中科院诉英特尔侵犯FinFET专利一案，再审

谁能想到，被半导体巨头英特尔（Intel）视为“眼中钉”的一件美国专利，持有者竟是一家国内的科研机构——中国科学院微电子研究所（IMECAS）。

7月30日据媒体报道，国家知识产权局专利复审委员会近日口头审理了FinFET发明专利（US9070719）的无效申请。无效申请的请求人是英特尔（中国）有限公司，而专利权人为中国科学院微电子研究所。

在此之前，英特尔已经先后5次在中美两地对涉案专利及其美国同族专利发起无效申请，均以失败告终。本次复审委最新的审查决定尚未发布，不过结果应该没有太多悬念。

2018年，微电子所把英特尔告了

事情开始于2018年2月，微电子所将一纸发明专利侵权诉讼送于北京高院，被告为英特尔、戴尔（中国）有限公司和北京京东世纪信息技术有限公司。微电子所诉称，英特尔酷睿（Core）系列处理器侵犯了其名为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法”的FinFET专利，要求英特尔停止侵权，赔偿至少2亿元人民币，并承担诉讼费用，同时申请法院下达禁令。

北京市高级人民法院于2018年3月立案，立案同时，英特尔首次向复审委提出FinFET专利无效申请。

2018年4月24日，北京高院开庭审理了一次，审判日期尚未确定。在此期间，英特尔为应对诉讼做了大量工作。当年9月，复审委组织口审。

2019年1月31日，国家知识产权局专利复审委员会针对英特尔的无效请求宣告：维持微电子所涉案专利的全部专利权有效。中科院微电子所官网在其官网“专利及产业化”栏目中称，这标志着在世界集成电路最先进的芯片制造领域，我国第一次向国际半导体龙头企业发起的专利维权诉讼取得了重大阶段性胜利，表明微电子所在集成电路制造最先进技术领域布局的专利质量，经得起堪称在技术和法律上世界最强的公司的真枪实弹的挑战。

2019年3月，世界著名法律媒体iam-media在诉讼专题首页重点报道了此案进展和意义。随即，英特尔第二次向复审委提交FinFET专利无效申请。此次无效审查仍在进行中，已经过口审，审查决定尚未发布。

实打实的专利质量

诞生于1958年的微电子所， 拥有两个主要实验室，九个研发中心，700多名研究人员。微电子所研究方向主要包括集成电路、高可靠器件与电路、物联网等，并围绕上述领域提交中国专利申请5000多件，且提交了500多件外国专利申请。除此之外，为了将专利资产转化为经济效益，该所还设立了专利运营服务机构——中科知识产权管理服务有限公司，其业务包括了专利许可、转让、质押融资、诉讼等。

据中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心资料显示，该中心共申请发明专利1475项（含国外发明专利申请389项），其中已获授权932项发明专利（含国外授权发明专利333项）。这些专利涵盖了集成电路制造先进技术代的主要技术领域，例如鳍式场效应晶体管（FinFET）、高k金属栅（HKMG）、源漏工艺等。

据公开资料，FinFET 是一种晶体管设计，与普通平面晶体管相比，具有电学性能良好、可扩展性强和兼容性较高等优势，备受业界的瞩目。值得注意的是，韩国高级科学技术研究院也曾就 FinFET 相关技术与 Samsung 引发专利纠纷，最终 Samsung 败诉并赔偿 4 亿美金而告终。由此可见，FinFET 相关技术具有较高的商业价值。

中科院微电子研究所为证明自家 FinFET 专利组合，在专利质量和专利数量的综合能力上具有了与世界主要半导体企业同等的地位，还援引了外国专利咨询公司LexInnova 在 2015 年进行的 FinFET 领域专利调查研究，研究表明，微电子所在该领域的专利申请数量不仅排名第 11 位，而且专利申请质量还被评估为全球第一。

（图自LexInnova）

FinFET是目前主流工艺

而英特尔这边，从2011 年 22nm 工艺三代 Core 处理器开始采用 FinFET 技术，现在FinFET 已是全球主流晶圆厂的不二之选。微电子所在专利侵权诉讼中亦有提及三代Core 系列处理器。Core 系列处理器曾奠定了英特尔消费类PC的霸主之路，此次诉未知波及的Core 系列产品可能所涉颇广。

知识产权专利研究人员分析了英特尔侵权的原因，认为主要有两点：从实现FinFET设计方法的角度来看，只要是先在栅极线外侧形成了侧墙之后，再切断 ( 电学隔离 ) 栅极线，都会落入微电子所 FinFET 专利保护范围；从结构角度来看，微电子所 FinFET 专利保护范围包括在同一直线延伸的栅电极两侧，具有侧墙且侧墙未将栅电极的隔离端包围的 FinFET 设计。

不过，英特尔在 FinFET 技术的应用上却是最早的，其 2011 年的 22 纳米工艺，就已经开始使用该技术，随后台积电等才跟进。业界普遍认为， FinFET 技术只能最多应用到 5 纳米工艺，然而前段时间，台积电方面表示，其 3 纳米工艺，也会采用 FinFET 技术，可见 FinFET 技术具备不小的潜力。而下一代技术则是 GAAFET，三星已经宣布采用。

多次提出无效申请，多次被否决

2018年9月和2019年3月，英特尔曾先后两次向美国专利商标局提交申请，申请FinFET专利的美国同族专利9070719（719专利）无效。USPTO分别于2019年3月和9月驳回英特尔申请。

英特尔不接受此结果，分别于2019年4月和11月，向USPTO及其POP提交复审请和请愿书，质疑USPTO的审查决定。2020年1月，USPTO驳回英特尔对2019年4月提出的复审请求。6月，美国专利审判和上诉委员会（PTAB）驳回英特尔重审请求。

既然涉案专利组合无论在中国还是美国，英特尔都没能够无效掉，说明其稳定性确实很高，英特尔在与微电子所的专利诉讼中已没有多少胜算，一再对同一专利提出无效申请有些拖时间的嫌疑。

对于本次诉讼，英特尔官方对《电子工程专辑》表示：“我们不对正在进行中的诉讼细节作评论。我们要强调的是，英特尔会为我们的产品和客户辩护；但该诉讼尚未判决且指控未经证实，尚未存在既定的偿付责任，我们也未曾因此支付过任何赔偿。 英特尔是半导体制造和研发领域的世界领导者，也是第一家基于自己的技术研发将14纳米 FinFET 产品推向市场的公司。英特尔在全球和中国均拥有卓越的FinFET 技术、半导体封装和半导体制造技术领域的专利组合，这体现了我们的领导地位。 英特尔扎根中国35年，拥有超过10000名员工，这让我们引以为荣，我们将继续与中国客户携手同行、远行。我们期待本次争议得到友好、公平地解决。”

责编：Luffy Liu