10月21日消息,继今年3月首次公开之后,美光科技今日宣布,已量产业界首款基于低功耗DDR5(LPDDR5)DRAM的通用闪存存储(UFS)多芯片封装产品uMCP5。uMCP5有四种不同的密度配置:128+8GB,128+12GB,256+8GB和256+12GB。
据介绍,美光uMCP5搭载美光LPDDR5内存、高可靠性NAND以及UFS3.1控制器,将高性能、高密度及低功耗的内存和存储集成在一个紧凑的封装中。uMCP5使智能手机能够应对数据密集型5G工作负载,显著提升速度和功效。
与独立版本的LPDDR5和UFS解决方案相比,美光uMCP5多芯片封装可节约55%的印刷电路板空间。同时,与美光此前基于UFS2.1的解决方案相比,美光uMCP5释放了5G性能的全部潜力,持续下载速度可以加快20%、顺序读取性能提高了一倍、写入速度加快了20%;借助LPDDR5,美光uMCP5将内存带宽从3733Mb/秒大幅提高至6400Mb/秒。
美光移动事业单位资深副总裁暨总经理 Raj Talluri 博士指出,“要将5G的潜力从口号转化为现实,需仰赖能够在网络和次世代应用程序中传输大量数据的智能手机。我们的 uMCP5 在单一个封装中结合了最快的内存和储存,就在消费者指尖,为 5G 革命性、资料丰富的技术释放新的可能性。”
此外,美光uMCP5NAND的耐用度提升了约66%,可以允许5000次擦写,与LPDDR4相比,uMCP5功耗降低了近20%,对使用搭载美光uMCP5芯片的智能手机用户而言,手机使用寿命和续航时间均能大幅延长。
尤其值得一提的是,美光uMCP5的出现,使诸如图像识别、高级人工智能(AI)、多摄像头支持、增强现实(AR)和高分辨率显示等此前只在使用独立内存和存储芯片的昂贵旗舰手机上才有的高级功能,未来也能在中高端手机上予以普及。
责编:Yvonne Geng