6月16日晚间，三安光电发布公告称，公司拟在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司，投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，投资总额160亿元。
6月16日晚间，三安光电发布公告称，公司拟在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司，投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，投资总额160亿元。公司表示，将在两年内完成一期项目建设并实现投产，四年内完成二期项目建设并实现投产，六年内实现达产。
据介绍，三安光电第三代半导体产业园项目用地面积约1000亩，将包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。
三安光电与长沙高新技术产业开发区管委会于6月15日签署《项目投资建设合同》。具体开发建设产品内容方面，三安光电表示，主要研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiCMOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET，不过最终以甲方认可的乙方项目实施主体可研报告为准。
三安光电表示，第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求，现处于发展阶段。本次投资项目符合国家产业政策规划，符合公司产业发展方向和发展战略，有利于提升公司行业地位及核心竞争力。
同时，公司提醒，该项目能否获得当地环保部门审批通过、依法招拍挂取得项目用地及按照合同约定的内容按期执行尚存在不确定性，合同的履行存在受不可抗力影响造成的风险。
公开资料显示，三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售。公司致力于化合物半导体集成电路业务的发展，努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。
三安光电起家于LED，但很早就在着手布局集成电路领域。根据天眼查显示，公司全资控股公司三安集成，成立于2014年5月26日，是国内化合物半导体代工龙头，业务涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域，已取得国内重要客户的合格供应商认证，各个板块已全面开展合作。
2019年三安集成实现营业收入2.41亿元，同比增长40.67%；2020第一季度实现收入1.66亿元。
根据国盛证券统计，2019年，三安集成砷化镓出货客户累计超过90家；氮化镓产品重要客户实现批量生产，产能爬坡；电力电子客户累计超过60家；光通讯向高附加值产品突破；滤波器产品有望在2020年实现销售。
数据显示，大基金一期持有三安光电股份4.61亿股，约占公司总股本的11.30%。三安光电6月12日公告称，大基金一期计划公告日起15个交易日后的6个月内，减持股份数量不超过公司股份总数2%，即8157万股。以三安光电6月16日收盘价23.6元算，大基金一期套现总金额最高可达18.43亿元。
责编：Yvonne Geng
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