作为一家在半导体行业耕耘了三十余年的公司，除了成立专门的ESG发展委员会外，华邦电子还将ESG理念渗透到全体员工的日常工作、行为规范中，同时在产品设计、工艺改良方面也体现出了公司致力于绿色发展的社会责任。
对不少机构和世界领先企业而言，发布环境、社会及治理(ESG)报告并不是一件陌生的事件。它的发布，意味着企业已经不单单是要创造经济效益，对股东、员工负责，更多的是要考虑社会责任，体现一家企业的社会担当。
“ESG报告的发布在当下节能减碳、减少温室气体排放、减缓气候变暖、倡导可持续发展已经成为全球共识的背景下，更显重要。”华邦电子大陆区产品营销处处长朱迪表示，如何在企业自身发展和环境保护之间找到平衡，对所有行业来说都非常关键，毕竟不是每家公司都愿意牺牲价格优势，投入资金去从事环保。所以，是否有能力、有意识的在产品定义、开发、设计、制造的各个环节贯彻节能减碳的环保理念？是否可以在不影响产品价格竞争力的前提下实现环保？考验着每一家企业。
扩产+减碳，两手都要抓
作为一家在半导体行业耕耘了三十余年的公司，除了成立专门的ESG发展委员会外，华邦还将ESG理念渗透到全体员工的日常工作、行为规范中，同时在产品设计、工艺改良方面也体现出了公司致力于绿色发展的社会责任。
2022年5月，华邦电子斥资5.5亿元新台币投资嘉和绿能，购入15%股权，直接参与太阳能发电，走出绿电部署的第一步。
在数字化转型方面，华邦电子于2022年初开始与微软合作，打造企业碳排放信息平台，成为第一个引入此平台与商业化的案例。不仅率先在台中厂施行半年，未来高雄新厂也将采用系统平台，通过平台进行数字化信息处理及显示，管理层能够快速察觉碳排放高峰热点来加以改善。过去通过人工处理，难免发生错误，通过数字化信息平台，不仅可以快速掌握信息，同时还可保证正确率，并减少80%～90%的人力。
如果继续向前追溯，早在2006年华邦就获得了ISO14064 GHG温室气体排放认证，近两年又接连获得ISO 14067“碳足迹”认证和ISO 14046“水足迹”认证，2022年更是通过了ISO 50001能源管控认证。目前，华邦正在加速向公司制定的2030年永续目标前进，即台中厂的绿色电能使用率达到90%，碳排放减少60%，直至2050年实现零碳愿景。
以温室气体排放为例，华邦现在的主要排放源来自制造端所使用的全氟化物气体(PFCs)，和锅炉燃烧所产生的二氧化碳。针对上述情况，华邦自2000年起就参与了世界PFC温室气体排放减量计划，通过制程调整、替代气体使用、设置含氟碳化物削减设备等手段来减少温室气体的直接排放，近十年的碳排放已减少186.29万吨二氧化碳当量。
今年华邦在此基础上继续加速推进减排计划，投资超亿元新台币调整工厂设备的碳排放。2021年台中厂电费约为12亿新台币，电热锅炉耗费3.9%，约4700万新台币。现已陆续淘汰换为排放更小的天然气锅炉，厂内至少395台老旧电机也陆续被更新。
如何实现一边扩产一边减碳，是包括华邦在内的众多半导体企业面临的另一大挑战。“针对扩产问题，我们更专注在比例上，例如华邦设置的节能减碳目标，无论是减少单位产品的用电量还是耗水量，都是对单位产品的消耗进行评估。”朱迪表示，考虑到华邦台中工厂处于满载状态，设置的节能目标都已达成。接下来，公司会将台中厂成熟的能源管理措施和成功案例同步到2022年第4季度开始量产的高雄工厂，这样，新制程、新产能与整体碳排放之间的矛盾将得到有效缓解。
资料显示，华邦电子在台中设有一座12寸晶圆厂，并于2017年投资3350亿新台币(10年分阶段投资)兴建高雄新厂，三期建设完成后，预计每年总产能可达7.5万片，并将于2022年第4季度开始量产。
贯彻绿色产品思维
成立于1987年的华邦电子同时拥有DRAM和Flash自有开发技术，核心产品包括编码型闪存(Code Storage Flash Memory)、TrustME®安全闪存、利基型DRAM(Specialty DRAM)和移动DRAM(Mobile DRAM)。2021年，华邦电子营收达到996亿新台币，突破历史新高，位居全球内存产业前十。因此，对具备这样体量的半导体企业而言，在产品设计与制程改良环节就贯彻绿色产品思维，更显重要。
