台积电市占率52%，首次提2纳米进度

日前，台积电上传了其2019年股东会年报，披露了去年更多详细的运营信息。

客户多，出货多

台积电披露，去年为499个客户生产10761种不同的芯片，应用范围包括整个电子应用产业，包括个人电脑与其周边产品、资讯应用产品、有线与无线通讯系统产品、伺服器与数据中心、汽车与工业用设备以及包括数字电视、游戏机、数码相机等消费性电子、物联网及可穿戴设备，与其他许多产品与应用。依据产品平台来区分，智能手机占台积公司总体营收的49%、高效能运算占30%、物联网占8%、车用电子占4%。此外，消费性电子产品占5%、其他产品占4%。

台积电表示，终端电子产品的快速演进，将促使客户采用台积电公司创新的技术与服务以追求差异化，同时也会更促进台积电公司自身的技术发展。

台积电2019年晶圆出货量达1,010万片12寸晶圆约当量，上年为1,080万片12寸晶圆约当量。其中先进工艺技术（16纳米及以下更先进工艺）的销售金额占整体晶圆销售金额的50%，高于上一年的41%。

工艺多，还先进

报告中称台积电提供272种不同的工艺技术，首先来看一下逻辑工艺。

台积电表示，2019年7纳米FinFET（N7）家族，包括N7及7纳米FinFET强效版（N7+）工艺技术的营收占全年晶圆销售金额的27%。N7技术是台积公司量产速度最快的技术之一，并同时针对行动运算应用及高效能操作数件提供优化的制程。总计截至2019年底共接获超过100个客户产品投片，涵盖相当广泛的应用，包含行动装置、游戏机、人工智能、中央处理器、图形处理器，以及网络连接装置等。此外，N7+技术于2019年开始量产，协助客户产品大量进入市场。N7+技术是全球集成电路制造服务领域首个应用极紫外光于商业运转的技术。此一技术的成功，除了证明台积公司领先全球的EUV技术量产能力，也为6纳米和更先进技术奠定良好基础。

6纳米FinFET（N6）技术于2019年成功完成产品良率验证。由于N6技术采用极紫外光（ExtremeUltraviolet, EUV）微影技术，能够减少光罩数量，因此，如果与N7技术生产相同产品相较，采用N6技术生产可以获得更高的良率，并缩短产品生产周期。此外，与N7技术相较，N6技术的逻辑晶体管密度提高约 18％，加上因光罩总数减少而获得较高良率，能够协助客户在一片晶圆上，获得更多可用的晶粒。

另外，N6技术的设计法则与N7技术兼容，亦可大幅缩短客户产品设计周期和上市的时间。N6技术于2020年第一季开始试产，并预计于2020年底前进入量产。

虽然半导体产业逼近硅晶物理极限，台积电5纳米鳍式场效电晶体制程（Fin Field-Effect Transistor, FinFET）（N5）仍遵循摩尔定律，将在上半年量产。相较于N7，采用极紫外光(EUV)技术的5纳米工艺能够显著提高速度约15%，或者功耗降低约 30%，在此前提下提供更好效能。

5纳米FinFET强效版（N5P）技术为N5技术的效能强化版技术，并采用相同的设计准则。相较于 N7技术，N5P技术速度增快约20%，或功耗降低约40%。N5P技术的设计套件预计于2019年第二季进行下一阶段 N5 技术更新时推出。

相较5纳米工艺，3纳米将是另一全节点提升的工艺，并将于推出时提供业界最佳的功耗/效能/面积（PPA）的工艺技术。大幅提升芯片密度及降低功耗，并维持相同芯片效能，今年研发着重于基础工艺制定、良率提升、晶体管及导线效能改善，及可靠性评估，将持续进行3纳米工艺技术全面开发。

年报还首度提到2纳米工艺技术进展：“当公司采用三维晶体管第六代技术平台开发3纳米技术时，也已开始进行2纳米制程技术研发，针对2纳米以下技术进行探索性研究。”

当然上述只是先进工艺的一部分，其他12、16、22、40以及55纳米各类逻辑工艺，以及针对汽车电子、射频、存储器、硅基发光二极管和第三代宽禁带半导体的特殊工艺上，也有不少绝活。

