GLink 2.0 IP 采用台积电 5 纳米制程与 2.5D 先进封装技术，并成功完成硅验证
2021 年 8 月 31 日 – 先进客制化 IC 领导厂商创意电子 (GUC) 今日宣布，推出第 2 代 GLink 2.0 (GUC multi-die interLink) 接口，采用台积电 5 纳米制程与先进封装技术，并成功完成硅验证，可应用于人工智能 (AI)、高效能运算 (HPC) 及多种网络应用的多晶粒整合设计。
GLink 2.0 延续上一代 GLink 1.0 产品的特色，可支持 InFO_oS 与所有类型的 CoWoS® (包括硅中介层与有机中介层)。GLink 2.0 能完整相容GLink 1.0，在相似功耗的表现下，每条信道的传输速度、边界与面积效率都可扩增为两倍。GLink-2.0 能在 1 毫米边界上，以 1.3 Tbps 速度传输全双工流量，以最有效的方式运用稀少的晶粒边缘资源。业界多家主要 AI 与网通客户已在新一代产品中导入 GLink 2.0，预计自 2023 年起量产。
| GLink 1.0 | GLink 2.0 | |
| 每信道速度 | 8 Gbps | 16 Gbps |
| 边界效率 (全双工) | 0.7 Tbps/mm | 1.3 Tbps/mm |
| 面积效率 (全双工) | 0.8 Tbps/mm2 | 1.6 Tbps/mm2 |
GLink 2.0 功耗比其他采用封装基板之 XSR SerDes 方案低 2 倍以上，以每 10 Tbps 的全双工流量计算，GLink 2.0 功耗比其他基于 SerDes 方案减少 10 到 15 瓦，占用的面积与边界范围也减少 2 倍以上。此外，SerDes 方案消耗恒定功率，因此无论实际数据传输量降低或闲置，功耗仍维持不变。GLink 并行总线是依据实际数据传输量决定功耗，甚至可透过数据总线反转 (DBI) 以减少数据切换率，进一步降低功耗。如此一来，与 SerDes 方案相比，实际工作负载的功耗可减少 10 至 20 倍。
GLink IP 包含模拟与数字部分，其接口可直接与用户接口或 AXI 等常见总线连接。透过异步 FIFO，允许各种比例的传输与接收频率，从而提高系统灵活性。GLink 内含链接训练 (Link Training) 硬件状态机器和运行期间自动电压-温度变化追踪，用户不需额外透过软件操控。不论是在生产测试或实际运作期间，GLink 皆可使用备用信道替换故障信道。另外 proteanTecs 的通用芯片遥测 (Universal Chip Telemetry, UTC) 技术已经整合至 GLink 物理层，可在正常运作期间监控每个实体信道的讯号质量，决定是否要以备用信道替换讯号质量较差的信道，以防止系统失效并延长产品寿命。
除上述的 GLink 2.0，GUC 也正在开发下一代的 GLink 解决方案，将采用台积电 5 纳米与 3 纳米技术生产，可实现功耗相近、零错误的 2.5 Tbps/mm 全双工流量，预计于 2021 年第 4 季及 2022 年第 1 季正式推出。
创意电子总经理陈超乾博士表示：“5G 与 AI 为数字转型奠定基础，支持智能联网、数据中心与边缘运算/智能物联网等应用，其重要推手包括 HPC 平台、2.5D/3D 先进封装、特殊应用集成电路 (ASIC) 以及可扩充的处理器等。透过 GLink 2.0 的完整硅验证，创意电子承诺提供最具竞争力的先进封装技术解决方案，为数字转型做出贡献。我们提供业界领先的 HBM2E/3 物理层与控制器、GLink 2.5D 与 3D 晶粒对晶粒接口、CoWoS 与 InFO_oS 先进封装设计与制造、电气与热力仿真、DFT 与生产测试。”
创意电子技术长 Igor Elkanovich 表示：“我们开发出满足功耗大于 1000 瓦与超大面积 ASIC 的严苛要求之 GLink IP，我们测试了所有不同运作条件下的可靠与稳定性，即便是在最严苛的运作场景下，GLink 2.0 仍能维持零错误传输。基于对台积电 2.5D 与 3D 先进封装技术的深度了解，我们开发出带宽最大、功耗最低的晶粒对晶粒接口，并致力在维持低功耗与低延迟的前提下，每年提升两倍的带宽密度，以打造未来的 CPU、GPU、DPU、AI 与网络处理器。”
GLink 2.0 重要特色：
- 每 1 毫米边界可达到全双工 1.3 Tbps 流量
- 0.3 pJ/bit (亦即每 1 Tbps 的全双工流量，功耗只需 0.3瓦)
- 在所有 PVT corner、变动的电压与温度及高噪声下实现零错误运作
- PPA 相较于使用封装基板之 SerDes 方案的优势
-功耗减少 2 倍以上
-面积与边界减少 2 倍以上
-无误码、不需 FEC、链接层与数据交易层
-端对端延迟减少 2 至 3 倍
- 支持 InFO_oS 与所有类型的 CoWoS (包括硅中介层与有机中介层)
- 面积小、功耗低，可进行高传输率互联，打造高达 2500mm2 的多晶粒 CoWoS 与 InFO_oS 解决方案
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若要进一步了解相关信息，请直接联络您的创意电子销售代表，或是寄送电子邮件至 guc_sales@guc-asic.com
关于创意电子 Global Unichip Corp. (GUC)
创意电子是先进客制化 IC 领导厂商，使用最先进的制程和封装技术，为半导体产业提供领先的 IC 设计和 SoC 制造服务。公司总部位于台湾新竹，在中国、欧洲、日本、韩国和北美均设有分支机构，并在全球各地享有盛誉。创意电子在台湾证券交易所公开交易，代号为 3443。更多相关信息请参阅 www.guc-asic.com
(本文由创意电子供稿，电子工程专辑对文中陈述、观点保持中立)
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