国产氮化镓（GaN）正迎来一波新的热潮，已有多家企业布局相关产业。近日，聚力成半导体（重庆）有限公司工厂和北京耐威科技股份有限公司，相继宣布其GaN外延材料正式投产。
国产氮化镓（GaN）正迎来一波新的热潮，已有多家企业布局相关产业。近日，聚力成半导体（重庆）有限公司工厂和北京耐威科技股份有限公司，相继宣布其GaN外延材料正式投产。
国内的GaN企业除了这两家外，还有江苏能华、英诺赛科、三安集成、江苏华功、大连芯冠和海威华芯等，其中英诺赛科的8英寸Si基GaN生产线已经相继开始启用。早前他们的苏州工厂也顺利封顶。
西部地区首个半导体氮化镓外延片工厂
9月6日上午，聚力成半导体(GLC)成功试产的第三代半导体产品氮化镓外延片在重庆发布。而在9月8日，重庆大足区人民政府官网也宣布，西部地区首个氮化镓外延片工厂聚力成成功试产的第三代半导体产品——氮化镓外延片。
据重庆大足区人民政府网报道，聚力成半导体项目是重庆市重点招商项目，是西部地区首个半导体氮化镓外延片工厂，该项目可填补渝台半导体制造合作空白。
聚力成半导体是由重庆捷舜科技在大足区设立的科技公司，团队由国内外各大知名半导体公司华籍专家组成，旨在采用GaN核心技术以实现电力电子与射频领域的高速革命。聚力成核心技术团队拥有硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片的开发及生产能力，基于这些技术，可在芯片生产、封测服务实现了这一革命，该功率IC预估可将开关速度提高100倍，同时将节能提高40%或更多。
在电力电子领域，聚力成具备开发6英寸650V/100V硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片技术能力，实现650V/15A硅基氮化镓功率器件的生产工艺。在微波射频领域，聚力成同样具有研发碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延材料的技术能力。
聚力成半导体产品展示（图自：聚力成官网）
数据显示，聚力成半导体于重庆市大足区建设第一期硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片工厂计划建成年产能24万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线，总投资约50亿人民币。
立足重庆
2018年9月10日，重庆大足区人民政府与重庆捷舜科技有限公司举行了“聚力成外延片和芯片产线项目”签约仪式。2018年11月13日，聚力成半导体举行了奠基仪式。
（图自：聚力成官网）
据悉，该项目占地500亩，拟投资50亿元在大足高新区建设集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研发与生产、封装测试、产品设计应用为一体的全产业链基地，是其在中国大陆的第一个生产、研发基地。签约以来，仅历时65天实现开工建设、历时200多天完成了工厂建设。
据大足日报6月报道，今年6月5日，聚力成半导体一期厂房正式启用。此外，大足日报指出，公司启用后，将进行试生产，建设21条生产线，预计10月开始外延片的量产。目前，该公司已经拥有了富士通电子元器件、中芯国际、联颖光电、晶成半导体等多家优质合作伙伴。
此外，重庆大足区人民政府网消息显示，在此次发布会上，聚力成半导体还与力士科技、和黄科技、虹扬发展科技签订了战略合作协议，与重庆邮电大学签署了产学研合作协议。
同样瞄准第三代半导体材料的耐威
9月10日，北京耐威科技发布公告，其控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(以下简称“聚能晶源”)投资建设的第三代半导体材料制造项目(一期)已达到投产条件，于2019年9月10日正式投产。
聚能晶源于同日举办了“8 英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式”。 据天眼查显示，耐威科技持有公司40%股份，耐威科技董事长杨云春也是聚能晶源董事长。耐威科技有三大业务板块，分别是MEMS、导航、航空电子。另外公司也在布局第三代半导体、无人系统等潜业务。
（图自：聚能晶源官网）
据介绍，聚能晶源位于青岛市即墨区，主要从事半导体材料,尤其是GaN外延材料的设计、开发和生产。本项目已投资 5,200 万元人民币，设计产能为年产 1 万片 GaN 外延晶圆，既可生产提供标准结构的 GaN 外延晶圆，也可根据客户需求开发、量产定制化外延晶圆。本项目的投产将有利于聚能晶源正式进入并不断开拓第三代半导体材料市场，同时有利于公司 GaN 功率与微波器件设计开发业务的发展，最终增强公司在第三代半导体及物联网领域的综合竞争实力。
聚能晶源总经理袁理博士正式发布了多系列6-8英寸GaN外延晶圆产品，并对项目及产品做了相关介绍。
聚能晶源此次发布的相关产品包括8英寸硅基氮化镓外延晶圆与6英寸碳化硅基外延晶圆，可满足下一代功率与微波电子器件对于大尺寸、高质量、高一致性、高可靠性氮化镓外延材料的需求，为5G通讯、云计算、新型消费电子、智能白电、新能源汽车等领域提供核心元器件的材料保障。
袁理表示，聚能晶源项目掌握8英寸硅基氮化镓外延与6英寸碳化硅基外延生长技术。在功率器件应用领域，产品系列包括8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆与8英寸P-cap AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆。同时，聚能晶源将自有先进8英寸GaN外延技术创新性地应用在微波领域，开发出了兼具高性能与大尺寸、低成本、可兼容标准8英寸器件加工工艺的8英寸AlGaN/GaN-on-HR Si外延晶圆。在硅基氮化镓之外，聚能晶源也拥有AlGaN/GaN-on-SiC外延晶圆产品线，满足客户在碳化硅基氮化镓外延材料方面的需求。
以聚能晶源此次展示的HVA650/HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆产品为例。该型GaN外延晶圆具有高晶体质量、低表面粗糙度、高一致性的材料特点。同时具有低导通电阻、高耐压、低漏电、耐高温的电学特性。值得一提的是，聚能晶源GaN外延晶圆具有优秀的材料可靠性，根据标准TDDB测试方法，其在标称耐压值下的长时有效寿命达到了10的9次方小时。
聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司成立于2018年6月，是由北京耐威科技股份有限公司、青岛海丝民合半导体投资中心、青岛民芯投资中心与袁理博士技术团队共同投资成立的第三代半导体材料研发与制造企业。项目一期建成产能为年产1万片6-8英寸GaN外延晶圆，。
责编：Luffy Liu
您可能感兴趣
