日前长鑫存储已与美国半导体公司Rambus Inc.（蓝铂世）签署专利许可协议。依据此协议，长鑫存储从蓝铂世获得大量动态随机存取存储（DRAM）技术专利的实施许可。
4月27日，长鑫存储微信公众号发布消息称，日前长鑫存储技术有限公司（以下简称“长鑫存储”）已与美国半导体公司Rambus Inc.（以下简称“蓝铂世”）签署专利许可协议。依据此协议，长鑫存储从蓝铂世获得大量动态随机存取存储（以下简称“DRAM”）技术专利的实施许可。
长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示：“与蓝铂世达成的协议再次表明，长鑫存储高度重视知识产权相关的国际规则，持续强化知识产权组合。公司致力于通过自主研发与国际合作，不断增加在半导体核心技术和高价值知识产权方面的积累，并以此为基础实现可持续发展，稳步提升市场竞争力。”
蓝铂世总裁兼首席执行官Luc Seraphin表示：“在中国 DRAM 市场投资显著增长的背景下，长鑫存储脱颖而出，成为中国 DRAM 产业的引领者。我们高兴地看到长鑫存储走上 DRAM 产业的国际舞台。这份长期协议的签署为长鑫存储的业务发展提供权益保障，同时认可了蓝铂世广泛的存储技术专利组合的重要价值。”
根据双方达成的一致，此协议中的其它详细信息不予披露。
2019年12月5日，《电子工程专辑》曾报道，长鑫存储与 WiLAN 全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议。 依据专利许可协议，长鑫存储从 Polaris 获得大量 DRAM 技术专利的实施许可。这些专利来自 Polaris 于2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。
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