我们现如今有用于产生负输出电压的标准技术,也有动态调整输出电压的方式。我将在本文介绍这之间的缺失环节——一个用于结合这两项技术的电平转换电路。本文使用了简单的电路来实现可调负输出电压,可以与许多现成的降压转换器 IC 配合使用。

我们现如今有用于产生负输出电压的标准技术,也有动态调整输出电压的方式。我将在本文介绍这之间的缺失环节——一个用于结合这两项技术的电平转换电路。

需要负输出电压的电源应用包括:测试和测量、航空航天和国防、汽车和医疗。一种常用的创建负电源轨的方法是使用传统的降压转换器,并将其作为反相降压-升压转换器运行(参考文献 1-3):将降压转换器集成电路 (IC) 的接地引脚连接到负输出电压(-VOUT),并将电感输出端接到系统接地 (0V)。图 1 是这个配置的示例。利用输出和反馈 (FB) 引脚之间的电阻分压器来设置输出电压。

图 1:降压转换器作为反相降压-升压转换器运行时会产生负输出电压。

使用降压转换器 IC 产生负电压有一主要挑战:如何与IC的输入和输出信号连接,并对其进行电平转换。输入/输出 (I/O) 引脚的参照端是负电压输出端(-VOUT),而不是系统接地 (0V)。这份 TI 应用报告很好地解释了几种能够在系统接地 (0V) 和IC 本地接地 (-VOUT) 域之间对启用 (EN)、电源良好 (PGOOD) 和同步 (SYNC) 信号进行电平转换的电路。该报告包含了如何通过测量波特图和负载瞬态响应来测试电路的有用建议。这份应用报告还有一些电平转换电路的示例。

接下来我们来看看动态电压调节。对于传统的降压或升压转换器,参考文献 4、5 和 6 演示了几种调节输出电压的方法。如图 2 所示,一种普及的方法是在FB 引脚和可调电压源 (VADJ) 之间加一个电阻器。 通过增大或减小VADJ就可以动态调节转换器的输出电压。当 VADJ 高于 FB 节点处的电压(等于参考电压 VREF)时,电流将通过电阻器 RADJ 流入 FB 节点。这将导致输出电压下降。

相反,如果 VADJ 电压低于 FB 节点处电压,则电流将以相反方向流过电阻器 RADJ,输出电压将升高。

图2: 你可以通过电流流出/流入FB节点来动态调整转换器的输出电压。

产生VADJ的一个简便方法是:将一个脉宽调制 (PWM) 信号通过电阻-电容低通滤波器。PWM信号可以通过微控制器或其他数字芯片输出。通过控制 PWM 信号的占空比来调节 VADJ。使用这种方法动态调整反相降压-升压转换器的负输出电压可能会很困难,因为降压转换器 IC 的本地接地接在输出电压 (-VOUT) 上,而不是系统接地 (0V)上。这种情况很可能需要一个电平转换电路,例如我之前提到的与I/O 引脚的连接(图 3)。

图 3:使用接地的 PWM 信号来产生 VADJ 需要一个电平转换电路。

图 4 展示了这样一个电平转换电路的示例。该电路将一个系统接地 (0V) 的 PWM 信号转换为一个 IC 接地 (-VOUT) 的 PWM 信号。 PWM 信号源控制P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的导通和关断。当 P 沟道 MOSFET 导通时,它会将 N 沟道 MOSFET 的栅极电压拉至栅极阈值电压以上,使 N 沟道 MOSFET导通,接着会将 VPWM 拉低至 -VOUT。当 P 沟道 MOSFET 关断时,N 沟道 MOSFET 关断,电阻 RPU 将 VPWM 上拉至 VBIAS。 VBIAS 可以使用精密并联稳压器(例如德州仪器 LM4040)产生,该稳压器连接至-VOUT,并通过一个电阻器连接到 VIN。如图 3 所示,RFLT 和 CFLT充当的是低通滤波器,用于产生VADJ。通过调整RADJ上的电流来调节输出电压。

图 4:电平转换电路的示例:使用分立元件将 PWM 信号从系统接地转换为 IC 接地(-VOUT

图 5 中的仿真结果证明了这种方法可用来调节负输出电压,其中降压转换器作为反相降压-升压转换器运行。在前 6 毫秒 (ms) 内,负输出电压(红色标记,用“NVOUT”表示)缓慢拉升至 -7V。蓝线表示的是 VADJ,在启动期间跟随负输出电压。 PWM电路在 7 ms 时启用(紫色为PWM 的输入波形),并使 PWM产生电平偏移 (VPWM)。 VADJ(蓝色)升高,转换器输出电压也随之升高。转换器在大约 2 ms的转换时间后达到新的稳态工作点(大约-2V)。在仿真中,调节PWM 信号可以平滑、有效地降低输出电压。

图 5:仿真结果展示了如何使用电平转换电路来动态调整负输出电压。

这个方法使用了简单的电路来实现可调负输出电压,可以与许多现成的降压转换器 IC 配合使用。该电路结合了输出电压调节和信号电平转换的常用技术。通过使用本文介绍的电平转换电路,系统接地的 PWM 源可以调节电源转换器 FB 节点处的电流。这个设计的主要挑战是:在IC的接地电压(与负输出电压相同)改变的同时,控制注入电流。这项技术适用于多种需要动态调整负输出电压的应用。

