除了国际巨头如TI、ADI、英飞凌、安森美、ST等，中国电源管理和功率器件市场上还有很多技术和产品都颇具实力的国产厂商，比如圣邦微、芯朋微、士兰微和华润微等。那么，中国的电源设计工程师最喜欢哪些电源管理芯片和功率器件呢？《电子工程专辑》编辑团队从36家国内外芯片厂商中挑选了各自有代表性的一个产品，分别归入10个类别……
从电池供电的可穿戴设备和IoT终端、手机和电脑充电器、家用电器、电动车充电桩，及至工业自动化装备，都离不开电源管理芯片和各种功率器件。市场的庞大需求和多样化设计要求也吸引了众多半导体厂商加入这一电子和电气产品的基础元器件供应商行列。除了国际巨头如TI、ADI、英飞凌、安森美、ST等，中国电源管理和功率器件市场上还有很多技术和产品都颇具实力的国产厂商，比如圣邦微、芯朋微、士兰微和华润微等。
那么，中国的电源设计工程师最喜欢哪些电源管理芯片和功率器件呢？《电子工程专辑》编辑团队从36家国内外芯片厂商中挑选了各自有代表性的一个产品，分别归入10个类别。
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AC-DC转换器
德州仪器（TI）UCC2871x 系列反激式电源控制器
UCC2871x 系列反激式电源控制器在不使用光耦合器的情况下提供隔离式输出恒压 (CV) 和恒流 (CC) 输出调节。此器件可处理来自主要电源开关和辅助反激式绕组的信息，以对输出电压和电流进行精确控制。UCC28710 支持对线缆补偿进行编程。UCC28711、UCC28712 和 UCC28713 器件在提供固定线缆补偿电平的同时，可使用负温度系数 (NTC) 电阻器实现远程温度感测。
https://www.ti.com.cn/product/cn/UCC28710
金升阳SCM1710A电流模式PWM控制器
SCM1710A是一款高度集成的电流模式PWM控制器，适用于离线式AC-DC开关电源。在SCM1710A内部，芯片工作频率是经过修调的，具有很高的精度，并且可通过外接不同阻值的电阻改变其最大工作频率；轻载时，芯片的工作频率和峰值电流幅度会随着负载的减小而降低，接近空载时工作在间歇模式，从而可使变换器在整个负载范围都维持高效率，也减小了待机功耗；芯片集成了各种补偿电路，无需片外增加器件就能实现极高的输出电压精 度、优良的动态响应和极低的输出电压温度系数；自带软启动功能，改善启机应力并有效抑制轻载输出过冲；采用软驱动和抖频技术改善 EMI 问题；内置了管理时钟，防止干扰使环路进入死区。
https://www.mornsun.cn/html/products-detail/SCM1710A.html
安森美NCP1340准谐振反激控制器
NCP1340 是一款高度集成的准谐振反激控制器，适用于设计高性能离线功率转换器。NCP1340 具有集成的有源 X2 电容器放电功能，可以实现低于 30 mW 的无负载功耗。准谐振电流模式反激级功能具有专属的谷锁闭电路，确保了稳定的谷开关。此系统可在低至第 6 个谷的情况下运行，并转换为频率折回模式以降低开关损耗。随着负载进一步降低，NCP1340 进入静音跳过模式来管理功率传递。为了帮助确保转换器耐用性，NCP1340 实施了若干关键保护功能，如内部欠电压检测、在任何输入电压下保证恒定最大输出功率的非功耗过功率保护 (OPP)、通过专门引脚实现的锁存过电压和 NTC 就绪高温保护，以及线路去除检测，可在去除线路时对 X2 电容器进行安全放电。
芯朋微PN8275隔离电源芯片
PN8275内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低待机功耗、全电压范围下的最佳效率。同时，PN8275还提供了智能化保护功能，包括输入欠压/过压保护、X电容放电功能、输出过压保护、外部OTP保护、逐周期式过流保护、过载保护和软启动功能。
http://www.chipown.com.cn/product.asp?id=354
