美光诉联电窃密案或以6000万美元罚金和解

2017年，美光科技(Micron Technology，以下简称“美光”)状告台湾联华电子（UMC，以下简称“联电”）、福建晋华（JHICC，以下简称“晋华”）窃取机密一案震惊业界，也一度让当年中国三大存储芯片项目之一的晋华停摆。

10月22日,联电发出重大信息公告，表示针对之前被指控协助福建晋华以窃取美光DRAM生产技术一案，联电已向美国商务部提出此案的建议量刑信函。

加州北部地区法院旧金山分院判决结果显示，联电向美国司法部提出和解解决方案，以期在最短时间内结束本案。联电提出的建议量刑状书包含：请求法院处以轻便的罪名，以及原被告双方协商的罚金美金6000万美元。

在美国，盗窃知识产权和窃取商业机密如果被判事实成立，一般面临的处罚都是最严厉的。《电子工程专辑》曾报道，联电可能最高可能面临200亿美元的罚金，如今降低到目前的6000万美元。对于这个数字，业内人士表示，由于晋华当时并没有生产该项产品，也就不存在损害金额的赔偿，双方协商到按营业秘密刑事案件处理，也算是符合预期。

解决方案尚待法院批准，但据悉目前双方已基本谈妥, 只需要法院走个过场就行。

芯谋研究首席分析师顾文军认为：“这个案子应该是联电和美光的，应该不牵扯：晋华与美光、晋华与美国司法部的官司吧。后面的才更关键和重要。” 因为美光在2017年8月先在中国台湾起诉联电，后来又在美国将晋华和联电绑在一块起诉了，这次中国台湾针对美光联电案的判决，针对晋华的判决还要等美国法院那边的消息。

于此次和解的背景，中国台湾经济研究院的半导体分析师刘佩真指出，晋华集成电路的业务已被迫停止，美国已达到阻止中国DRAM生产的最初目的。而美国现在重新认识到了中国台湾半导体制造技术的重要性，希望加强合作关系，因此有意向台方表达诚意，将事情完美解决。

从分析机构TrendForce汇编的图表可以发现，中国台湾在晶圆代工市场占据超过65%市场份额，而排在龙头台积电（55%）和三星（17%）之后的，就是联电（7%）。即便联电已经决定不再拓展28nm以下新工艺，并且放弃了研发已久的14nm工艺，但他们有7间200mm晶圆代工厂，4间300mm厂，产量还是相当可观的。

分析师认为，市场对功率IC、功率控制器和显示驱动器的需求持续增加，让各大代工厂收到的200mm订单需求不断增长，有产能的工厂就不愁接单。因为这几类芯片主要在200 mm晶圆上生产和制造，这方面联电的7家200mm工厂就是摇钱树。

事件回顾：

2016年，福建晋华与联电签署技术合作协定，委托联电开发DRAM相关技术，开发出的技术成果由双方共同所有。

2017年9月，美光指控其前雇员跳槽至联电前窃取了美光的DRAM商业秘密，并且这些机密已经泄露给联电用以进行32nm DRAM芯片的开发。

2017年12月，美光又在美国加州联邦法院对福建晋华和联电提出控诉，称联电将其被窃取的商业机密和存储芯片的关键技术交付给了福建晋华。

2018年1月19日，福建晋华展开“反击”，在福州市中级人民法院对美光在华销售产品涉嫌侵权提出诉状。

2018年7月3日，福州市中级人民法院裁定美光半导体销售(上海)有限公司立即停止销售、进口十余款Crucical英睿达固态硬盘、内存条及相关芯片，并删除其网站中关于上述产品的宣传广告、 购买链接等信息，同时裁定美光半导体(西安)有限责任公司立即停止制造、销售、进口数款内存产品。

2018年10月30日，美国商务部宣布将福建晋华列入出口管制“实体清单”，自当地时间30日起禁止美国企业向后者出售技术和产品，理由是福建晋华涉及违反美国国家安全利益的行为，给美国带来了严重风险。

2018年11月1日正式起诉福建晋华、联电以及三名中国台湾籍涉案人员陈正坤、何建延和王永铭共谋窃取、传输，以及持有美光的营业秘密和经济间谍罪。三人将面临经济间谍罪最重15年徒刑及500万美元罚款，另外还有窃取营业秘密罪最重10年的徒刑。而涉案的两家公司，美光宣称其被窃取的营业秘密估计约为4亿到87亿美元，因此联电将面临最高逾200亿美元罚款。

2019年1月底，联电退出晋华DRAM项目，晋华停摆。

责编：Luffy Liu