12月9日，日本东北大学国际综合电子技术研发中心主任远藤哲郎和电气通信研究所大野教授宣布开发出可实际运用的SOT，并且成功演示了SOT-MRAM单元的操作。
据Impress Watch网站报道，12月9日，日本东北大学国际综合电子技术研发中心主任远藤哲郎和电气通信研究所大野教授宣布开发出可实际运用的SOT，并且成功演示了SOT-MRAM单元的操作。
半导体存储器领域中，随着晶体管小型化，待机功率增加，使用自旋电子技术的非易失性存储器越来越吃香。其中，根据磁体的方向显示不同电阻值并由此记录0和1的状态的磁隧道结元件（MTJ）应用正在不断发展，而STT-MRAM则是代表之一。但是STT-MRAM无法处理纳秒级至亚纳秒级的运算，并且无法替换用于CPU缓存的SRAM。因此 SOT作为弥补STT-MRAM的缺点的技术逐渐发展起来。
远藤哲郎教授小组的研究将日本内阁府的创新研究与发展促进计划（ImPACT）培育出的SOT器件技术与小组开发的沉积技术，布线制造技术和反应性离子蚀刻技术相结合，成功生产出0.35ns超高速运行性能的设备。此外，此前未实现的400℃的耐热性和非易失性存储元件的热稳定性均已达成。
由此可见，具有低功耗的高性能SOT-MRAM的实际应用已经成为现实。
编译：Luffy Liu
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