内存产出量2020年将创十年新低，价格或止跌反弹

2019年11月27日，由全球高科技产业市场研究机构集邦咨询（TrendForce）旗下半导体产业研究中心DRAMeXchange主办的“2020存储产业趋势峰会（MTS2020）”在深圳举行。本次峰会汇聚全球半导体及存储产业链重量级嘉宾以及集邦咨询资深分析师，与来自产业链上下游企业的数百名参会嘉宾共同探讨2020年存储市场新趋势、新变化。

本峰会围绕半导体及存储产业发展趋势，议题分别从内存与闪存的市场供需态势、技术发展方向、应用领域趋势等方面，详细解读全球半导体存储产业宏观经济环境、产业细分市场以及技术演变动态，深度分析未来的驱动因素和应用商机，为产业及企业同步提供前瞻性、战略性规划参考，助力存储产业链上下游企业把握商机。
 
图1：集邦科技董事长刘炯朗致开幕词

会议伊始，集邦科技董事长刘炯朗为大会做开幕致辞，对所有参会嘉宾的莅临表示感谢。紧接着，集邦咨询半导体产业研究中心DRAMeXchange与拓墣产业研究院的半导体及存储产业各细分领域分析师、行业专家等展开精彩演讲，下面整理了各演讲嘉宾演讲的主要内容，以飨读者：

郭祚荣：2020年全球内存产业趋势分析

图2：集邦咨询DRAMeXchange研究副总经理  郭祚荣

全球内存产业产出量明年年成长为12%，为近十年来新低的水平，原因在于各内存大厂对于资本支出保守加上工艺转进趋缓外，内存价格亦历经了长达一年半的下跌，都让内存大厂想藉由产出的控制，以期明年市场从现在的供过于求往供需平衡迈进。

从产能与工艺的角度来看，全球内存投片只有4%的成长，三大主要内存厂明年几乎没有大规模新增的产能，明年1X/1Ynm依然是市场主要工艺，1Znm工艺呈现缓步成长。集邦咨询预估，明年内存价格将有机会在上半年止跌反弹，改善目前的获利结构。

钟宝星：5G芯引擎为存储提供核心动力

图3：紫光展锐消费电子产品规划部部长  钟宝星

5G大带宽、海量连接、超低时延的丰富应用场景对存储提出了更大容量、更加稳定、更快响应的新要求。5G芯引擎的发动，从中心、云端存储维度和边缘、终端存储维度都会带来新的变革，为存储产业提供核心动力。

5G时代下IOT将产生海量数据，预计2025年物联网终端产生的数据量约80ZB，相当于约5154吨1T硬盘。边缘数据在广度、深度、精度上的全面提升，带来存储、模组、传感器全面升级；5-10倍的速率提升，主流应用内容质量提升数倍，读写速度需求同步增长，5G带来大带宽意味着更大量的信息需要被传输、处理和存储，势必带动新的一轮硬件升级，带来新一波智能手机换机热潮。未来5G加AI的融合，数据除了在中心云端处理外，数据也会在边缘端做更多的处理，边缘AI的普及以及终端低延时应用均对存储提出了更高、更快、更强的要求。

中国作为全球最大的智能手机市场，将成为存储的先锋市场。5G时代全球性的终端升级带动存储的高速增长，将全面开启存储产业的新黄金时代。

余大年：存储在电子竞技产业链中的应用

图4：芝奇国际技术行销总监  余大年

近年来电竞产业在世界各地快速成长，加上现代电竞电脑需要更强大的多任务同步处理能力及执行高画质游戏的性能，带动了高速度、高容量存储产品的需求。

芝奇国际为全球高端电竞内存领导品牌，多年来透过独特的极限超频技术，将每一世代硬件效能发挥至极限，不仅提供电竞玩家更高性能内存产品，也同时树立下一世代高端硬件的规格标竿，成为加速人类科技进化的推手。