DC-DC转换器
微源半导体LP6260极低静态电流同步升压转换器
LP6260QVF是一款1μA 极低静态电流同步升压转换器，专为锂离子充电电池以及其他电池供电的产品而设计，能够在轻载和重载条件下高效运行，对延长电池使用时间、提升产品性能至关重要。其特性如下：1uA超低静态电流；工作输入电压范围为：1.0-5.0V；20uA负载条件下的效率高达75%；200mA负载条件下的效率高达93%（3.3V转5V）；开关峰值电流典型值高达 1A；SW耐压高达12V；在关断模式下实现输出与输入真关断；采用TDFN-6封装。
南芯SC8913双向转换器
SC8913是一款带I2C接口的同步降压充电器，同时支持升压放电工作。芯片内部集成功率管，支持宽范围输入输出电压范围，适用于1-4节锂电池应用。 充电模式时，SC8913通过将高于电池电压的输入电压降压，从而高效地完成电池充电。SC8913支持完善的充电循环管理包括：涓流充电、恒流充电和恒压充电。放电模式时，SC8913可以高效率地反向升压放电，输出电压最高可达26V。SC8913集成I2C接口，因此用户可以很方便地选择充电/放电模式，并通过I2C编程设置输入限流值、输出限流值和输出电压。它还支持DP/DM快充握手接口、适配器接入检测、负载接入检测和小电流检测等功能。而且它内部集成的一个可用于外部功率路径管理的PMOS驱动器，一个用于通用控制的开漏输出，以及10位ADC。
http://www.southchip.com/prod_view.aspx?TypeId=70&Id=203&FId=t3:70:3
Dialog DA9070纳安级静态电流转换器
DA9070是一款高度集成、可配置、低静态电流PMIC，主要针对可穿戴设备、智能家居和低功率电池应用。该芯片在线性充电器上集成了电源路径管理、超低静态电流（Iq）降压稳压器和LDO /负载开关、宽输出升压稳压器、模拟电池监控器、看门狗和保护功能。该转换器在低至10μA的负载电流和低Iq的LDO时仍然有效。DA9070提供高达500 mA的充电电流，以加快充电周期。充电曲线可通过外部电阻器或软件编程，从而允许独立运行或主机控制。该器件采用I2C可配置的WLCSP封装。
https://www.dialog-semiconductor.com/products/charger-pmics/da9070
线性稳压器（LDO）
广芯电子BCT2040 1A低压差线性稳压器
BCT2040是一款输出电流为1A的快速放电LDO(低压差线性稳压器)，具有快速放电、体积小、低噪声、低压差、High PSRR等特点，同时该芯片具有多样的固定输出电压范围（1.0~5.0V）和可调的输出电压功能。BCT2040可广泛应用于智能家居、车联网设备、电视、 机顶盒以及手持终端等领域。
http://www.broadchip.com/low-voltage-77
圣邦微SGM2022多通道、高精度低压差线性稳压器
SGM2022是一款双路、低功耗、低压差CMOS线性稳压器，其工作电压范围为2.5V至5.5V，并可在每个通道提供高达250mA的电流。其接地电流为190μA，特别适合电池供电的电源系统。SGM2022还提供了低压差电压（250mV at 250mA输出），可以延长便携式电池的寿命电子产品。其他特性还包括10nA逻辑控制的关机模式、电流限制和热关断保护。SGM2022采用绿色环保SOT-23-6封装，可在-40℃到+ 85℃的环境温度范围内工作。
http://cn.sg-micro.com/product-105.html
ADI LTM4700双通道50A或单通道100A µModule 稳压器
