据TrendForce集邦咨询研究，GaN功率元件，其主要应用大宗在于消费性产品，至2025年市场规模将达8.5亿美元，年复合成长率高达78%。前三大应用占比分别为……
TrendForce集邦咨询表示，2021年随着各国于5G通讯、消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升，驱使如基站、能源转换器（Converter）及充电桩等应用需求大增，使得第三代半导体GaN及SiC元件及模组需求强劲。其中，以GaN功率元件成长幅度最高，预估今年营收将达8,300万美元，年增率高达73%。
据TrendForce集邦咨询研究，GaN功率元件，其主要应用大宗在于消费性产品，至2025年市场规模将达8.5亿美元，年复合成长率高达78%。前三大应用占比分别为消费性电子60%、新能源汽车20%、通讯及数据中心15%。据TrendForce集邦咨询调查，截至目前已有10家手机OEM厂商陆续推出18款以上搭载快充的手机，且笔电厂商也有意跟进。
而全球SiC功率市场规模至2025年将达33.9亿美元，年复合成长率达38%，其中前三大应用占比将分别为新能源车61%、光伏及储能13%、充电桩9%，新能源车产业中又以主驱逆变器、车载充电机（OBC）、直流变压器（DC-DC）为应用大宗。
关键衬底多数仍由欧美日IDM大厂掌握
TrendForce集邦咨询指出，因第三代半导体GaN及SiC衬底（Substrate）材料生长条件相对困难，以及现行主流尺寸大致落于6英寸并往8英寸方向迈进，驱使价格相较传统8英寸、12英寸Si衬底高出5~20倍不等。由于多数材料仍集中于美国科锐（Cree）及贰陆（II-VI）、日本罗姆（Rohm）及欧洲意法半导体（STMicroelectronics）等IDM大厂手中；部分中国大陆厂商如山东天岳（SICC）及天科合达（Tankeblue）等在政策支撑下相继投入，以期加速国产化自给自足目标。
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