近日，日本内存大厂铠侠（Kioxia）联合美国合作伙伴西部数据（Western Digital），开发162层堆栈 NAND Flash，加入了与美国产业竞争对手美光（Micron）和韩国SK海力士（ SK Hynix） 的竞赛。
据《日经新闻》报导，日本内存大厂铠侠（Kioxia）开发162层堆栈 NAND Flash，加入了与美国产业竞争对手美光（Micron）和韩国SK海力士（ SK Hynix） 的竞赛。
根据报导指出，铠侠新的 NAND Flash 内存是与美国合作伙伴西部数据（Western Digital）共同开发，基于BiCS 3D NAND技术的第6代产品，写入数据的速度是铠侠当前顶级产品（112 层堆栈）2 倍以上，裸片（die）缩小了40%。
此外，新产品的单位比特成本也有所降低，虽然两家供应商没有透露具体降低了多少，但称每个晶圆（wafer）制造比特位比第五代BiCs提升70％。
西部数据技术与战略总裁Siva Sivaram列举了第六代产品的特性——可靠性和成本优势。新一代产品引入了“垂直和横向缩放方面的创新，在更小的裸片中以更少层数实现更大的容量”。
与第5代相比，第6代BiCS NAND改善了各种参数：
- 单元阵列密度提高10％；
- 通过4-plane操作，程序性能提高了近2.4倍；
- 读取延迟降低10％；
- IO提高66％；
- 162层的数量比第5代增加了44％。
两家公司并没有说裸片是不是通过字符串堆叠的方式实现的，即两个81层叠加。
铠侠指出，希望能够借助这些产品，满足数据中心和智能手机相关的需求，因 5G 通信兴起，带来更大且更快数据传输，也造成更大容量的内存需求。但原本该领域的竞争已经加剧，包括美光和 SK Hynix 在铠侠之前就宣布开发出 176 层堆栈 NAND Flash，属于业界第一梯队。
此外，英特尔进展到144层，长江存储是128层。随着英特尔卖出NAND部门，英特尔的未来发展将移交给SK海力士。
铠侠的前身是东芝存储器，计划于正进行的国际固态电路大会（ISSCC）上正式宣布推出新款 NAND Flash，并预计最快 2022 年量产。铠侠表示，目前已成功透过新 NAND Flash 每层整合更多存储单元，代表与相同容量的内存相比，可使芯片面积缩小 30% 以上。较小芯片将使智能手机、服务器和其他相关产品架构设计有更大弹性。
为了提高 NAND Flash 的产量，铠侠与西部数据计划 2021 年春季，于日本的四日市开始建设 1 兆日圆（约 94.5 亿美元）新工厂扩产，且预定 2022 年生产第一批产品。目前铠侠在日本北部现有 Kitakami 工厂旁正积极收购土地，预计用于扩大产能。
责编：Luffy Liu
本文综合自日经中文网、Technews、DOIT报道
- The Kioxia design features advanced architecture beyond the conventional eight-stagger memory hole array.
- 补充一点点
单元阵列密度提高10％ 是因为Bics6 采用了新一代的 eight-stagger memory hole array，就是hole与hole更加紧凑了。
您可能感兴趣
