2021中国IC领袖峰会暨中国IC设计成就奖颁奖典礼在上海隆重举行，武汉新芯采用50nm Floating Gate工艺生产的SPI NOR Flash芯片——XM25QxxxC产品系列斩获2021中国IC设计成就奖之年度最佳存储器奖项。
2021年3月18日，由电子工程领域全球知名的技术媒体机构ASPENCORE举办的“2021中国IC领袖峰会暨中国IC设计成就奖颁奖典礼”在上海隆重举行，武汉新芯采用50nm Floating Gate工艺生产的SPI NOR Flash芯片——XM25QxxxC产品系列斩获2021中国IC设计成就奖之年度最佳存储器奖项。
中国IC设计成就奖近二十年来一路伴随和见证IC产业的成长和发展，是中国半导体业最重要的技术奖项之一，此次殊荣证明了武汉新芯及其自有品牌SPI NOR Flash产品获得了产业链的高度认可和评价。武汉新芯自2017年开始推出自有品牌SPI NOR Flash产品，经过四年的耕耘，武汉新芯品牌的NOR Flash已经打入众多知名消费类品牌供应链，销售额与出货量逐年稳步提升。
“感谢IC设计成就奖主办单位和支持武汉新芯的产业界同仁们，此次获奖体现了武汉新芯50nm Floating Gate工艺和自有品牌SPI NOR Flash产品在业界的领先地位。”武汉新芯COO孙鹏先生表示，“经过四年多的不断研发和创新，武汉新芯推出的XM25QxxxC系列产品在性能、功耗和成本等方面具备明显优势。公司未来将加大研发投入，不断提升产品实力和完善服务体系，全面布局大容量SPI NOR Flash产品线，持续发力于蓬勃发展的IoT和5G市场，为客户带来更多高性价比的产品与解决方案。”
XM25QxxxC系列
荣获2021中国IC设计成就奖之年度最佳存储器奖项
武汉新芯2020年推出SPI NOR Flash芯片XM25QxxxC系列，该系列采用业界先进的Floating Gate 50nm工艺生产，在1.65V至3.6V电压范围内读取速度可达133MHz（在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持）。在电源电压下降后，时钟速度没有任何减慢，其传输速率可以胜过8位和16位并行闪存。在连续读取模式下能实现高效的存储器访问，仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址，从而实现真正的XIP（execute in place）操作。
XM25QxxxC产品系列不仅在电压范围和数据读取方面表现突出，其工作温度也可达到-40℃到105℃的工业级温度范围，能满足物联网、工控、通讯等对外工作环境要求苛刻的应用模块。
该系列产品在channel length, layout, design rule及外围电路方面做了优化，有效节省芯片面积，充分降低综合成本。其中256Mbit大容量宽电压产品die size比市场主流产品缩小15%-20%左右，可支持SOP 8小尺寸封装形式。
2020年武汉新芯在物联网市场表现良好，其中搭配主芯片在IoT模组与无线通讯模块应用出货超过五千万颗，在该领域是出货量最大的国产SPI NOR Flash芯片。
关于武汉新芯
武汉新芯集成电路制造有限公司（“XMC”），于2006年在武汉成立，是一家领先的集成电路研发与制造企业。武汉新芯专注于先进特色工艺开发，重点发展三维堆叠技术3DLink™、特色存储工艺和特色逻辑工艺平台，致力于为全球客户提供高品质的创新产品及技术服务。
武汉新芯拥有2座12寸晶圆厂，每座晶圆厂最大产能可达3万片/月。
欲知更多信息，请访问www.xmcwh.com。
责编：Yvonne Geng
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