- GP-Boost DRAM
GP-Boost DRAM意为Green Power Boost-DRAM，也就是低功耗DRAM。相比SDRAM、DDR1、DDR2等标准型DRAM产品，华邦Green Power产品运行功耗比常规产品低10%左右，待机功耗低60%-70%。除了产品本身的低功耗特性之外，产品封装上所用的化学原材料用量也与能源消耗息息相关。以华邦最新推出的100BGA LPDDR4/4X为例，相对于传统200BGA，100BGA产品的封装体积缩小了1/2左右，节省了物料成本、PCB占用空间和能源消耗。
- HyperRAM
HyperRAM在华邦GP-Boost DRAM产品线中的定位是“超低功耗(Ultra Low Power, ULP)”。因此，在室温1.8V条件下，其待机功耗为70uW，而相同容量的SDRAM的功耗则是2000Uw(3.3V)；更重要的是，HyperRAM在混合睡眠模式(Hybrid Sleep Mode)下的功耗仅有35Uw(1.8V)，与SDRAM在待机模式下的功耗有明显差异。
与pSRAM的31个引脚数相比，HyperRAM只有13个信号引脚，大多采用24BGA/ WLCSP封装形式，相比早期SDRAM或是Pseudo SRAM大于50个的引脚数(pin count)，大大简化了PCB设计。当设计师设计成品时，MPU上的更多引脚可用于其他目的，设计师也可使用更少引脚的MPU 以获得更高经济效益。此外，华邦目前也在和主芯片厂商合作进行SiP开发，提供KGD产品与主芯片一起封装，从而减少封装面积、能源消耗、成本，提升产品性价比。
- 1.2V NOR Flash
低电压也是华邦所努力的方向之一。以NOR Flash 而言，目前的主流电压是3.3V，可穿戴设备和其他低功耗应用的主流电压会达到1.8V，但华邦于2020年宣布推出全球第一款1.2V NOR Flash并实现量产。
朱迪解释说，当电压从1.8V降至1.2V时，产品本身的运行功耗会降低50%，待机功耗降低33%，电池寿命和续航能力得到大幅提升。同时，1.2V NOR Flash可以同步配合主芯片厂商的制程演进。因为制程工艺越向下微缩，产品电压和I/O电压也将持续下降，采用1.2V产品就可以很好地实现匹配，无需使用电平转换器即可直接和SoC连接，从而降低BOM成本和PCB占用空间。
- LTS制程
在产品之外，华邦在制作工艺上也有积极探索，低温焊接(Low Temperature Soldering, LTS)就是最具代表性的技术之一。该技术由英特尔在2017年提出，过去，出于环保的考虑，将原有的铅焊转变成无铅焊接，但付出的代价则是焊接温度从常规的210℃-220℃上升到260℃，近40℃的温度升高对能源消耗是巨大的。
低温焊接技术的核心是焊接材料、芯片本身的需求以及低温焊接锡膏，好处就是温度可以从260℃降到190℃。根据计算结果，将SMT温度从无铅制程的220~260℃降到低温焊接制程的190℃，每条SMT生产线的二氧化碳排放量一年可以减少57吨，对于碳排放减量帮助非常明显。
除了节能减碳以外，对于有插件式组件的PCB ，因为插件式组件可以承受低温焊接制程的温度，SMT就可以一次将所有组件组装到PCB上，大幅简化及缩短SMT流程 。而且随着焊接温度下降，芯片及PCB还可以选较低成本的低温材料，对于SMT 生产成本帮助很大，根据统计，SMT整体每年约可减少40%成本开销 。
在存储行业，华邦很早就开始进行LTS制程的研发，产品符合JEDEC标准，通过包括摔落、振荡及温度循环测试等相关的可靠度验证程序，完全支持LTS 制程。
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