2019年存储器产业资本支出下滑至416亿美元

过去两年，存储器芯片是驱动半导体产业资本支出强劲增长的驱动因素。随着存储器产业的升级换代与产能扩张计划都已经完成或接近尾声，预计今年DRAM和NAND Flash资本支出共416亿美元，较去年大幅减少104亿美元。

IC Insights预计，2019年存储器产业资本支出将占今年半导体总资本支出总额的43%，低于2018年的49%(图1)。预计2019年半导体总资本支出将下滑8%，至978亿美元，低于2018年创纪录的1059亿美元。

图1，来源：IC Insights

IC Insights公布数据显示，存储器设备资本支出占产业支出比重在过去7年内大幅增加，从2013年的27%（147亿美元）增长至2018年的49%（520亿美元），若今年以43%（416亿美元）计算，等同于2013-2019年复合年成长率18.9％。

2017至2018年资本投入最多的IC产品子类是NAND Flash和非易失性存储器。不过，在过去的18个月，随着三星、SK海力士和美光增加DRAM和NANDFlash产量，而英特尔、东芝存储器、西部数据、SanDisk、武汉新芯、以及长江存储等厂都在加速扩充3D NAND产能，导致DRAM和NAND Flash都进入供过于求的市场局面，价格开始走低。

IC Insights预计，2019年DRAM和闪存领域的资本支出将分别下降19%和21%(图2)。存储器资本支出总额预计为416亿美元，比去年减少104亿美元。主要存储器厂商希望通过大幅降低DRAM和闪存资本开支，来避免未来一年半价格继续走低。

图2，来源：IC Insights

暴跌的单位存储价格，以及2019年将大幅收缩的存储器产业资本开支，都证明了存储器市场格局已经逆转。而何时止跌，很大程度上取决于存储器厂商如何调节资本开支，以及低价能否刺激市场需求增加。

编译：Yvonne Geng