国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND Flash芯片工厂。6月20日，二期(土建)在武汉东湖高新区未来科技城开工……
6月20日，由长江存储实施的国家存储器基地项目二期(土建)在武汉东湖高新区未来科技城开工。据悉，一期二期整个项目投资高达240亿美元，约合1697亿元。
（图自：湖北新闻）
国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND Flash芯片工厂。
该项目一期于2016年12月30日开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产；2020年4月成功研制出全球首款128层QLC 3D NAND Flash芯片X2-6070，并在多家控制器厂商 SSD 等终端存储产品上通过验证。按照长江存储的说法，X2-6070的独特之处在于，它拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
据介绍，一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能，二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。
在国家存储器基地项目二期开工仪式上，湖北省省长王晓东表示，国家存储器基地项目二期开工，是落实中央支持湖北一揽子政策的具体行动，也是强化湖北疫后重振重大项目支撑的有力举措，必将加快形成湖北创新发展的“产业航母”，为拓展壮大“光芯屏端网”产业链注入强劲动力。
王晓东说，湖北虽然遭受疫情前所未有的冲击，但经济长期向好的基本面没有改变，多年积累的综合优势没有改变，在国家和区域发展中的重要地位没有改变。湖北、武汉各级各部门将全力以赴为项目创造最好条件、提供最好服务，有呼必应、无事不扰，在项目推进、要素保障、配套服务等方面当好贴心“店小二”，把项目打造成湖北高质量发展的样板工程、标杆工程，展现湖北一流的营商环境，汇聚更强的发展预期和信心。
湖北省省长王晓东（图自：湖北新闻）
紫光集团董事长、长江存储董事长赵伟国表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。雄关漫道真如铁，而今迈步从头越。我们要增强责任感、紧迫感，知难而进、迎难而上，为集成电路产业发展、为湖北经济社会高质量发展作出新的更大贡献。
紫光集团董事长、长江存储董事长赵伟国（图自：湖北新闻）
6月17日，湖北省委书记应勇和湖北省委副书记、省长王晓东与赵伟国曾座谈交流。应勇指出，国家存储器基地项目是湖北、武汉的重大战略项目，技术领先、前景广阔，希望紫光集团立足武汉、深耕湖北，在保持技术研发领先优势的同时，加强市场开拓，扩大产能规模，推动项目一期尽早达产和项目二期加快建设。
湖北省省委书记应勇（图自：湖北新闻）
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