先进封装技术上，有针对移动设备7纳米SoC和DRAM的整合型扇出层叠封装技术（Integrated Fan-Out Packageon-Package, InFO-PoP）；针对高效能计算，能够在尺寸达二倍光罩大小的硅基板（Silicon Interposer）上异质整合多颗7纳米SoC与第二代高频宽存储器（HBM2）的CoWoS技术；能整合多颗7纳米单芯片的整合型扇出暨封装基板（InFO_oS）技术；针对先进移动设备及高效能计算，用于5纳米晶圆覆晶封装的细小间距阵列铜凸块（Cu bump）技术；针对物联网及高端智能手机产品，适用于物联网应用的16纳米工艺晶圆级封装（WLCSP）技术等等。

以上封装技术均在2019年成功通过验证并进入市场。如果对上述工艺和封装技术感兴趣的，可以在本文末点击下载台积电2019年年报完整版查阅详细细节。

极紫外光进展

微影技术方面，台积电去年研发重点在5纳米技术转移、3纳米技术开发与2纳米以下技术开发的先期准备。5纳米技术已顺利移转，研发单位与晶圆厂合作排除极紫外光微影量产问题。

针对3纳米技术开发，EUV微影技术展现优异光学能力，与符合预期的芯片良率，研发单位正致力于极紫外光技术，以减少曝光机光罩缺陷及工艺堆叠误差，并降低整体成本。台积电表示，今年在2纳米及更先进工艺上，将着重于改善极紫外光技术的品质与成本。

台积电表示，去年极紫外光专案在光源功率及稳定度上，有持续性进展，光源功率稳定与改善，得以加快先进技术学习速度与制程开发。此外，极紫外光光阻制程、光罩保护膜及相关光罩基板，也都展现显著进步，极紫外光技术正逐步迈向全面生产制造就绪。

摩尔定律规定每2年半导体运算能力增加1倍，但这项技术挑战日益困难，即便是台积电、英特尔这样的企业。

2019年台积电在半导体制造领域市场占有率达52%，高于2018年的51%，总体营收以地区划分（主要依据客户营运总部所在地），来自北美市场的营收占台积公司总体营收的60%、日本与中国大陆以外的亚太市场占9%、中国大陆市场占20%、欧洲、中东及非洲市场占6%、日本市场占5%。

赚的多，发的多

值得一提的是，年报中还提及了台积电高管的薪酬，其中董事长刘德音与总裁魏哲家去年酬金同领2.93亿元（新台币，单位下同），占台积电税后纯益比重约 0.085%，高于前年的 0.0674%。

具体而言，刘德音去年包括报酬、提拨退职退休金、董事酬劳、业务执行费用，董事酬金共达2.93亿元；魏哲家虽未领取董事酬金，但包括薪资、提拨退职退休金、奖金、特支费、员工酬劳等，同样获得了与刘德音相同的酬金。

此外，台积电去年包括魏哲家及其他副总经理共25人，共获得约15.45亿元酬金，占台积电及转投资事业税后纯益0.4477%，高于前年的 0.4379%，这主要得益于台积电去年盈利再创新高。

根据年报，台积公司及其子公司所拥有及管理的年产能超过一千二百万片十二吋晶圆约当量。台积公司在台湾设有三座十二吋超大晶圆厂（GIGAFAB Facilities）、四座八吋晶圆厂和一座六吋晶圆厂，并拥有一家百分之百持有之海外子公司—台积电（南京）有限公司之十二吋晶圆厂及两家百分之百持有之海外子公司—WaferTech 美国子公司、台积电（中国）有限公司之八吋晶圆厂产能支援。

台积公司在北美、欧洲、日本、中国大陆，以及南韩等地均设有子公司或办事处，提供全球客户实时的业务与技术服务。至2019年年底，台积公司及其子公司员工总数超过51000人。

台积电2019年年报下载地址：

https://www.tsmc.com/download/ir/annualReports/2019/english/pdf/e_all.pdf

责编：Luffy Liu

本文综合自台积电年报、cnBeta、钜亨网报道