LTM4700 是一款双通道 50A 或单通道 100A 降压型μModule DC/DC 稳压器，可通过 PMBus实现远程可配置性及电源管理参数遥测监察功能。LTM4700 内置了快速模拟控制环路、精准型混合信号电路、EEPROM、功率 MOSFET、电感器和支持组件。它的两线式串行接口允许以可编程转换速率和排序延迟时间对输出实施裕度调节、调谐以及斜坡上升和下降。输入和输出电流及电压、输出功率、温度、正常运行时间和峰值是可读的。不需要 EEPROM 存储内容的定制配置。在启动时，输出电压、开关频率和通道相位角分配可利用引脚搭接电阻器来设定。LTM4700 采用 15mm x 22mm x 7.87mm BGA 封装，并可提供 SnPb 或符合 RoHS 标准的端子涂层。
https://www.analog.com/cn/products/ltm4700.html
上海贝岭BL8062 CMOS型低压差线性稳压器
BL8062系列是一组正电压输出、低功耗、低压差的三端稳压器，包括高精度基准电压源、误差放大器、限流电路和输出驱动器模块。当输入/输出电压差降至418mV（Vout = 3.3V）时，它可以提供200mA的输出电流，并且还提供折返式短路保护和输出电流限制功能。它可提供0.1V步进的1.2V〜5.0V范围内的输出值，也可以根据要求进行定制。BL8062具有良好的负载瞬态响应和良好的温度特性，其极低功耗（Iq = 3uA）可以大大提高电池的使用寿命。
https://www.belling.com.cn/product_info.html?id=32
电源隔离芯片
纳芯微NSiP884x集成隔离DC/DC电源的数字隔离芯片
纳芯微电子独有的TFPower™技术，NSiP884x系列产品将内置有片上变压器的隔离DC/DC电源电路以及四通道高速数字隔离集成在一起，用户只需在电源输入输出上各加两个滤波电容就能实现电源隔离和信号隔离。NSiP884x实现了单颗芯片同时解决电源隔离和信号隔离的双重难题，使用操作更加简单，并且不需要设计复杂的隔离电源电路。该芯片采用SOIC16WB封装，电源工作效率为48%，比同类产品高出15%，工作温升值为68.5℃，支持softstart电源特性，低EMI的特性使其更适用于对可靠性有要求的应用环境。
http://www.novosns.com/web/index.php?m=article&a=index&cid=1&id=1200#
川土微CA-IS3105W 0.5W隔离DC-DC转换器
CA-IS3105W是一款支持5KVrms隔离耐压的DC-DC转换器芯片，集成片上变压器，能够高效率传输大于500mW功率到副边输出。CA-IS3105W集成软启动、短路保护、过温保护等多种保护功能以更好地增强系统的可靠性。同时具有使能管脚，具有比常规输出电压高0.4V的输出选项，该条件下可在CA-IS3105W的输出再接LDO。CA-IS3105W器件采用16脚宽体SOIC封装，电气间隙&爬电距离大于8mm，满足加强绝缘，支持宽工作温度范围-55 °C ~ 125 °C。该芯片采用特有控制架构，能够快速响应负载变化，并且精确调节输出电压。CA-IS3105W的出现可替代传统用分立器件组建的隔离电源方案，并且新方案使得外形尺寸更小，能够实现完全隔离。
http://www.chipanalog.com/index.php/product/detail/273.html
荣湃半导体π1xxxxx系列1通道数字隔离器
π1xxxxx 系列数字隔离器产品包含数百种型号，具有出色的性能特征和可靠性，整体性能优于光耦和基于其他原理的数字隔离器产品。基于荣湃半导体独有的 iDivider 技术和成熟的标准半导体 CMOS 工艺，在不需要调制和解调的情况下，实现电压信号跨越隔离介质精准传输。该系列产品传输通道间彼此独立，可实现多种传输方向的配置，可实现 1.5kV rms 到 5.0kV rms 隔离耐压等级和 DC 到 600Mbps 信号传输。该系列产品支持 3.0V 到5.5V 的工作电压，并支持 3.0V 到 5.5V 信号电平转换。当输入电源不供电或无输入信号，输出电源供电正常的情况下，隔离器输出默认电平。
