长鑫存储加大购买DRAM专利，明年底月产能增长3倍

2019年12月5日，长鑫存储技术有限公司与Quarterhill Inc.旗下的 Wi-LAN Inc. 联合宣布，就原动态随机存取存储芯片(DRAM)制造商奇梦达开发的DRAM专利，长鑫存储与WiLAN 全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议。

收获大量原奇梦达内存专利

依据专利许可协议，长鑫存储从 Polaris 获得大量 DRAM 技术专利的实施许可。这些专利来自 Polaris 于2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。

依据独立的专利采购协议，长鑫存储从 Polaris 购得相当数量的 DRAM 专利。

此专利许可和专利采购协议中所包括的交易金额等商业秘密条款在此不予披露。

此前在上海举办的GSA MEMORY+峰会上发表《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲中，长鑫存储董事长兼CEO朱一明先生指出长鑫的技术源自奇梦达（Qimonda），并结合了长鑫自己的技术。通过与奇梦达合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件（约2.8TB数据）收归囊中，目前共有1万6千个专利申请。

如今，长鑫存储将继续通过自主研发以及与 WiLAN 等国际伙伴的合作，不断增加在半导体核心技术和高价值知识产权方面的积累。

两份协议标志着，在完善知识产权组合、进一步强化技术战略和保障DRAM业务运营方面，长鑫存储采取了新举措。

WiLAN总裁兼首席执行官 Michael Vladescu 表示“长鑫存储是中国DRAM 产业引领者。很高兴看到长鑫存储认可Polaris所持 DRAM 专利的价值。这两份协议表明，长鑫存储高度重视知识产权，致力于持续投入研发。我们相信，由此获得的权益将使长鑫存储在业内拥有竞争优势，助力长鑫存储持续开发 DRAM 关键技术。”“与长鑫存储的协议将推动 WiLAN在中国等主要新兴市场进一步开发业务机会，从而继续为母公司Quarterhill 和投资者创造更多价值。

长鑫存储从2016年开始选择IDM模式，自己建造工厂、自己开发技术。据此前消息，长鑫内存自主制造项目总投资1500亿元，将生产国产第一代10nm工艺级8Gb DDR4内存芯片，并获得了工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

预计到2020年底，长鑫内存的月产能将达到4万片晶圆，比现在增长三倍，大概能占到全球内存产能的3%。

奇梦达也有堆栈式技术

DRAM在60年代被发明出来，70年代开始进入市场，50年来变化很多。随着近些年数据量的增加，CPU的计算能力要加强，存储器的容量和读取速度也需要增强，对DRAM的要求也会提高。早期的DRAM芯片，由于线宽比较大，因此有足够的平面面积可制造出足够的电容值，普遍采用的平面结构。到后面随着线宽的减少，表面积逐渐减少，过往的技术不能满足所需电容值，所以演化出向空间发展争取表面积的结构，分别是向下发展的沟槽式，以及向上发展的堆叠式。

在前30年，这两个技术并存，但后来堆叠式逐渐成为主流。这是因为“沟槽式架构面临几个技术难点，主要是从面积考虑，沟槽式只限于单面表面积，堆叠式则能用内表面、外表面的双面表面积做电容，沟槽式架构很快就达到了刻蚀深宽比极限，而堆叠式可以做到比他高一倍的电容值。其二是高介质材料的应用受到沟槽式中高温制程的限制。”

2008年，堆叠式技术成为DRAM主流，奇梦达当时基于Buried Word Line的46nm工艺产品已经完成研发，与上一代58nm工艺相比，晶圆数量增加100%。不过2008年的金融危机让DRAM价格断崖式下滑，奇梦达的Buried Word Line技术还没来得及进入量产，就在2009年破产，之后Buried Word Line技术被雪藏。

之后，长鑫通过授权获得了奇梦达的Buried Word Line相关技术，借助从全球招揽的人才和先进制造装备，把奇梦达的46nm平稳推进到了10nm。据平博士介绍，公司目前已经开始了HKMG、EUV和GAA等新技术的探索。

关于Quarterhill

Quarterhill总部位于加拿大渥太华，在多伦多证券交易所和纳斯达克上市，专注于行业市场软件和解决方案、智能工业系统、创新和专利许可等特定技术领域公司的收购、管理和增值，主要通过合理价格寻求收购机会，从而为再创营收、获得可预测的现金流和利润、实现盈利性增长。

Quarterhill旗下的WiLAN则是全球最成功的专利许可公司之一，通过专利组合的管理和许可，帮助全球各地的公司发掘知识产权的价值，业务领域包括汽车、数字电视、互联网、医药、半导体和无线通讯技术。

责编：Yvonne Geng