美光宣布退出曾经前景看好的3D Xpoint非挥发性存储器市场，这为英特尔的Optane技术开启了一个机会...
美光科技(Micron Technologies)宣布退出曾经前景看好的3D Xpoint非挥发性存储器市场，随着市场带宽需求持续飙升，将数据中心应用技术发展重点聚焦于新兴的CXL (Compute Express Link)高速互连界面。
美光总裁暨首席执行官Sanjay Mehrotra在3月中旬表示，该公司将停止3D Xpoint技术开发，并且“将研发投资重新安排”到以CXL新兴处理器-存储器产业标准为基础的新存储器产品开发；他指出：“我们的决定是依据预期中CXL对3D XPoint市场商机带来的冲击，以及我们的新兴存储器产品在未来数据中心的应用。”
Mehrotra指出，目前美光正在与“数家潜在买主”洽谈在美国犹他州Lehi的3D Xpoint专用晶圆厂出售事宜，期望能在今年稍后作成交易。Lehi晶圆厂在21世纪初期引领Micron进军NAND闪存市场，随后又量产了该公司的3D Xpoint存储器技术。
美光的退出也标志了3D Xpoint技术的转折点；尽管英特尔(Intel)藉由Optane系列永久存储器展现发展自家版本的3D Xpoint存储器技术的决心，美光却已转向能缓解数据中心带宽瓶颈的新兴CXL标准。去年秋天英特尔宣布将把NAND闪存业务出售给海力士(SK Hynix)的收益，进一步投入受到数据中心营运商青睐的Optane产品开发；产业观察家指出，英特尔透过将Optane与其服务器系统的整合，有效带来不少补贴。
3D Xpoint非挥发性存储器技术自2015年问世以来，美光的策略是为数据中心提供诸如应用程序容器(applications containers)等云端原生基础架构所需的永久存储器方案；一开始的价值主张是比DRAM更便宜、比NAND闪存速度更快。然而，数据中心快速进展的工作负载改变了相关需求。
美光业务长Sumit Sadana在该公司宣布转向支持CXL规格时指出，随着数据密集型的人工智能(AI)工作负载成企业数据中心主流，CPU与DRAM之间的带宽已经成为限制因素；“需要更多的DRAM以确保每个CPU核心拥有足够的存储器带宽。”
此外Sadana也表示，美光将在转向CXL时，寻求利用3D Xpoint制程与产品技术；“我们将打造与CXL接口共同运作的产品，并具备不同的优化点，与存在于从DRAM到闪存储存阶层结构的性能、成本与功耗的权衡相关。”
而对产业观察者来说，美光放弃3D Xpoint只有时间点令他们惊讶。“他们并没有成功的3D Xpoint产品；”芯片产业分析师Tom Coughlin指出，美光可能会把为3D Xpoint产品开发的相变化存储器制程技术改用于CXL产品。
Coughlin以及其他分析师也表示，数据中心对Optane等永久性存储器的需求仍然存在，而且CXL是专为因应异质存储器架构所设计。分析师并认为，这为英特尔的Optane技术开启了一个机会，基本上该公司目前是“贴钱”卖该系列产品，以冲高销售量并在数据中心拓展存储器密集的大数据应用。
才将NAND闪存业务出售给海力士的“英特尔目前正处于一个有趣的局面，”Coughlin估计，该公司是以DRAM的半价来销售Optane产品，随着DRAM价格上扬，“英特尔是否还有毅力为了冲量而坚持其Optane产品策略？”
编译：Judith Cheng
责编：Yvonne Geng
(参考原文 ：Bandwidth Demand Prompts Micron Transition from 3D Xpoint to CXL，By George Leopold）
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