http://www.rpsemi.com/productdetail.php?id=1
LED 驱动芯片
裕芯电子YX8184太阳能LED驱动控制器
YX8184太阳能LED驱动控制器主要应用于太阳能户外照明领域，它不仅具有常规的过充、过放保护、光控亮灯、电池防反接、恒流等特性，它还具有恒流亮灯延时可设定，且延时之后的亮灯电流也可以设定的功能。本产品用于取代目前以“MCU+充电管理+LED驱动”等分立器件构成的主流应用方案。无论在外围器件数量、充电效率、控制方式、生产控制还是成本方面，YX8184都占有绝对的优势。
http://www.shiningic.com/zh/producterlist.aspx?classid=0101
晶丰明源BP2866XJ非隔离降压型LED 恒流驱动芯片
BP2866XJ是一款外置OVP降压型LED恒流驱动芯片，工作在电感电流临界连续模式，适用于85Vac~265Vac全范围输入电压的非隔离降压型LED恒流电源。该芯片ROVP引脚带Enable功能，适用于开关调色和感应灯应用。它采用内置高精度的电流采样电路和恒流控制技术，实现高精度的LED 恒流输出和优异的线电压调整率。芯片工作在电感电流临界模
式，输出电流不随电感量和LED 工作电压的变化而变化，实现优异的负载调整率。BP2866XJ 具有多重保护功能，包括LED短路保护，芯片供电欠压保护，外置OVP，芯片温度过热调节等。
http://www.bpsemi.com/cn/product_result.php?id=422
富满电子FM6126Q 5V恒流输出LED驱动芯片
FM6126Q是一款专为 LED 模块和显示器设计的驱动IC，具有16路恒定的电流输出驱动能力。它采用“输出钳位”技术，可以有效消除首行偏暗现象，同时可以防止灯珠损坏。同时 还具有极佳的抗干扰特性，恒流及低灰效果不受PCB板的影响。并可选用不同的外接电阻对输出级电流大小进行调节，精准控制LED的发光亮度。FM6126Q内部采用了电流精控制技术，可使片间误差低于±3.0%，通道间误差低于±2.0%。在显示过程中(OE=0)会缓存 16bit 显示数据，所以系统在该芯片显示的过程中可以再继续存入16bit串行数据，相比通用恒流源芯片，刷新率可以提高50%以上。
无线充电芯片
英集芯IP6806 7.5 W/10W无线充电发射控制器
IP6806是一款无线充电发射端控制SoC芯片，兼容WPC Qi v1.2 .4 最新标准，支持 A11 或 A11a线圈，支持5W、苹果7.5W、三星10W 充电。IP6806通过analog ping检测到无线接收器，并建立与接收端之间的通信，则开始功率传输。其解码从接收器发送的通信数据包，然后用PID算法来改变振荡频率从而调整线圈上的输出功率。一旦接收器上的电池充满电时，IP 6806终止电力传输。IP6806片内集成全桥驱动电路和全桥功率MOS电压电流两路 ASK通讯解调模块。
http://www.injoinic.com/product_detail/id/2.html.html
美芯晟MT5725基于磁感应的无线电力接收器
MT5725是一款基于磁感应的无线电力接收器SoC芯片，符合BPP和EPP的最新WPC Qi规范（版本1.2.4），并且还支持主流智能手机OEM厂商所使用的各种专有快速充电协议。它具有真正的快速无线充电功能，可提供高达30W的输出功率，并具有完全可编程的输出电压（最大20V）和电流限制（最大2A）。MT5725具有经过优化的自适应全同步整流器控制，非常小的功率MOSFET的Rdson和极低的偏置电流，因此具有很高的总体AC-DC转换效率（高达97％）。此SoC集成了无线电源接收所需的一切功能，集成了具有8KB SRAM和16KB OTP的ARM Cortex M0处理器、完整的同步整流器和特殊的输出LDO、过压/过流和过温保护电路、双向通信单元，以及各种GPIO和串行接口。它还支持反向充电模式，其中通过固件控制将无线电力接收器配置为无线电力发射器。
