台积电 (TSMC) 正在增强其行业领先的 5 纳米工艺技术，其中包括N5A和N6RF两项改进。N5A 与汽车应用处理器有关， 增强AI 辅助驾驶，N6RF则 用于 5G 智能手机芯片。台积电周三在其线上举行的技术研讨会上宣布了增强型和专业化 5nm工艺技术的路线图。
台积电 (TSMC) 正在增强其行业领先的 5 纳米工艺技术，其中包括N5A和N6RF两项改进。N5A 与汽车应用处理器有关， 增强AI 辅助驾驶，N6RF则 用于 5G 智能手机芯片。
台积电称 N5A 可将超级计算机中使用的技术引入汽车和智能手机。该公司在一份声明中表示，新设计将于 2022 年第三季度上市，该设计“融合了业界首创的 5nm N5 工艺的性能、功效和逻辑密度”。
新工艺于去年投入量产。台积电本周表示，与前一代 7nm 工艺相比，其 5nm 工艺的缺陷密度改善得更快。
台积电表示，N5A 改进功能符合封装集成电路 (IC) 的汽车安全和质量标准，例如 AEC-Q100 2 级压力测试。预计基于 N5A 的集成电路将出现在驾驶员辅助应用、数字化驾驶舱系统和其他应用中。
台积电周三在其线上举行的技术研讨会上宣布了增强型和专业化 5nm工艺技术的路线图。这家总部位于台湾新竹的半导体巨头表示，N4 是其第一代 N5 5nm 工艺的下一个改进，将于今年第三季度进行风险生产。 N4 之后的下一阶段是 N3，目前正在测试中，预计在 2022 年下半年进行量产。 N3 工艺与 N5 相比，预计会在速度上提升 15% 或功耗上降低 30%。还将提供高达 70% 的逻辑密度增益。
先进封装技术可在芯片上堆叠更多内存
除了新的专业芯片设计之外，台积电还重点介绍了其 3DFabric 先进封装和芯片堆叠技术，例如 InFO_B，它支持在集成移动处理器封装上进行 DRAM 堆叠，以获得更好的性能和能效。该公司表示将在今年晚些时候提供 InFO_B，以及可用于高性能计算 (HPC) 和集成高带宽内存的 INFO_oS 和 CoWoS 封装解决方案。
这家工厂还表示，这些封装技术和专业工艺，如 N5A 和 N6RF，有助于持续数字化和人工智能，会增强我们日常生活的更多部分。其中的N6RF是一种新宣布的工艺，它可将 N6 逻辑的优势转化为 5G 射频 (RF) 和 WiFi 6/6e 。尽管对全球芯片短缺的担忧日益加剧，但该公司的扩张计划仍在运行。
“数字化正在以前所未有的速度改变社会，人们在使用科技技术来克服全球新冠肺炎造成的障碍来连接、协作和解决问题，”台积电首席执行官 C.C.魏在一份声明中说。 “这种数字化转型为半导体行业开辟了一个充满机遇的新世界。”
（参考来源: https://venturebeat.com/2021/06/03/tsmcs-5nm-chip-enhancements-steer-ai-driving-5g/）
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