DDR5即将问世，内存速度及容量势必再做提升，如何能持续开发出更高性能产品以满足电竞玩家需求，将会是各大存储厂商如何于电竞市场致胜的关键。

叶茂盛：2020年智能手机发展与存储市场趋势分析

图5：集邦咨询DRAMeXchange分析师  叶茂盛

智能手机市场已经发展进入高原期，加上硬件创新幅度有限的因素，2020年生产量将大致持平，其中行动装置存储需求除传统上消费者越换越大的预期以外，明年受到5G手机渗透率提升影响，所需传输速度与容量要求皆有提升，在嵌入式产品界面方面，eMMC 5.1已难以负荷5G时代的基本传输要求，加上价格的诱因，UFS 2.1/3.0有望在2020年加速渗透，促使行动装置市场闪存位元出货成长达到32%，较2019年不到30%改善，也有助于整体闪存市场需求有较佳成长表现。

徐征：利基型DRAM市场趋势分析

图6：晋华集成副总经理  徐征

目前利基型DRAM (specialty DRAM)主要应用于消费型电子产品。2019年DRAM市场供过于求，各大DRAM业者通过降价减产的方式降低库存水位，同时三大DRAM业者重新调整产线，加速1Znm制程，带动利基型DRAM的规格朝向DDR4迈进。

需求端，目前利基型DRAM的位需求量持续提升已是市场共识，而中国庞大市场需求是中国DRAM制造业者们的商机所在；供给端，在三大供应商加速利基型DRAM规格迭代情况下，市场上普遍认为消费型电子市场DDR4及LPDDR4的渗透率将逐年提升。
 
然而，大部分的消费型电子产品并不需要如此快速的规格转型，加上中国已领先全球着手布建5G系统，更有利于杀手级应用的产生，在此情形之下，倘若中国DRAM业者能够补足需求缺口，满足当下市场的需求，势必能减缓终端应用厂商面临被迫转换的压力，这将是中国DRAM业者成长的好机会。

吴元雄：存储技术与解决方案发展

图7：力晶积成电子存储器事业群总经理  吴元雄

传统计算器架构中，动态随机存取存储器带宽是受限的。在一些存储器存取频繁的应用中，处理器往往会因带宽受限，无法获得充分数据进行有效运算，这就是所谓“内存墙”或 “memory wall”问题。

力晶积成电子身为专业晶圆代工厂，除了逻辑晶圆代工之外，也是业界唯一专业动态随机存取存储器晶圆代工厂。力晶积成电子特此综合这两项专长，针对深度神经网络应用，开发了AIM（AI Memory）平台，旨在解决内存墙问题。

力晶积成电子AIM平台，乃基于力晶先进之动态随机存取存储器制程技术，可用于制作各式深度神经网络加速电路。由于加速电路直接植入动态随机存取存储器阵列旁，如此加速电路可享有超高动态随机存取存储器带宽，完全解决内存墙问题。并且由于无需传统外部存储器接口，外部接口传输所导致之功耗及延迟也一并免除。

刘家豪：IT基础架构转型驱动存储器市场新纪元

图8：集邦咨询DRAMeXchange资深分析师  刘家豪

近年因AI技术逐渐成熟与智能终端装置普及，多数应用服务皆藉由服务器来统合，尤其是需依赖庞大数据进行运算与训练的应用服务，再加上虚拟化平台及云储存技术发展，服务器需求与日俱增。此外，在产业结构改变与服务器运算单元大幅进步之下，亦将带动与传统应用服务截然不同的服务器架构发展，进一步推升服务器的需求。

在云端架构提供服务的基础上，终端被赋予的运算能力相对薄弱，多是藉由云端来获取运算与存储资源，预期5G商转后数据中心的应用将更多元，带动微型服务器（Micro Server Node）与边际运算（Edge Computing）成长，并将成为2020年后的发展主轴，以实现物联网与车联网等应用场景。

受到数据中心的落实驱动，2019年服务器DRAM全年使用量占整体DRAM的三成以上，预估2025年在5G相关部署驱动下，更将上升至接近四成。

梁红伟：面向ABC时代的存储器技术演进与挑战

图9：宇视科技云存储开发部部长  梁红伟

伴随着云计算、大数据、物联网、人工智能等信息技术的快速发展和传统产业数字化的转型，数据量呈现几何级增长，传统存储架构存在性能/容量扩展有限、数据可靠性一般等“通病”，已经不能适用于海量数据存储。

