6月23日消息 据韩国媒体ETNEWS报道，三星电子计划新建一家大型半导体工厂。鉴于面积比上一个增加了 50% 以上，因此，它采用"综合半导体工厂"的形式，同时生产 DRAM、NAND 闪存和其他器件，并有望引入最新的工艺技术。据悉，"P3"计划于今年9月在平泽动工，于2021年完成。
6月23日消息 据韩国媒体ETNEWS报道，三星电子计划新建一家大型半导体工厂。鉴于面积比上一个增加了 50% 以上，因此，它采用"综合半导体工厂"的形式，同时生产 DRAM、NAND 闪存和其他器件，并有望引入最新的工艺技术。据悉，"P3"计划于今年9月在平泽动工，于2021年完成。
报道指出，三星电子在平泽设有名为“ P1”和“ P2”的半导体工厂。P2是新工厂，已于去年竣工，并且已经配备完毕。即使晶圆厂有足够的产能，但三星新工厂的开始建设也被认为是三星对半导体产业投资的重视，以及他们不想错过半导体市场任何增长机会的决心。
回看三星在平泽的工厂布局，2017年，三星在韩国平泽的一期工厂（一栋两层的大楼）开始在一楼进行64层NAND的生产，到了2018年，公司二楼增设了DRAM产线。一楼和二楼每月wafer产能分别为10万片和20万片，月总产能约30万片。
同年，三星已经确认会在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂，用于扩大DRAM、NAND Flash存储器的产能，总投资额约30万亿韩元，也就是后来被称为P2 的工厂，该工厂产能规模与一期相当。
关于P3工厂，据报道，这是一个制造规模大于三星电子P2的工厂。P2的长度为400m，但据说P3可以达到700m，700m是一个历史最大的工厂，大约是足球场长度的7倍。P3预计将于明年8月左右建设完成，并且该设备投入运营后，量产将从2021年底开始。
三星并没有透露在这个新工厂的具体的设施投资计划，包括将在P3上生产多少半导体这样的信息。但其实这是他们对市场做出灵活反应的政策。
但报道认为，鉴于晶圆厂的规模比以前增加了50％以上，预计它将采取“总半导体工厂”的经营形式，该工厂同时生产DRAM，NAND闪存和系统半导体，并采用最新工艺。据报道，P3工厂还将成为未来制造工艺首次亮相的地方，然后这些工艺才能被三星的其他制造工厂采用。
报道称，三星电子的目标是在2030年成为非内存半导体市场的领头者。
责编：Yvonne Geng
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