第三代HBM2E显存标准公布，三星抢到首发

2月5日消息 日前，三星正式宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2（HBM2E）存储芯片。

HBM2E堆叠了八个16Gb DRAM芯片，以实现16GB的封装容量，并确保3.2Gbps的稳定数据传输速度。三星电子宣布，其第三代高带宽存储器2E（HBM2E）进入市场“ Flashbolt”。新型16 GB（GB）HBM2E特别适用于最大化高性能计算（HPC）系统，并帮助系统制造商及时改进其超级计算机，AI驱动的数据分析和最新的图形系统。

三星内存销售与市场营销执行副总裁Cheol Choi表示：“随着当今市场上性能最高的DRAM的推出，我们正在迈出关键的一步，以增强我们在快速增长的高端内存市场中作为领先创新者的作用。巩固我们在全球存储器市场的优势，三星将继续履行其带来真正差异化解决方案的承诺。”

新型Flashbolt准备提供前一代8GB HBM2“ Aquabolt”容量的两倍，还可以显著提高性能和电源效率，从而显着改善下一代计算系统。通过在缓冲芯片顶部垂直堆叠八层10nm级（1y）16千兆位（Gb）DRAM裸片来实现16GB的容量。然后，该HBM2E封装以40,000多个“直通硅通孔”（TSV）微型凸块的精确排列进行互连，每个16Gb裸片均包含5,600多个此类微小孔。

三星的Flashbolt通过利用专有的优化电路设计进行信号传输，提供了每秒3.2吉比特（Gbps）的高度可靠的数据传输速度，同时每个堆栈提供410GB / s的内存带宽。三星的HBM2E还可以达到4.2Gbps的传输速度，这是迄今为止最大的测试数据速率，在某些将来的应用中，每个堆栈的带宽高达538GB / s。这将比Aquabolt的307GB /秒提高1.75倍。

三星预计第三代HBM2存储芯片将在今年上半年开始量产。三星将继续提供第二代Aquabolt产品阵容，同时扩展其第三代Flashbolt产品。

JEDEC公布HBM2E标准：单Die带宽410GB/s

固态存储协会(JEDEC)在本周发布第三版HBM2存储标准JESD235C，将针脚带宽提高到3.2Gbps，前两版分别是2Gbps、2.4Gbps，环比提升33%。按照设计规范，单Die最大2GB、单堆栈12 Die(无标准高度限制)，也就是24GB容量，匹配1024bit位宽，单堆栈理论最大带宽410GB/s。对于支持四堆栈(4096bit)的图形芯片来说，总带宽高达1.64TB/s。第三代HBM2的电压和第二代的1.2V相同，比第一代的1.35V有所下降。

3.2Gbps的第三代HBM2早先由三星和SK海力士提出，并更名为HBM2E，这种说法得到JEDEC默认。在JESD235C标准发布的同时，三星宣布名为Flashbolt(前两代名为Flarebolt和Aquabolt)的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片将在上半年量产，单颗最大容量16GB，由16Gb的单Die通过8层堆叠而成。三星的第三代HBM2E甚至支持超频，单针脚可加速到4.2Gbps，单堆栈最大带宽从而升至538GB/s。

与目前高端独显采用的256bit GDDR6、14Gbps的针脚带宽的显存相比，总带宽448GB/s仅略高于一个第三代HBM2堆栈的水平。考虑到HBM2更容易扩充总线宽度，GDDR6过犹不及，况且单堆栈最大容量就能达到24GB，四堆栈直逼100GB。

随着第三代HBM2E显存标准的发布，2020年的显卡市场也将变得更加热闹。NVIDIA将在今年推出全新的安培(Ampere)架构GPU，虽然消费级市场依然采用GDDR显存，但是高端的计算卡将会搭配全新的HBM2E显存，睇来更强的数据吞吐能力；AMD也计划在2020年推出支持实时光线追踪技术的RDNA2架构产品，旗舰起产品可能搭载HBM2E显存;另外，英特尔高性能计算卡、加速卡也可能会采用HBN2E显存。

责编：Yvonne Geng