长鑫19nm DDR4内存芯片良率已达75% ，17nm工艺爬升中

2019年9月份，合肥长鑫量产了国内首款DDR4内存芯片。据悉，截至 2020 年底，合肥长鑫 12 英寸存储器晶圆制造基地项目提前达到预期产能，实现了从投产到量产再到批量销售的关键跨越。

两年来，长鑫的DRAM颗粒已经在多个国产内存品牌中商用，性能、价格都收获了不错的反馈。

资料显示，合肥长鑫集成电路制造基地项目总投资超过2200亿元，选址位于合肥空港经济示范区，占地面积约15.2平方公里，由长鑫12吋存储器晶圆制造基地（以下简称“基地”）、空港集成电路配套产业园、空港国际小镇三个片区组成。

其中，长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目是中国大陆第一个投入量产的DRAM设计制造一体化项目，也是安徽省单体投资最大的工业项目，总投资约1500亿元；空港集成电路配套产业园，位于基地以西，总投资超过200亿元；合肥空港国际小镇位于基地以北，规划土地面积9.2平方公里，规划总建筑面积420万平方米，总投资约500亿元。

内存技术上，长鑫量产的第一代DDR4/LPDDR4芯片是19nm工艺，此前一直没有公布具体细节，日前兆易创新在一次会议上透露长鑫的19nm工艺良率已达75%。

75%的良率在业内不算顶尖水平，不过考虑到长鑫生产内存不到2年时间，现在的良率表现已经不错了，制造出来还是能保证毛利的。

此外，从长鑫的规划日程来看，预计将于 2021 年完成 17nm 的工艺研发，并进一步加速向 DDR5 DRAM 产品研发迈进。17nm的具体良率尚未公布，但猜测目前会比较低，还在爬升中。

安徽省经济和信息化厅去年曾印发《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》，要求实现中高端移动、平板及消费类产品 DRAM 存储芯片的自主可控；研发出更先进的 LPDDR5 并实现产业化；14/15nm 工艺研发等。此次官方的 DRAM 发展任务显然是落在了长鑫头上，而官方为企业指定的计划时间是 2-3 年，但根据长鑫此前的路线图，早已开始研发下一代 DDR5/LPDDR5 内存等工艺技术，预计有望三年内攻坚 LPDDR5 内存。

责编：Luffy Liu

本文内容参考cnBeta、IT之家