兆易创新获Rambus多项RRAM技术专利授权

5月12日，兆易创新GigaDevice宣布与Rambus Inc. 就RRAM (电阻式随机存取存储器，也可写作ReRAM) 技术签署专利授权协议。同时，兆易创新还与其同Rambus 以及几家战略投资伙伴的合资企业——合肥睿科微（Reliance Memory）签署了授权协议 。

根据协议内容，兆易创新从Rambus和睿科微获得180多项RRAM技术相关专利和应用，这将有助于兆易创新在新型存储器RRAM 领域的前瞻性技术布局，从而为嵌入式产品提供更丰富的存储解决方案。

RRAM是什么？

RRAM是一种新型电脑存储器，它基于一种新的半导体材料，依赖于温度和电压来存储数据。虽然它被证明比当前技术更快，更节能，但是RRAM的工作原理仍然是一个谜。现在，一个斯坦福团队使用了全新工具来研究RRAM，发现其最佳工作温度范围远低于此前预期，为更高效的内存铺平了道路。

RRAM工作的基本原理：在自然状态下，RRAM材料是绝缘体，阻止电子流动，但是用电场将它们打开，为电子 打开一个路径，让电子流动，这两个状态之间交替可以形成二进制代码的基础：即绝缘状态表示0，而通过电子的状态代表1。

RRAM及其制造的半导体允许芯片堆叠在彼此之上，使得存储器和逻辑组件以不能复制的方式靠近在一起。这些3D“高层”芯片可以解决大数据处理延迟，同时延长未来移动设备的电池寿命，提供更快，更高能效的解决方案。但是RRAM材料需要多少温度才会导致开关目前还是未知因素。由于没有办法测量由电力产生的热量，研究人员使用微热级的热板状装置加热RRAM芯片。通过监测电子何时开始流过RRAM材料，团队能够测量材料形成导电通路所需的温度，并惊喜地发现其最佳工作温度范围在80°F和260°F（26.7和126.7℃）之间，远低于此前估计的1160°F（626.7℃）。因此，未来的RRAM器件将需要更少的电力来产生这些温度，使得它们更节能。

RRAM拥有独特物理与器件特性，可在工艺后端线(BEOL) 以列阵结构制造，其列阵结构的低电压特性能够有效降低MCU产品中嵌入式非易失性存储解决方案的功耗，非常适合物联网应用；此外，根据学术界与行业发表的相关文献，在平衡性能、可靠性及成本的方面，RRAM有可能成为在DRAM和Flash之间一种可行的存储级内存（SCM）。 

有望占据DRAM和Flash中间地带

RRAM作为一种非易失性随机存储方式，能够在改变电压的前提下，通过改变电介质的电阻进行存储。 RRAM拥有独特物理与器件特性，可在工艺后端线(BEOL) 以列阵结构制造，其列阵结构的低电压特性能够有效降低MCU产品中嵌入式非易失性存储解决方案的功耗，非常适合物联网应用; 此外，根据学术界与行业发表的相关文献，在平衡性能、可靠性及成本的方面，RRAM有可能成为在DRAM和Flash之间一种可行的存储级内存（SCM）。

在《电子工程专辑》2020年3月刊的存储器专题中，我们采访了兆易创新Flash BU资深产品市场总监陈晖，他表示：“ReRAM具有低功耗，高密度的特点。通过利用欧姆定律和基尔霍夫定律，可以在ReRAM阵列内完成矩阵乘法，无需将权重移入或移出芯片，而多级单元架构有望将存储密度提到一个新的水平。目前，业界均将ReRAM视作未来内存计算架构的首选产品，在这一架构中，计算元件将集成到存储器阵列中，协助克服与AI计算相关的数据传输瓶颈。”

兆易创新不满足只做NOR

早在2017年，兆易创新就与合肥市产业投资控股(集团)有限公司签署了《关于存储器研发项目之合作协议》，约定双方合作开展19nm制程工艺存储器 (含DRAM等)的研发项目，预算约为180亿元，这标志着兆易创新开始涉足DRAM领域。

2018年5月，兆易创新携手Rambus创办了以RRAM技术为核心业务的合资公司合肥睿科微(Reliance Memory)。根据天眼差，这一合作中中资占据主导地位，公司总注册资本为3423万美元，中方资金主要由清控领投，此外还包括合肥高新产业投资有限公司、中投中财、华山资本及兆易创新等。

Rambus创立于1990年，创始人是毕业于伊利诺斯大学的Mike Farmwald博士和毕业于斯坦福大学的Mark Horowitz博士。虽然近年一直专利诉讼缠身，甚至一度考虑对外出售，但其在高端存储产品领域一直有着巨大的优势。在PC时代，Rambus就凭借DDR、SDRAM技术在芯片行业占据垄断地位，通过投入研发，积累了2500项专利。Rambus还与不少的电脑内存片制造巨头打过官司，大都陆续达成授权和解。

该公司在2015年开始重组，自那之后该公司将业务扩展至芯片设计以外领域，授权公司出售自己品牌及由供应商生产的授权芯片。

兆易创新董事长朱一明先生表示：“兆易创新一直以创新为己任，多年来致力新技术革新，强化产品竞争力，重视核心专利， 此次获得Rambus和睿科微针对RRAM技术的授权，有助于我们为客户提供更具创新特色的存储解决方案。”

Rambus技术合作和企业发展高级副总裁Kit Rodgers表示：“兆易创新在全球闪存领域已取得显著的成绩，我们很高兴能够将RRAM专利方案授权给兆易创新，此次授权能够帮助其在存储器领域开发创新型的解决方案，并加速其商用的进程。”

目前除兆易创新外，Crossbar、铠侠、索尼、松下、美光、海力士、富士通等厂商都在开展ReRAM的研究和生产工作。在制造方面，中芯国际(SMIC)、台积电和联电(UMC)都已经将ReRAM纳入自己未来的发展线路图中。

Rambus的授权，长鑫和兆易能互用吗？

不久前我们还报道了合肥长鑫获得Rambus动态随机存取存储（DRAM）技术专利的实施许可的新闻，巧合的是，兆易创新的董事长朱一明，同时也是长鑫存储董事长兼首席执行官。

由于之前兆易创新也宣布要做DRAM，令不少人猜测——兆易创新和长鑫存储之间是否存在股权关系？他们获得的存储器专利授权，是不是可以互用？

从天眼查数据来看，合肥长鑫成立于2016年6月13日，合肥产投持有其99.75%的股份，合肥产投新兴战略产业发展合伙企业（有限合伙）持股0.25%。

2017年11月16日，合肥长鑫与合肥锐捷聚成投资中心（有限合伙）共同成立了长鑫存储，兆易创新董事长、实控人朱一明担任长鑫存储董事长一职。此外，长鑫存储总经理赵纶曾是大唐微电子总经理。

合肥长鑫与兆易创新之间，除了高管团队重合之外，并不存在明显的股权结构关系，也正如2019年兆易创新公告中所说的，两家公司属于独立运营，因此从Rambus获得的技术专利应该也不能互用。

责编：Luffy Liu，Yvonne Geng