三星韩国芯片厂突发断电事故，DRAM、NAND生产受影响

昨天上午，三星电子公司表示，在周二下午韩国华城芯片工厂发生断电事故，持续大约一分钟，导致其部分生产线暂停！

据韩媒报道称，此次断电是因为区域电力传输电缆出现问题，目前部分DRAM和NAND闪存的生产已经暂停，预计需要大约2到3天时间才能全面恢复。

外媒透露，三星华城厂区这次跳电事件，影响的包括生产DRAM 的Line 12 产线，和生产NAND Flash 的Line 13 产线，另外，还有采用EUV 技术生产逻辑芯片。

韩联社援引一位分析师的话称，这一事件可能有助于抑制三星电子大量芯片库存的增加。

市场人士估计，三星华城的DRAM和NAND Flash产线，虽然设立已有一段时间，但也是三星DRAM和NAND Flash主力产线，至于采用EUV先进设备的产线，制程较新，影响更为严重。

三星表示，正在检查生产线以备重新启动，并正在评估造成的损失。据一位直接知情人士称，此次事故可能造成数百万美元损失，但没有造成重大破坏。

至于为何发生跳电的原因，目前并不清楚。一般而言，晶圆厂的供电系统都设计有两套回路，分别由两个不同的变电所来供电，降低因意外而发生跳电的风险。不过，如果发生大规模的天然灾害，例如地震而导致电厂停止运转的情况，这部分就另当别论。因此，这次韩国三星华城厂区在无发生重大天然灾害情况，却发生跳电，这部分也是三星内部必须停工检查的主要关键。

不过，去年日本东芝位于三重县的厂区因地震发生跳电，经历长达半年才恢复生产，造成市场NAND Flash供货短缺，去年7月NAND Flash现货止跌急涨，去年第4季和今年第1季价格也喊涨，三星华城厂跳电，如果停工期拉长，也势必影响整体DRAM和NAND Flash供应。

此外，存储器业者预期，本季DRAM涨势由伺服器、绘图用DRAM率先发动，DRAM产业翻转向上号角正式响起，后续伴随在5G和AI人工智能、智能车、物联网等边缘运算对DRAM需求爆发，整体DRAM族群营运都会翻转向上，产业景气正式拨云见日。

市调机构集邦咨询也预估，因主要大厂1X纳米制程良率不佳、供货不及，让伺服器和绘图用DRAM翻涨速度比预期快，绘图用DRAM首季合约价涨幅逾5%，超过伺服器用DRAM，让整体DRAM产业景气提前在首季翻扬向上，存储器族群提前迎接景气春燕，明年营运看俏。

责编：Yvonne Geng