海思牵手劲拓发力芯片封装，系统级封装(SiP)需要回流焊技术

7月6日晚，劲拓股份发布公告称，公司已于2021年7月6日与深圳市海思半导体有限公司（下称“海思”）在深圳市签订了《海思劲拓合作备忘录》。

看中劲拓热加工技术

公告显示，本次合作备忘录签署的背景是基于劲拓在热工领域的能力，加之海思大力推进封测产业链国产化进程，因此，双方旨在加大半导体封装设备领域的合作，解决卡脖子问题，实现产业自主可控。

工商信息显示，深圳市海思半导体有限公司成立于2004年10年18日，注册资本20亿元，注册地址为深圳市龙岗区坂田华为基地华为电气生产中心，法定代表人为徐直军，经营范围为电子产品和通信信息产品的半导体设计、开发、销售及售后服务；相关半导体产品的代理；电子产品和通信信息产品器件和配套件的进出口业务。

由此可见，此次与劲拓股份合作的海思半导体正是知名的华为旗下海思半导体公司。

关于此次合作对上市公司的影响，劲拓股份表示，本备忘录的签订代表劲拓在热工领域的能力得到海思认可，双方建立紧密的战略合作关系，将推动劲拓快速打造半导体热工设备研发平台，持续实现半导体产业链中系列设备的国产化。此合作给劲拓带来积极影响，符合公司及股东的利益。

值得注意的是，劲拓股份表示，本备忘录对公司的业务独立性不构成影响。本备忘录对公司本年度经营业绩的影响需视协议各方后续具体合作协议的签订和实施情况而定。

另外，公告显示，本备忘录仅为战略框架性协议，属于各方合作意愿和基本原则的框架性、意向性的约定，不涉及具体金额，签订程序无需提交公司董事会和股东大会审议，后续业务合作的具体实施内容和计划将以另行签订的正式合作协议为准。

海思入局，国内半导体设备迎重磅玩家

6月29日，劲拓股份发布公告称，公司董事、监事及高管计划合计增持1000万元-2000万元，增持价格不高于22元/股。

本次招股书还提及，海思意在大力推进封测产业链国产化进程，因此与劲拓股份加强半导体封装设备领域的合作。由此看来，海思在产业链又布下一棋，从IC设计，迈向了更为上游的封装设备。

当前全球半导体设备竞争格局高度集中，应用材料、东京电子、泛林半导体等巨头市占率高。相对而言，我国半导体设备国产化率水平较低，2019年约为18.8%。不过，国内企业在刻蚀设备、薄膜沉积设备、离子注入机、清洗设备、检测设备等多个领域正奋力追赶，并取得了一定的成绩。

《电子工程专辑》几天前也报道了国内半导体设备龙头中微公司披露定增认购的结果，大基金二期、中金公司和高毅资产纷纷加入。据悉，此番定增募投的产业化基地建设项目，包含等离子体刻蚀设备、MOCVD设备、热化学CVD设备等扩充和升级。

海思、大基金、私募等多方瞩目，也印证了如今半导体设备的广阔前景——半导体设备市场已迎来新一轮上升周期。

一方面，据SEMI 6月发布的预测报告，未来几年全球将新增29座晶圆厂，设备支出预计将超过1400亿美元，其中中国大陆及中国台湾地区共有8座晶圆厂新建计划，位列全球首位。此外，台积电、中芯国际等代工龙头今年资本开支也处于上行期。晶圆厂的新建与扩产，都将带动对上游半导体设备的需求提升。

另一两面，随着5G、智能汽车、AI等产业发展，需求端对半导体器件的性能要求不断提高。平安证券分析师指出，半导体技术升级常表现为“一代技术、一代设备”，技术升级也将带来设备的巨大需求。

统计数据显示，2020年，全球半导体设备市场达712亿美元，其中大陆市场为187亿美元，占比达26%，为全球第一大市场。2020年大陆半导体设备增速为39%，远高于全球的19%，是全球市场增长的主要动力。

SiP封装，需要回流焊技术

去年，华为遭遇到了美国前所未有的打击，几乎所有先进工艺都不能为旗下海思半导体代工芯片。当时有传言华为启动“塔山计划”，准备打造完全没有美国技术的45nm芯片生产线，同时还在探索合作建立28nm的自主技术芯片生产线。但随后华为方面辟谣，否认了这一计划。

