根据近日的WikiChip报告，台积电采用N3和N5制程的SRAM大小为0.0199μm²和0.021μm²，仅缩小了约5%。而N3E制程基本维持在0.021μm²，相较N5制程几乎没有微缩表现。
当前，芯片缩微化已经逐渐逼近物理极限，但先进芯片工艺的探索却从未停止。在先进芯片工艺上，保持技术领先一直是台积电成功的关键因素，比如台积电5nm工艺曾拥有世界上最小的SRAM单元（0.021平方微米）。然而，近日WikiChip发布的一份报告提到，台积电在SRAM方面的微缩速度已大大放缓，且认为SRAM单元缩微化减缓将对3纳米及以下的芯片工艺带来很大影响。
一直以来，终端应用不断对半导体技术提出更高的要求，也在很大程度上推动了先进芯片工艺的进步，特别是高性能计算（HPC）、人工智能以及5G通信等，都要求在有限的功耗下实现最高的性能。为此，台积电、三星两大全球领先的芯片代工厂商已经把芯片工艺推动至3纳米，而且也推出了3纳米以下芯片工艺的计划。但从最近几年芯片缩微化来看，SRAM密度明显要慢于芯片逻辑密度，也必然对未来更先进的芯片工艺进展带来更大的挑战。
图片来源：WikiChip
实际上，在5纳米工艺上，台积电已经遇到SRAM缩微化减缓的情况。台积电在IEDM 2019上发布了其5nm工艺，其在5nm工艺中使用了十几张极紫外（EUV）掩模，每张EUV代替三个或多个浸没掩模以及采用高迁移率沟道（HMC）的以获得更高性能。其5nm工艺自2019年4月起投入风险量产，并于2020年第一季度实现全面量产。
不过，FinFET晶体管尺寸的量化一直是主要挑战，并迫使高密度6T SRAM单元中的所有晶体管仅能使用一个Fin。台积电通过设计工艺协同优化（DTCO）对设计进行了优化，以提供高性能和高密度以及高产量和可靠性。
值得一提的是，数据显示，2017年至2019年的SRAM单元面积缩小速度远慢于2011年至2017年的速度，这表明SRAM单元的微缩速度没有跟上逻辑区域的部分。在IEDM 2019上，5nm工艺的逻辑密度提高了1.84倍，而SRAM密度仅提高了1.35倍。
据悉，SRAM在芯片当中可以充当高速缓存存储器，SRAM微缩越好，在不影响性能和功率的同时就可以为其他单位芯片提供更大的面积，并借此提升芯片的整体性能。而根据近日的WikiChip报告，台积电采用N3和N5制程的SRAM大小为0.0199μm²和0.021μm²，仅缩小了约5%。而N3E制程基本维持在0.021μm²，相较N5制程几乎没有微缩表现。
当前，CPU、GPU 和 SoC 在处理数据时将 SRAM用于各种缓存，并且从内存中获取数据的效率极低，尤其是对于各种人工智能（AI）和机器学习（ML）工作负载。但如今，即使是智能手机的通用处理器、图形芯片和应用处理器也携带着巨大的缓存。
未来，对缓存SRAM的需求只会增加，但对于N3（设置为仅用于少数产品）和N3E，这就无法减少SRAM占用的芯片面积，也无法降低与N5相比的新节点的更高成本。从本质上讲，这意味着高性能处理器的芯片尺寸将会增加，因此它们的成本也会增加。同时，与逻辑单元一样，SRAM单元也容易出现缺陷。
据悉，台积电计划推出其密度优化的N3S工艺技术，与N5相比，该技术有望缩小SRAM位单元的尺寸，但这将在2024年左右才能实现。
目前，SRAM缩微的方法主要有：一是采用多芯片设计，并将较大的缓存分解到更便宜的节点上的独立芯片中；二是使用替代内存技术，如eDRAM或FeRAM作为缓存，尽管后者有自己的特点。
本文内容参考财联社、半导体产业纵横综合报道
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