三星昨日宣布，其位于韩国平泽的第二条生产线已开始量产业界首款采用极紫外光（EUV）技术的16Gb LPDDR5移动DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm级(1z)工艺打造，拥有当下最高的移动产品内置内存性能和最大的容量。
全球DRAM芯片制程技术持续进化。据韩媒报导，韩国半导体巨头三星电子(Samsung Electronics)开出业界第一枪，顺利使用极紫外光(EUV)微影技术来量产第三代10纳米级(1z纳米)LPDDR5 DRAM芯片，有望将DRAM制程向个位数纳米制程推进。
《BusinessKorea》31日报导，三星8月30日宣布，位于韩国平泽市的第二条半导体生产线，率先量产全球最先进的第三代10纳米级LPDDR5 DRAM芯片，拥有业界最高水平的容量和速度。
三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Jung-bae Lee表示，"基于1z的16Gb LPDDR5将行业提升到了一个新的门槛，克服了先进节点下DRAM扩展的主要发展障碍。"
三星平泽2号线占地超过128900平方米，相当于约16个足球场，是迄今为止全球规模最大的半导体生产线。新的平泽生产线将成为业界最先进的半导体技术的主要制造中心，提供最DRAM以及下一代V-NAND和代工解决方案。
新的LPDDR5的速度为每秒6400Mb/s，比目前大多数旗舰移动设备中的12Gb LPDDR5（5500Mb/s）快约16%。当做成16GB封装时，LPDDR5可以在一秒钟内传输约10部5GB大小的全高清电影，或51.2GB的数据。
由于首次商用了1z工艺，LPDDR5封装比上一代产品薄了30%，使得5G和多摄像头智能手机以及可折叠设备能够将更多的功能装进纤薄的设计中。16Gb LPDDR5只需8颗芯片就能构建16GB封装，而基于1y的前代产品则需要12颗芯片（8颗12Gb芯片和4颗8Gb芯片）才能提供同样的容量。
今年2月，三星已使用第二代10纳米级(1y纳米)制程技术量产16GB LPDDR5 DRAM。短短6个月后，该公司便进一步强化高端移动DRAM的产品阵容，并成功导入新一代芯片生产技术。
SK海力士(SK Hynix)为全球第二大DRAM厂，市占率仅次于三星。报导指出，SK海力士正在研发以EUV技术生产第4代10纳米级制程(1a纳米)的DRAM，目标是在2021年实现量产，进度大约较三星落后半年至1年。
根据全球市场研究机构集邦科技(TrendForce)的数据，全球DRAM市场由三星和SK海力士稳居冠亚军，第二季市占率分别达到43.5%、30.1%。
三星最新第三代10纳米级LPDDR5 DRAM芯片，传输速度最高可达6,400MB/s，比目前市面上旗舰级手机所用的12GB LPDDR5行动DRAM(5,500MB/s)快16%。据三星表示，搭载16 GB内存的智能手机，每秒可传送51.2GB的数据，约相当于10部Full HD电影。
据市场研究机构IC Insights 8月20日发表研究报告指出，受新冠肺炎疫情影响，全球主要DRAM制造厂对市场持续保持谨慎态度，今年全球DRAM厂资本支出将比去年大幅衰退，跌幅估计达到20%。
其中，全球DRAM龙头三星电子今年DRAM资本支出预计将下滑21%至49亿美元；SK海力士的DRAM资本支出也将下滑38%，至40亿美元。
责编：Yvonne Geng
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