(每个小芯片包含多达8个256Gbps光端口)采用倒装芯片连接,使多光端口的封装集成和自动化组装得到简化。

我想知道:在集成光子学的多个方面所获得的进步是否已经足以达到一个“拐点”,在其后的几年里,该技术将迅速过渡到基于这些器件的大面积设计?或者,这会是一个缓慢、稳定、渐进的过程,这些器件及其架构的采用也会以相对缓慢的步调逐步实施?或者,与大规模生产相关的挑战性障碍和问题会阻碍该技术的发展吗?

五到十年后,让我们再回头看看到底产生了什么结果。将今天的预测、推断和预期与届时的现实相比较,这将是一件非常有趣的事情。

(参考原文:Integrated photonics advancing on multiple fronts

本文为《电子工程专辑》2023年1月刊杂志文章,版权所有,禁止转载。点击申请免费杂志订阅

责编:Jimmy.zhang
本文为EET电子工程专辑原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
您可能感兴趣
功率器件(如MOSFET、IGBT和二极管)需要适当的封装设计,以优化散热、提高效率和确保可靠性。热管理对于避免过热、保持性能和延长器件使用寿命至关重要。
随着GaN器件在电机驱动器和电动汽车等高电压、高频率应用中的使用,散热、封装和可靠性方面的问题也开始显现出来。通过解决重大的热管理问题,创新封装技术的最新进展旨在缓解这些挑战,从而降低成本并提高整体系统可靠性。
这一里程碑标志着意法半导体和三安正朝着于2025年年底前实现在中国本地生产8英寸碳化硅这一目标稳步迈进,届时将更好地满足中国新能源汽车、工业电源及能源等市场对碳化硅日益增长的需求。
安森美半导体此次裁员决策并非毫无预兆,主要原因是市场需求的下降和公司收入的减少。
碳化硅技术正在彻底改变电力电子行业,使各种应用实现更高的效率、更紧凑的设计和更好的热性能。ST、安森美、Wolfspeed、罗姆和英飞凌等领先制造商均提供SiC解决方案,可根据特定用例提供分立器件、功率模块或裸片形式的产品。
在大众认知里,芯片一直是高科技领域的代表,技术门槛高、研发难度大,格力作为一家以空调制造闻名的企业,宣布涉足芯片领域时,外界质疑声不断。
TEL宣布自2025年3月1日起,现任TEL中国区地区总部——东电电子(上海)有限公司高级执行副总经理赤池昌二正式升任为集团副总裁,同时兼任东电电子(上海)有限公司总裁和东电光电半导体设备(昆山)有限公司总裁。
预计在2025年,以下七大关键趋势将塑造物联网的格局。
领域新成果领域新成果4月必逛电子展!AI、人形机器人、低空飞行、汽车、新能源、半导体六大热门新赛道,来NEPCON China 2025一展全看,速登记!
本次股东大会将采取线上和线下相结合的混合形式召开,股东们可选择现场出席或线上参会。
小米宣布全球首发光学预研技术——小米模块光学系统,同时发布官方宣传视频。简单来说,该系统是一个磁吸式可拆卸镜头,采用定制M4/3传感器+全非球面镜组,带来完整一亿像素,等效35mm焦段,配备f/1.4
今日光电     有人说,20世纪是电的世纪,21世纪是光的世纪;知光解电,再小的个体都可以被赋能。追光逐电,光引未来...欢迎来到今日光电!----追光逐电 光引未来----编者荐语特征提取是计算机
差分运算放大电路,对共模信号得到有效抑制,而只对差分信号进行放大,因而得到广泛的应用。差分电路的电路构型    上图是差分电路。    目标处理电压:是采集处理电压,比如在系统中像母线电压的采集处理,
市值一夜蒸发2900亿”作者|王磊编辑|秦章勇特斯拉陷入一个怪圈。马斯克的权力越来越大,但特斯拉的股价却跌得越来越惨。就在昨天,特斯拉股价又下跌了4.43%,一天之内蒸发406亿美元,约合人民币295
从上表可知,2024年前三季度全球40强PCB企业总营收约416.7亿美元,同比增长7.6%。其中,营收排名第一位的是臻鼎科技(36.05亿美元),排名第2~5位的分别是欣兴电子(26.85亿美元)、
点击文末“阅读原文”链接即可报名参会!往期精选《2024年度中国移动机器人产业发展研究报告》即将发布!2024年,36家移动机器人企业融了超60亿元2024移动机器人市场:新玩家批量入场,搅局还是破局
插播:历时数月深度调研,9大系统性章节、超百组核心数据,行家说储能联合天合光能参编,发布工商业储能产业首份调研级报告,为行业提供从战略决策到产品方向、项目资源的全维参考!点击下方“阅读原文”订阅刚开年
                                                                                                
2025年3月11-13日,亚洲激光、光学、光电行业年度盛会的慕尼黑上海光博会将在上海新国际博览中心-3号入口厅N1-N5,E7-E4馆盛大召开。本次瑞淀光学展示方案有:■ MicroOLED/Min
如果说华为代表了国产手机芯片的最高水平,那么紫光展锐无疑就是国产中低端芯片最大的依持了。3月3日,巴塞罗那MWC世界移动通信大会上,紫光展锐正式发布手机芯片T8300。据了解,T8300采用的是6nm