http://www.maxictech.com/Content/2019/05-07/1416266435.html
伏达半导体NU1680无线电源接收器
NU1680是一款高度集成的无线电源接收器，集成了一个同步整流器，无需自举电容，具有高效率和低成本的特点。可提供3.5V到9V的宽范围稳压，适用于不同的应用场合。此外，它可以调节输出电压跟踪电池电压，进一步降低充电系统的功耗。NU1680可以通过ASK与发射系统进行通信，符合WPC V1.2.4规范。 FOD参数可通过I2C接口或外部电阻进行配置，以通过FOD测试。NU1680还支持连接到主AP，通过I2C接口进行通信，并提供外部中断、电池电压ADC值、输出电流等。该芯片支持标准保护功能，如过流保护、短路保护、过压保护和热关机。
http://www.nuvoltatech.com/product/nu1619155/134.html
电池管理（BMS）芯片
大唐恩智浦DNB1168车规级电动车电芯监测芯片
DNB1168电池管理芯片集成了监控电芯的电压，电芯的电阻以及电芯的温度等功能，可用于精准测量电池电芯的SOC/SOH/SOF等。DNB1168核心部件100% 国产化，片内集成电芯交流阻抗监测、片内集成温度传感器、最高安全等级ASIL-D的电路实现。DNB1168通过高性能的电路测量电芯的内部温度来测量电芯的SOC，此技术是传统电池管理芯片达不到的。该芯片通过单通信线与控制器通信，避免了传统电池管理芯片的多线带来的线路复杂度与能量损失等，也节约了成本。
http://www.datangnxp.com/cpjs/info_18.aspx?itemid=157&lcid=24&pid=38
华润矽威科技PT6302/S锂离子聚合物电池保护芯片
PT6302/S是一款专为保护2串锂离子聚合物电池的电池保护芯片，可降低因电池过充、过放、过温和或过流条件而导致的电池损坏或寿命缩短的风险。PT6302/S采用模拟前端的采样结构，将第二节电池电压转成对地电压后再进行保护处理。它单独设置采样引脚IS，可以支持采样电阻采样以达到更高电流采样精度。此外，PT6302/S还支持对电池温度的检测。
力生美半导体LN3206A 2~9节锂电池充电用AC电源控制器
LN3206A是一颗高集成、高性能的开关电源侧控制IC，内置高精度恒压恒流控制环路，可以不依赖外部器件实现优于0.5%精度的稳定输出电压，确保锂电池包不被过充损坏。通过外部节数档位设定，芯片可支持为2~9 cell电池充电。通过外部电压档位设定，芯片可支持4种不同额定电压电池组，包括4.15V/4.20V/4.25V/4.30V。该芯片内置高边MOS开关直接驱动控制电路，以可靠开关输出；转灯控制电路，充电中实时监控充电状态，充满电时给出状态指示；5V LDO稳压电源，可为电池包的控制电路提供稳定的工作电压，为温度检测电路和通讯电路提供稳定的偏置电压；电池包通讯链路，可实现电池包ID识别、充电状态传递、充电模式协商、充电过温度故障保护等一系列附加功能，并支持多次编程。
鸿智电通EPC3001快充BMS处理器
EPC3001整合高效数模混合技术，转化效率高，可个性化定制，全协议、全集成、高低压、BMS 架构的单芯片解决方案。该产品主要应用领域为动力电池、储能电池BMS市场。EPC3001特性如下：内置升降压控制器，同时集成PD等多协议识别和MCU，以及多种模拟元器件，可减少外置元件数量，整体BOM成本低；内置电荷泵，可驱动低成本的NMOS；内置电源管理，支持1到4串锂电池充电及电池均衡；内置多重保护电路，高可靠性设计。
GaN快充器件
英诺赛科INN100L12 GaN同步整流管
