长江存储今年将超车三星、美光？传年中试产192层3D NAND

中国存储器制造大厂长江存储，传出今年产出将倍增，并计划投产先进芯片，杠上三星电子、美光等行业巨头。

日经亚洲评论12 日引述未具名消息人士报导，长江存储计划在2021下半年，将存储器芯片的月产量倍增至10 万片硅晶圆，约占全球产出7%。相较之下，全球最大NAND 型快闪存储器制造商三星的月产出为48 万片硅晶圆，美国最大存储器厂商美光（Micron Technology, Inc.）则月产18 万片硅晶圆。

除了扩产现有芯片，长江存储也打算加快科技发展进程，近期，有消息人士表示，长江存储计划最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。此外，计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍，至10万片晶圆。

当然，消息补充称，由于192层工艺的复杂性，需要时间确保量产芯片质量，这一计划有可能会被推迟到今年下半年。

对于上述消息，长江存储不予置评。

虽然计划可能拖延至2021 下半年，也需要时间确保量产品质，但这项时间表对于中国本土芯片业者而言仍是一大进步。三星、美光仍在努力开发176 层3D NAND，能量产的最先进版则是128 层芯片。如果顺利的话这将是中国公司在存储器领域首次领先三星、美光等国际存储巨头。

长江存储计划中的192 层芯片，定义上确实比三星、美光先进，但市场观察人士依旧抱持谨慎态度，认为应看看长江存储产品的效能、品质能否超越领导业者。

长江存储是在2020 年4 月宣布开发完成，并于同年底量产128 层NAND。消息显示，目前良率约70%，依旧有改善空间。长江存储的客户包括联想集团及华为。

据知名分析机构IC Insights 6 日发表研究报告指出，即使长江存储（YMTC）、长鑫储存（CXMT）努力打造新IC 生产线，到了2025 年，中国还是会有高于50% 的IC 是由外国厂商（如SKHynix、三星、台积电、联电）晶圆代工厂生产。

责编：Yvonne Geng