国内领先的信号链芯片及其解决方案提供商苏州纳芯微电子股份有限公司（以下简称“纳芯微”）宣布推出国内首款高压隔离半桥驱动芯片NSi6602，该芯片集高隔离耐压、高可靠性、高集成度、低延时、灵活封装配置等特性于一体，可应用在5G基站、数据中心、充电桩等新基建重点发展领域。
国内领先的信号链芯片及其解决方案提供商苏州纳芯微电子股份有限公司（以下简称“纳芯微”）宣布推出国内首款高压隔离半桥驱动芯片NSi6602，该芯片集高隔离耐压、高可靠性、高集成度、低延时、灵活封装配置等特性于一体，可应用在5G基站、数据中心、充电桩等新基建重点发展领域。
作为一款隔离式双通道栅极驱动器，NSi6602具有优异的抗干扰能力，其抗共模瞬态干扰度（CMTI）可达150kV/us，可有效保证系统在各种恶劣环境下正常运行。NSi6602的典型传输延时值为19ns，高边、低边栅极驱动器之间最大传输延迟匹配5ns，最大脉宽失真6ns，有助于减小功率管的死区时间，进而提高系统效率。通过更小的封装尺寸、更强大的功能设计，NSi6602打破了传统非隔离式栅极驱动器普遍存在的工作电压上限低、传播延迟长、灵活性差等局限性，从而带来更高的功率密度，帮助系统更快速、更稳健地运行。
NSi6602性能特点：
- 隔离式双通道栅极驱动器
- 5kV RMS隔离耐压
- 输入侧供电电压：2.7V至5.5V
- 驱动端供电电压：最高可达25V
- 4A驱动电流和6A吸收电流
- 最高150KV/us抗共模瞬态干扰度
- 19ns典型传播延迟
- 5ns最大传输延迟匹配
- 6ns最大脉冲宽度失真
- 可编程死区时间
- AEC-Q100认证
- 过流、过温保护机制
- 工作温度范围：-40℃~125℃
顺应拓展5G应用、建设充电桩、推广新能源汽车等新基建浪潮，NSi6602可应用于5G 通信电源中PSU、二次电源、电源砖等领域，同时在数据中心、充电桩及车载电源等能源密集型场景中也有着广泛的应用前景，为新基建的多种应用提供强大的安全保障。
图：NSi6602功能框图
NSi6602提供丰富的封装组合，包括LGA13、SOW14、SOW16、SOP16等，均通过UL1577及VDE安规认证，可应用于各类中大功率开关电源系统，给予客户更多个性化选择。其中，SOW16及SOW14两种封装形式已通过AEC-Q100认证，将有助于新能源汽车车载电源的国产化进程加速。
样品申请与产品咨询
请发邮件至sales@novosns.com 索取更多关于NSi6602高压隔离半桥驱动芯片的详细信息。
责编：Yvonne Geng
(本文由纳芯微供稿，电子工程专辑对文中陈述、观点保持中立)
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