三星电子（Samsung Electronics）已成功开发出业界首款 3 纳米 GAA 工艺技术，副会长李在镕（Lee Jae-yong）1 月 2 日访问了华城（Hwaseong）芯片厂的半导体研发中心，讨论相关的商业化议题。
三星电子（Samsung Electronics）已成功开发出业界首款 3 纳米 GAA 工艺技术，副会长李在镕（Lee Jae-yong）1 月 2 日访问了华城（Hwaseong）芯片厂的半导体研发中心，讨论相关的商业化议题。
BusinessKorea、韩国先驱报（Korea Herald）报导，三星电子新开发的 3 纳米 GAA 工艺技术，有望协助公司达成“2030 年半导体愿景”（即于 2030 年在系统半导体、内存芯片领域成为业界领导者）。GAA 是当前 FinFET 技术的升级版，可让芯片商进一步缩小微芯片体积。
李在镕 2 日访问了华城芯片厂，听取 3 纳米工艺技术的研发简报，并与设备解决方案（device solutions，DS）事业群的主管讨论次世代半导体策略方针。
与5纳米制造工艺相比，采用3纳米GAA工艺技术的芯片尺寸小了 35%、电力消耗量降低 50%，但运算效能却能拉高 30%。三星计划在 2022 年量产3纳米芯片。
去年4月，三星电子完成了基于极端紫外线技术（EUV）的5纳米FinFET工艺技术的研发。如今，该公司正在研究下一代纳米工艺技术（即3纳米GAA）。
对于李在镕此次参观半导体研发中心，三星发言人称：“李在镕今日访问半导体研发中心，再次凸显三星承诺成长为“非内存芯片”市场顶级制造商的决心。”当前，三星已是全球最大的内存芯片制造商。
此外，三星去年发布了1,118.5 亿美元的投资计划，目标是在 2030 年成为全球顶尖的系统单芯片（SoC）制造商。
责编：Yvonne Geng
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