AI+安防是人工智能技术商业落地发展最快、市场容量最大的主赛道之一。该领域的智能方案产品配置繁琐、成本高，方案复杂、组件多、开局调试工作量大，运维复杂、数据路径长等，对存储方案提出了新诉求。云计算方面，传统存储在设备资源统一管理、扩展性及节点故障保护上都存在缺陷，无法适应虚拟化数据中心弹性可扩展的未来要求。宇视超融合存储解决方案针对传统存储方案存在的问题、痛点，给出了不一样的解决之道。

黄士德：主控芯片创新技术应用发展及挑战

图10：慧荣科技SSD产品协理  黄士德

随着5G、AI、物联网等新科技不断发展演进、大数据的产出，促使NAND闪存技术迅速发展，3D NAND闪存的堆栈层数也已经高达100层以上，单颗NAND闪存的容量己从32GB提高到64GB、128GB。目前3D NAND正迎来价格下跌刺激高需求、低密度传统硬盘更换、新的体系架构和数据结构、高带宽数据流和5G宽带、人工智能+存储等带来的市场机遇。

NAND闪存存储应用越来越广泛，从记忆卡到移动电话中的eMMC及被广泛应用的固态硬盘，主控芯片扮演相当重要的关键角色，其促使NAND闪存在不同应用下发挥极致效能。如在自动驾驶汽车存储领域，自动驾驶汽车需要安全可靠且响应迅速的解决方案，对存储器的性能、数据校正、可靠性、温度范围等均提出了更高需求。

吕国鼎：闪存控制芯片暨储存产业资源共享平台大联盟

图11：群联电子营销暨项目企划室项目经理  吕国鼎

长久以来，存储产业一直存在一个迷思， 就是存储产业市场很大，殊不知，市场很大指的是闪存芯片（NAND Flash），而非闪存主控（NAND Controller）。在主控开发成本不断提升，而主控芯片售价却不断下降的状况，闪存主控难以获利的情况及趋势将愈来愈严重。

群联独特的营运模式，历经20年的产业洗礼，不断成长茁壮。 群联也将透过最完整的闪存主控相关IP授权及ASIC设计服务，建构“闪存主控暨存储产业资源共享平台大联盟”，协助国内存储产业实践自主可控的中国芯大愿。

陈玠玮：2020年全球闪存产业发展趋势
 

图12：集邦咨询DRAMeXchange研究协理  陈玠玮

全球闪存产业位元产出量明年年成长为约30%，为近几年来相对低档的水平，原因在于闪存大厂除中国长江存储较积极投资外，其他竞争者对于资本支出都较以往来得保守，导致新产能增加有限；再加上明年又要转换新制程到更具挑战性的128L等级，良率提升速度也会比之前来得缓慢。

另一方面，因为2019年闪存市场ASP大跌40-50%，让闪存大厂由盈转亏，也是造成2020年扩张保守的主因之一。集邦咨询预估，明年闪存价格在供给面成长动能受限，以及需求端有机会回归正常表现下，将出现另一波涨势动能。

徐韶甫：晶圆代工工艺飞跃，高端制程坐7赶5追3

图13：集邦拓墣产业研究院分析师  徐韶甫

2019年在总体经济不稳定的影响下，全球半导体产业表现呈现衰退，晶圆代工产业更迎来罕见负成长。

而展望2020年，尽管市场氛围仍有不确定性，但受惠于5G、AI、车用等新兴终端应用需求的持续挹注，可望拉抬半导体产业逐渐脱离谷底；尤其在高端运算需求下，IC设计业者持续导入新一代矽智权，与最新制程技术结合，强化芯片效能与芯片客制化能力，提升了先进制程的采用率。

即便在2019年半导体景气低迷的情形下，7纳米节点的采用率仍获得大幅度的提升，也更加速7纳米EUV（极紫外光）与5纳米的量产商用，并连带推升市场对3纳米节点的信心，使先进制程研发的时程图更加明朗化，日后将持续提高先进制程在晶圆代工中的份额，并藉由先进制程工艺的跃进来扶持摩尔定律的延续。

责编：Luffy Liu