锴威特自2018年下半年开始研发SiC功率器件，积极布局第三代半导体。通过对SiC器件的结构设计和生产工艺进行不断探索和研发投入，公司取得了一定的研发成果，掌握了“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”等核心技术。
6月13日，上交所官网显示，苏州锴威特半导体股份有限公司（以下简称“锴威特”）科创板IPO已经获得受理，拟募资5.3亿元，用于加码功率半导体项目。
积极布局第三代半导体
资料显示，苏州锴威特半导体股份有限公司成立于2015年。公司专注于智能功率半导体器件与功率集成芯片设计、研发和销售。公司是国家高新技术企业、江苏省“科技小巨人企业”、“江苏省潜在独角兽企业”、江苏省半导体行业协会理事单位，公司研发中心获“江苏省高可靠性功率器件工程技术研究中心”认证。
自设立以来，公司以“自主创芯，助力核心芯片国产化”为发展理念，“服务零缺陷”为质量目标，聚焦功率半导体产业方向，采取功率器件与功率IC双轮驱动策略，将公司打造成高品质，高可靠的功率半导体供应商，凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，公司迅速在细分领域打开市场，产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域，现已形成包括平面MOSFET、快恢复高压MOSFET（FRMOS）、SiC功率器件、智能功率IC等近700款产品。
锴威特自2018年下半年开始研发SiC功率器件，积极布局第三代半导体。通过对SiC器件的结构设计和生产工艺进行不断探索和研发投入，公司取得了一定的研发成果，掌握了“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”等核心技术。同时，也形成了“一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”等发明专利储备。
图片来源：锴威特招股说明书
目前锴威特SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD，目前公司SiC MOSFET已形成650V-1700V四个电压规格的产品系列，SiC SBD已形成600V-1200V电压规格的产品系列。公司是国内为数不多的具备650V-1700V SiC MOSFET设计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段。
2021年业绩成功扭亏
锴威特是上市公司甘化科工的参股公司。2021年10月19日，广东甘化科工股份有限公司以自有资金人民币1,000万元认购了锴威特新增的52.6316万股。增资完成后，公司持有锴威特1,055.5216万股，占其总股本19.10%。截止本公告披露日，公司持有锴威特1055.52万股，占其总股本19.10%。
据天眼查显示，2017年至今，锴威特完成了多轮融资，投资方包括大唐电信、国经资本、光荣资产、招商资本、邦盛资本、禾望电气、悦丰金创、张家港金茂创投。
业绩方面，甘化科工在2021年年报中提及，锴威特在2021年共实现营业收入2.10亿元，同比2020年的1.32亿增长了59.29%；净利润为4,356.17万元，同比成功扭亏。
财务数据显示，公司2019年、2020年、2021年营收分别为1.07亿元、1.37亿元、2.10亿元;同期对应的归母净利润分别为933.81万元、-1966.86万元、4847.72万元。
拟募资5.3亿元加码功率半导体项目
本次募集资金用于项目及拟投入的募资金额为：智能功率半导体研发升级项目，拟使用募集资金约1.45亿元；SiC功率器件研发升级项目，拟使用募集资金8727.85万元；功率半导体研发工程中心升级项目，拟使用募集资金约1.68亿元；补充营运资金，拟使用募集资金1.30亿元。本次股票发行后拟在上交所科创板上市。
图片来源：锴威特招股说明书
其中，智能功率半导体研发升级项目主要涉及公司的主营产品功率器件、功率IC、IPM、光继电器（Photo MOS）等系列产品的技术升级、工艺制程优化及部分新品类的研发及规模化量产。其中，功率器件主要包括高可靠性高压平面MOSFET（包括FRMOS）、第三代超结MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V屏蔽栅MOSFET产品；功率IC包括高压高速栅极驱动IC、高功率密度电源管理IC产品。
该项目实施旨在继续加强公司在功率半导体产品的技术积淀，保持在功率器件、功率IC、IPM、光继电器（Photo MOS）产品的领先优势，挖掘高性能智能功率半导体的发展潜力，打造全系列产品的技术创新平台，致力于成为市场一流的高性能、智能化功率半导体供应商。
而SiC功率器件研发升级项目主要涉及650V-1700V SiC MOSFET、650V-1700V SiC SBD工艺优化、器件升级及SiC功率模块的规模化量产。
本文内容参考半导体产业网、锴威特招股说明书、每日经济新闻、东方财富网整合报道
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