其背后原因在于，即便过去在没有美国制裁的限制之下，有中国政府全力支持的中芯国际从 28 纳米要跨入 14 纳米就已经要花费大量的时间与金钱，如今，在有制裁的限制下势必更难取得设备、技术以及材料。预期以一己之力打造产线，死拼先进工艺，不如在先进封装上下些功夫。

华为消费者业务CEO余承东在8月7日举行的中国信息化百人会上展示的一张PPT中显示，在“根技术”上，华为建议产业关注EDA以及IP领域、关键算法和设计能力。还有包括12寸晶圆、光掩膜、EUV光源、沉浸式系统、透镜等在内的生产设备和材料领域。而在设计与制造环节，关注IC设计能力以及IC制造和IC封测能力。其中IDM涵盖了射频、功率、模拟、存储、传感器等期间设计与制造工艺整合。

系统级封装(SiP)代表半导体业的发展方向之一，有研发周期短、节省空间等优势。把多个半导体芯片和无源器件封装在同一个芯片内，组成一个系统级的芯片，而不再用PCB板来作为承载芯片连接之间的载体，可以解决因为PCB自身的先天不足带来系统性能遇到瓶颈的问题。以处理器和存储芯片举例，因为系统级封装内部走线的密度可以远高于PCB走线密度，从而解决PCB线宽带来的系统瓶颈。举例而言，因为存储器芯片和处理器芯片可以通过穿孔的方式连接在一起，不再受PCB线宽的限制，从而可以实现数据带宽在接口带宽上的提升。

从集成度而言，一般情况下，SoC只集成AP之类的逻辑系统，而SiP集成了AP+mobile DDR，某种程度上说SiP=SoC+DDR，随着将来集成度越来越高，eMMC也很有可能会集成到SiP中。而在这一集成的SMT（表面贴装）制程中就要用到上文提到的加热设备回流焊（Reflow），融化锡膏以便无源器件与载板贴合，再后面的Die attach、植锡球等步骤中，也同样需要加热设备进行固化操作。

相比SoC，SiP系统集成度高，但研发周期反而短。SiP技术能减少芯片的重复封装，降低布局与排线难度，缩短研发周期。同时采用芯片堆叠的3D SiP封装，能降低PCB板的使用量，节省内部空间。苹果就坚定看好SiP应用，他们在Apple Watch、AirPods等产品中大量使用SiP封装。

劲拓新董事长刚上任

劲拓股份是集研发、生产及销售为一体的智能装备系统和先进制造系统供应商，主营电子焊接类设备、智能机器视觉检测设备、3D贴合设备、光电平板（TP/LCD/OLED）显示模组生产专用设备等。

2020年10月28日，劲拓股份公司原控股股东、实际控制人、原董事长吴限因涉嫌证券市场操纵，中国证监会决定对其立案调查。

2021年6月24日，劲拓股份公告，陈磊、林建武、吴限三人涉嫌违反2005年《证券法》第七十七条第一款第一项、第三项、第四项的规定，构成第二百零三条所述的操纵证券市场行为。证监会拟决定：没收陈磊、林建武和吴限违法所得共计1.65亿元，并处以约4.96亿元的罚款，违法所得及罚款合计6.61亿元，由陈磊承担50%，吴限承担30%，林建武承担20%，同时对陈磊采取10年市场禁入措施对吴限采取5年市场禁入措施。

当日，劲拓股份表示，本次吴限涉嫌操纵证券市场的行为，不涉及公司资金，上述拟处罚决定仅涉及吴限个人，与公司的日常经营管理、业务活动无关，公司生产经营正常，经营战略不变。

6月28日，劲拓股份公告，吴限因个人原因申请辞去公司董事长、董事、董事会战略委员会主任委员职务，公司董事会同意选举徐德勇为公司第四届董事会董事长，补选徐德勇为第四届董事会战略委员会主任委员和召集人。

徐德勇，男，1977年4月出生，中国国籍，贸易经济专业，大专学历。2006年至2017年4月先后担任公司销售经理、销售总监，2013年2月至2016年5月担任公司监事会主席；2016年5月至今担任公司董事，2017年4月至今担任公司总经理。截至目前，徐德勇直接持有公司股份61.7万股，占公司当前总股本的0.25%。

责编：Luffy Liu

本文内容参考《海思劲拓合作备忘录》、证券时报、科创板日报、同花顺财经