UnitedSiC的第4代SiC FET采用“共源共栅”拓扑结构，其内部集成了一个SiC JFET，并与一个硅MOSFET封装在一起。两者结合起来可以提供宽禁带技术的全部优势—在实现高速和低损耗以及高温工作的同时，还可保持简单、稳定和鲁棒的栅极驱动，并具有集成的ESD保护。
美国碳化硅半导体制造商UnitedSiC最新发布的第四代SiC FET 器件UJ4C/SC将RDS(on)做到了6m Ω，是目前同类650V和750V SiC FET产品的最小导通电阻。该系列器件的栅极开启门限VTH = 5V，栅极驱动为0-12V，其栅极驱动兼容典型的SiC MOSFET、Si IGBT 以及 Si MOSFET。此外，这款6m Ω器件还具有5uS的短路耐受能力。
6m Ω是目前业界最低的Rds(on)。
最低Rds(on)的SiC FET还具有低至5us的短路持续时间(SCWT)。
UnitedSiC扩展的750V SiC FET器件系列。
UnitedSiC最新发布的750V SiC FET系列UJ4C/SC 器件有9种新器件/封装选项，RDS(on)额定值为6、9、11、23、33和44mΩ。所有器件均有采用TO-247-4L封装的选择，同时18、23、33、44和60mΩ器件还提供了采用TO-247-3L封装选项。
UnitedSiC的第4代SiC FET采用“共源共栅”拓扑结构，其内部集成了一个SiC JFET，并与一个硅MOSFET封装在一起。两者结合起来可以提供宽禁带技术的全部优势—在实现高速和低损耗以及高温工作的同时，还可保持简单、稳定和鲁棒的栅极驱动，并具有集成的ESD保护。这些优势可通过品质因数(FoM)进行量化，例如RDS(on)×A，这个指标衡量每单位芯片面积的传导损耗。在这一指标上，第4代SiC FET在高低裸片温度下均可达到市场最低值。
RDS(on)×EOSS/QOSS这一FoM指标在硬开关应用中很重要，第4代SiC FET的这个值是最接近同类产品的一半。RDS(on)×COSS(tr)则在软开关应用中至关重要，如果将UnitedSiC额定电压为750V的器件与同类额定电压为650V的器件相比，前者的这个值比后者还低约30%。对于硬开关应用，SiC FET的集成体二极管在恢复速度和正向压降方面优于同类Si MOSFET或SiC MOSFET技术。第4代技术中所包含的其他优势还体现在，先进的晶圆减薄技术和银烧结贴片工艺降低了从裸片到外壳的热阻。这些特性可在要求苛刻的应用中实现最大功率输出，同时实现低芯片温升。
新的UnitedSiC SiC FET凭借其在开关效率和导通电阻方面的最新改进，非常适合具有挑战性的新兴应用。其中包括电动汽车中的牵引驱动器、车载和非车载充电器，以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器，以及所有AC/DC或DC/DC功率转换中单向和双向功率转换的所有阶段。成熟的应用也可以利用其与Si MOSFET和IGBT栅极驱动器以及成熟TO-247封装的向后兼容性来轻松提高效率。
在电动车应用方面，UnitedSiC的第4代SiC FET可提升车载充电器OBC、DC/DC系统、驱动系统和无线充电应用的设计灵活性。
在IT基础设施的供电应用方面，第4代SiC FET可提升图腾柱PFC的设计灵活性。
责编：Amy Guan
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