据外媒报道称，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已经完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技术开发，而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。
据外媒报道称，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已经完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技术开发，而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。
报道指出，eMRAM这种综合了RAM内存、NAND闪存的新型非易失性存储介质断电后不会丢失数据，写入速度则数千倍于闪存，可以兼做内存和硬盘，甚至统一两者。同时很关键的是，它对制造工艺要求低，良品率也高得多，可以更好地控制成本，成品价格自然不会太离谱。
报道进一步指出，当前在市场上除了格芯外，另外还有包括英特尔、IBM、TDK、三星、希捷(SEAGATE) 等科技大企业多年来也一直都进行着eMRAM的研究。对此，格芯表示，使用其22FDX制程技术所生产的eMRAM测试芯片已经完成，在错误检查与纠正(Error Correcting Code;ECC) 的测试下，自-40°C到125°C的工作温度间，具有10万个周期的耐久性和10年的数据保持能力。
此外，GlobalFoundries的eMRAM测试产品还可以通过标准可靠性测试，包括LTOL（168小时）、HTOL（500小时）和5x焊料回流，故障率<1ppm，而生产中的的磁抗扰性问题也得到了有效解决。
责编：Yvonne Geng
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