台积电2nm研发取得重大突破，将导入GAA技术

据台湾媒体报道，台积电冲刺先进制程，在2nm研发有重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术(gate-all-around，简称GAA)技术。

台媒称，三星已决定在3nm率先导入GAA技术，并宣称要到2030年超过台积电，取得全球逻辑芯片代工龙头地位，台积电研发大军一刻也不敢松懈，积极投入2nm研发，并获得技术重大突破，成功找到切入GAA路径。

报导指出，虽然台积电自 2019 年公布，将以数百人的研发团队正式投入 2 纳米的技术研发以来，至今没有公布 2 纳米制程节点会选择沿用 FinFET 技术，或者是改用 GAA 技术。

不过，根据相关供应链表示，因为 FinFET 技术将自 3 纳米以下会面临技术瓶颈，因此台积电才会在 2 纳米选择采用 GAA 的技术。

另外，因为竞争对手三星已经宣布自 3 纳米的制程节点开始，就采用 GAA 的技术，台积电的时程显然落后三星，不过市场人士指出，就之前台积电也较三星晚采用极紫外光刻设备，但在制程良率上仍领先三星的情况下，台积电采取稳扎稳打的务实性做法，于 2 纳米才采用 GAA 技术而落三星一个世代，预计还是能持续维持其优势的地位。

报导进一步指出，这次台积电能在 2 纳米制程节点上有所突破，归功于台积电挽留了 3 年前即要退休的台积电最资深副总经理罗唯仁。在他带领的团队为制程技术研发进行了突破，才有了当前的成果。为此，罗唯仁还为团队举行了庆功宴，感谢研发工程师全心投入。

而根据日前台积电的公告，预计 2021 年动工，将于美国亚利桑那州设置的 12 吋厂将以 5 纳米制程为主，并将于 2024 年投产，月产能达到 2 万片的产能。

而这时间点对照目前台积电先进制程的发展计划，届时台积电在台湾部分已经 2 纳米进入投产阶段，使得整体美国厂的完工，届时将对台积电在台湾的先进制程订单不会有所影响。

台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产，业界以此推断，台积电2nm推出时间将在2023年到2024年间。

此外，日前也外传，竞争对手三星也宣布将放弃 4 纳米的制程，直接投入 3 纳米制程与台积电面对面竞争。市场人士也表示，就台积电一旦真的如其在 2023 年到 2024 年间量产 GAA 技术的 2 纳米制程，则三星想在 3 纳米制程弯道超车的状况，将会难上加难。

责编：Yvonne Geng