INN100L12是一种100V耐压的增强型GaN开关管，支持超高的开关频率，超低导阻，无反向恢复损耗，快速且可控制的上升和下降时间，同时具有开尔文采样源极，可减少寄生参数，获得更精准的控制，提高效率。 INN100L12采用1.9*2.9mm FCLGA倒装封装，适用于同步整流、数字功放、包络跟踪供电和高频DC-DC转换器。相比传统Si MOS，可降低驱动损耗和反向恢复损耗，提高工作频率即提升功率密度，是传统Si MOS的理想替代品。
http://www.innoscience.com.cn/
Power Integrations InnoSwitch 3-Pro数控恒压/恒流离线反激式准谐振开关IC
InnoSwitch 3-Pro系列IC可极大简化全数控高效率电源的开发和制造，尤其是那些采用紧凑外壳的电源。通用的I2C可实现输出电压及电流的动态控制，并且提供其他可动态设定的保护功能。遥测技术可提供可设定功能和故障模式的报告。InnoSwitch3-Pro器件采用PowiGaN 技术，适合于输出电压及电流需要精确(10 mV, 50 mA)调整的AC/DC电源应用。典型的实现方案包括一个系统微处理器或专用微处理器，其I2C端口可用于配置、控制和监测电源子系统的运行情况。uVCC引脚在独立方案（如USB PD适配器或充电器）中为微处理器提供偏置供电。
https://ac-dc.powerint.cn/zh-hans/products/innoswitch-family/innoswitch3-pro/
Navitas NV6115 GaNFast功率芯片
NV6115是基于GaNFast技术的功率IC，专门针对高频、软开关拓扑而优化。它在单个芯片上集成了FET、驱动器和逻辑电路，轻松实现“数字输入，功率输出”的高性能电源模块，使设计师能够开发最快、最小、最高效的电源产品。它具有最高的dV/dt抗扰度、高速集成
驱动器和低电感等特性。其5 x 6 mm SMT QFN封装可让设计人员快速开发出具有简单、快速、可靠特点的高功率密度和高效率的供电方案。
IGBT
比亚迪半导体IGBT 4.0
车规级IGBT 4.0产品在芯片损耗、模块温度循环能力、电流输出能力等关键指标上达到了先进水平。在电气性能上，比亚迪的IGBT4.0模块的温度循环寿命可以做到当前市场主流产品的10倍以上；同时搭载IGBT4.0的V-315系列模块在同等工况下较当前市场主流产品的电流输出能力提升15%，也就是说搭载IGBT 4.0的电动汽车具有更强的加速能力。IGBT 4.0的电压规格是1200V；电流规格为25A-200A；工作频率 – 标准型1K-16KHz，高速型16K-25KHz。
http://electronics.byd.com/elec/index.html
英飞凌TRENCHSTOP IGBT7
TRENCHSTOP IGBT7分立式器件和模块主要用于变速驱动器，该产品组合已经扩展到更高电压或电流等级、更多产品系列以及其他特性，例如PressFIT、预涂热界面材料 (TIM) 或高级H2S保护。与之前的IGBT相比，对于相同框架尺寸，EconoDUAL 3模块的输出电流高出50%；Easy 1B和2B与上一代IGBT4引脚对引脚兼容；给定dv/dt限制导通损耗降低，功耗降低15%；CGE和CGC经过平衡，可完全控制dv/dt，并优化开关波形。该产品的特性主要包括：工作温度Tvjop=175°C时过载能力（过载条件下）；与IGBT4相比，导通电压降低20%左右；增强可控性，满足电机绝缘要求或EMI限制；与EC4相比，通过EC7发射器控制的二极管，降低正向电压100mV、降低反向恢复损耗并提高软度。
https://www.infineon.com/cms/cn/product/power/igbt/
斯达半导体600V/650V IGBT模块
600V/650V IGBT电源模块提供超强的低传导损耗以及短路坚固性，它们专为UPS\太阳能和3级应用而设计。其特性如下：低VCE（sat）沟槽IGBT技术；6μs短路能力；具有正温度系数的V CE（sat）；最高结温175℃；低电感外壳；快速和软反向恢复反并行FWD；采用DBC技术的隔离铜基板。
