10月7日，三星电子宣布已率先在业内开发出12层3D-TSV（Through-Silicon Via，硅穿孔）技术。该技术在保持芯片尺寸的同时增加了内存容量，不久后将量产24GB的高带宽内存(HBM)。
10月7日，三星电子宣布已率先在业内开发出12层3D-TSV（Through-Silicon Via，硅穿孔）技术。该技术在保持芯片尺寸的同时增加了内存容量，不久后将量产24GB的高带宽内存(HBM)。
据介绍，该技术能让DRAM芯片的堆叠层数从8层增至12层，是量产高效能芯片最具挑战的封装技术之一，需要极度精准，才能让12层DRAM芯片，透过6万个TSV穿孔的3D结构，垂直互连，厚度只有人类头发的1/20。
三星补充道：“利用这项新技术，可以堆叠12个DRAM芯片，同时保持与现有8层HBM2产品相同的封装厚度，即720微米(μm)。这对客户来说意味着即使系统设计没有任何变化，也可以生成高量和高性能的产品。不只如此，和现行PoP（Package on Package）封装的打线键合(wire bonding)技术相比，3D封装能缩短芯片间的数据传输时间，可提高速度、减少耗电。”
三星还透露，基于12层3D TSV技术的HBM存储芯片将很快量产，单片容量从目前的8GB来到24GB。
“最新的封装技术在AI、自动驾驶和HPC（高性能计算）等领域变得越来越重要，”三星电子DS部门副总裁Baek Hong-joo说道。“摩尔定律濒临界线，预料3D-TSV技术将益发重要，我们将通过12层3D-TSV技术在半导体封装领域保持领先地位。”
责编：Luffy Liu
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