英特尔反转？中科院FinFET专利被宣告部分无效

可能谁都想不到，一件美国专利的持有者竟是一家国内的科研机构，并且这项专利还广泛用于英特尔酷睿（Core）系列处理器中。

2018年2月，中国科学院微电子研究所（IMECAS）将一纸发明专利侵权诉讼送于北京高院，被告为英特尔、戴尔（中国）有限公司和北京京东世纪信息技术有限公司。微电子所诉称，英特尔酷睿（Core）系列处理器侵犯了其名为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法”的FinFET（Fin Field-Effect Transistor，中文名为鳍式场效应晶体管）专利，要求英特尔停止侵权，赔偿至少2亿元人民币，并承担诉讼费用，同时申请法院下达禁令。

北京市高级人民法院于2018年3月立案，立案同时，英特尔首次向复审委提出FinFET专利无效申请。期间共先后6次在中国和美国对涉诉专利及其美国同族，提起专利无效申请或复审请求，均未得到理想结果。

英特尔前五次提起的专利无效申请或复审请求，第六次在2020年7月提出

近日这件专利侵权案出现了反转。据集微网报道，11月4日，国家知识产权局就201110240931.5发明专利（也就是上文提到的FinFET专利）无效申请案下达无效宣告请求审查决定书，宣告该专利权部分无效。

本次宣告是基于英特尔公司今年7月在国内提交的无效申请，英特尔提交了CN102768957A专利（下称“证据1”）作为证据，要求宣告涉案专利权利要求8、10、14无效。当时《电子工程专辑》也做了跟进报道，但国家知识产权局专利复审委员会只是进行了口头审理，没有公布结果。

国家知识产权局专利复审和无效审理部合议组经审理认为，FinFET专利“权利要求8、10、14相对于证据1不具备专利法第22条第2款规定的新颖性”，因此宣告FinFET专利的权利要求8、10、14无效。

证据1专利信息，申请时间为2011年5月6日（图自：国家知识产权局）

值得一提的是，导致FinFET专利被部分无效的关键证据1，同样是中科院微电子所于2011年申请的专利，该专利申请时间较涉案FinFET专利早3个月。证据1专利发明人栏中的梁某和钟某同样是FinFET专利的主要发明人。

涉案FinFET专利申请时间为2011年8月22日（图自：国家知识产权局）

据公开资料，FinFET 是一种3D晶体管设计，与普通平面晶体管相比，具有电学性能良好、可扩展性强和兼容性较高等优势，备受业界的瞩目。值得注意的是，韩国高级科学技术研究院也曾就 FinFET 相关技术与三星电子引发专利纠纷，最终三星电子败诉并赔偿 4 亿美金而告终。

英特尔从2011 年 22nm 工艺三代 Core 处理器，就开始采用 FinFET 技术，随后台积电才跟进。Core 系列处理器奠定了英特尔消费类PC的霸主之路，现在FinFET 也是全球主流晶圆厂的优先之选。

业界普遍认为， FinFET 技术只能最多应用到 5 纳米工艺，然而前段时间，台积电方面表示，其 3 纳米工艺，也会采用 FinFET 技术，可见 FinFET 技术具备不小的潜力和较高的商业价值。这起专利侵权诉讼可以说波及面非常广。

责编：Luffy Liu