http://www.powersemi.cc/products41.html
士兰微SGT15T120QR1PT IGBT
SGT15T120QR1PT绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止（Trench Field Stop）工艺制造，具有低开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热、UPS、SMPS以及PFC等领域。主要特点包括：15A，1200V，VCE(sat)(典型值)=1.8V@IC=15A；低导通损耗；超快开关速度；高击穿电压。
http://www.silan.com.cn/product/details/2221.html
华润微IGBT单管
华润微主要以IGBT单管系列化产品为主，量产的IGBT产品技术类似于英飞凌IGBT第四代产品。华润微IGBT产品主要应用于逆变焊机、感应加热、UPS、逆变器、变频器、电机驱动、工业电源等。
https://www.crmicro.com/ProductSolution/psglqj/igbt/igbtd/
MOSFET
吉林华微JCS12N50C N-沟道增强型场效应晶体管
JCS12N50C N-沟道增强型MOSFET的产品特性包括：低栅极电荷、低 Crss (典型值 14pF)、开关速度快、产品全部经过雪崩测试、高抗 dv/dt 能力、RoHS 产品。该产品主要应用于高频开关电源、电子镇流器和UPS电源等。
http://www.hwdz.com.cn/Products/139
扬州扬杰YJ10N60 N-沟道增强型MOSFET
YJ10N60 N-沟道增强型场MOSFET 的主要产品特性包括：低Crss、低栅极电荷、快速开关、增强的ESD能力、高抗 dv/dt 能力、100%通过雪崩测试。
http://www.21yangjie.com/product/mosfet/high-voltage-mosfet/
苏州固锝2N7002KB 60V N-沟道MOSFET
2N7002KB器件采用先进的MOSFET工艺技术，专门设计用于PWM、负载切换和电源开关应用。它利用最新的处理技术来实现高电池密度，并降低了导通电阻。这些功能相结合，使得设计极为高效和可靠。其产品特性包括：超低导通电阻，栅极电荷低；快速切换和反向身体恢复；ESD额定值：1000V HBM；150℃的工作温度；无铅产品。
http://www.goodark.com/zh_cn/products/product_category/mosfet/mos/
意法半导体STPOWER MDmesh M5超结高压MOSFET
550 V和650 V MDmesh M5超结高压MOSFET为太阳能功率转换器、消费者产品电源、电子照明控制、EV/HEV等硬开关应用中的高功率PFC和PWM拓扑进行了优化。凭借每个硅面的低导通损耗以及各种封装中的低栅极电荷（Qg），MDmesh M5高压MOSFET产品组合可打造新型节能、结构紧凑、性能可靠的电子产品。包括新型4针TO247-4（其专用控制引脚提高了开关效率）和1 mm高表面贴装PowerFLAT 8x8 HV以及PowerFLAT 5x6 HV（其采用裸露金属漏垫提高了散热效率）。这些功率MOSFET属于STPOWER系列，具体超低RDS(on)，可以提高效率并使设计更加紧凑。它们在RDS(on)和电容曲线之间的最佳折中，增强了高功率PFC中的性能。
请从以上分类产品中选择最喜欢的电源管理芯片或功率器件，让更多的中国工程师在设计中选择合适的芯片和器件。如果没有找到你最喜欢的型号，请在留言栏发表你的评论，分享你的经验。
责编：Luffy Liu
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