(参考原文:Dynamically adjust negative output voltages

责编:Amy Guan

本文为EET电子工程专辑原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
您可能感兴趣
安森美半导体此次裁员决策并非毫无预兆,主要原因是市场需求的下降和公司收入的减少。
从运算放大器、逻辑功能芯片到高端处理器等基本抗辐射器件已经存在多年,并提供多种辐射耐受等级。尽管抗辐射是必要条件之一,仅靠器件本身并不足以保证整个电路的抗辐射性能。
此次收购符合南芯科技的长期战略规划,通过整合昇生微在嵌入式芯片设计上的技术专长和研发团队,南芯科技将强化其在硬件、IP、算法及软件等方面的技术优势……
物理世界对智能的需求正在推动边缘设备支持复杂计算,如人工智能、机器学习、数字信号处理和数据分析等。这增加了能源需求,而这些设备通常处于能源匮乏状态。因此,迫切需要从根本上重新考虑制造这些设备的计算硬件以提高能源效率。
英诺赛科此次上市标志着作为氮化镓功率半导体领域的龙头企业正式进入资本市场,并成为港股“第三代半导体”第一股。英诺赛科的开盘价为31港元,较发行价上涨了0.5%,但随后股价跌破了发行价,市值约为270亿港元......
自1984年,意法半导体首次进入中国,成为首批在中国开展业务的半导体公司。意法半导体CEO Jean-Marc Chery日前表示,中国市场是不可或缺的,是电动汽车规模最大、最具创新性的市场,与中国本地的制造工厂达成合作,具有至关重要的作用。他还表示,意法半导体正在采用在中国市场学到的最佳实践和技术,并将其应用于西方市场,“传教士的故事结束了”。
TEL宣布自2025年3月1日起,现任TEL中国区地区总部——东电电子(上海)有限公司高级执行副总经理赤池昌二正式升任为集团副总裁,同时兼任东电电子(上海)有限公司总裁和东电光电半导体设备(昆山)有限公司总裁。
预计在2025年,以下七大关键趋势将塑造物联网的格局。
领域新成果领域新成果4月必逛电子展!AI、人形机器人、低空飞行、汽车、新能源、半导体六大热门新赛道,来NEPCON China 2025一展全看,速登记!
本次股东大会将采取线上和线下相结合的混合形式召开,股东们可选择现场出席或线上参会。
小米宣布全球首发光学预研技术——小米模块光学系统,同时发布官方宣传视频。简单来说,该系统是一个磁吸式可拆卸镜头,采用定制M4/3传感器+全非球面镜组,带来完整一亿像素,等效35mm焦段,配备f/1.4
千万级中标项目5个,百万级中标项目12个。文|新战略根据公开信息,新战略移动机器人产业研究所不完全统计,2025年2月,国内发布35项中标公告,披露总金额超15527.01万元。(由新战略移动机器人全
Mar. 5, 2025 产业洞察根据TrendForce集邦咨询最新研究,TSMC(台积电)近日宣布提高在美国的先进半导体制造投资,总金额达1650亿美元,若新增的三座厂区扩产进度顺利,预计最快20
引言 嘿,各位电动汽车的爱好者们!咱们今儿个就来聊聊电动汽车里那些“看不见,摸不着”,但又至关重要的零部件。要说电动汽车这玩意儿,那可真是科技含量满满,各种高精尖的技术都往里堆。但要让这些
本文来源:智能通信定位圈自动跟随类的产品属于比较酷炫功能的“黑科技”产品。要实现自动跟随的技术可以有很多,但是最常用的就是UWB,因为UWB定位精度高,现在的成本也在下降,手机中也开始逐渐普及UWB等
在储能行业蓬勃发展的浪潮中,安富利凭借卓越的技术实力与广泛的市场影响力,荣获2025“北极星杯”储能影响力BMS/EMS供应商奖。这一荣誉不仅是对安富利过往成就的高度认可,更是对其在储能领域持续创新与
点击文末“阅读原文”链接即可报名参会!往期精选《2024年度中国移动机器人产业发展研究报告》即将发布!2024年,36家移动机器人企业融了超60亿元2024移动机器人市场:新玩家批量入场,搅局还是破局
高通又放大招了!3月3日,也就是MWC世界移动通信大会的第一天,高通正式宣布,推出自家的最新5G调制解调器及射频解决方案——高通X85。高通X85对于高通X85的发布,行业早有关注。因为高通的手机So
面板价格预测(3月)根据TrendForce集邦咨询旗下面板研究中心《TrendForce 2025面板价格预测月度报告》最新调研数据:2025年3月,电视面板与显示器面板价格预期上涨,笔记本面板价格
新品EVAL-2ED3146MC12L–带辅助电源的6.5A双通道隔离栅极驱动器评估板EVAL-2ED3146MC12L评估板用于评估功率半桥电路中的2ED3146MC12L 6.5A隔离栅极驱动器I