中国量产64层3D NAND闪存，明年直上128层！

9月2日，紫光集团旗下长江存储官方宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

其实在8月下旬，重庆举办的2019中国国际智能产业博览会上，紫光集团就已经公开展示了长江存储的64层NAND Flash 晶圆，以及第二代64层256Gb 3D NAND，均基于长江存储自研的Xtacking架构设计。据长江存储称，该产品拥有同代中最高的存储密度，每片晶圆可以切割出超过1000颗裸芯片。

在去年美国举办的闪存高峰会(Flash Memory Summit)上，Xtacking首度亮相就获得了大关注。当时EETimes美国版对其的报道是提供了“堪比DRAM DDR4的I/O速度，同时带来业界领先的位密度，象征着NAND市场的巨大飞跃。”而长江存储更是被美国媒体誉为“中国之光”，如果其目标保持不变，那么它与其大型竞争对手英特尔(Intel)、美光(Micron)、三星(Samsung)以及东芝(Toshiba)、西数（WD）等公司之间的差距将只有一、两步之遥。

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Xtacking可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后，Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

（图自：YMTC官网）

长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示：“通过将Xtacking架构引入批量生产，能够显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。”程卫华还提到，“随着5G，人工智能和超大规模数据中心时代的到来，闪存市场的需求将持续增长。长江存储64层3D NAND闪存产品的量产将为全球存储器市场健康发展注入新动力。”

长江存储去年量产了32层堆栈的3D闪存，不过产量非常少，属于试验性的，主要用于U盘等低端产品。按照之前公布的消息，他们原本预计是在今年年底正式量产64层3D闪存，明年开始逐步提升产能，预计2020年底有望将产能提升至月产6万片晶圆的规模。而现在提前发布量产消息，看来进展比预期更为顺利。

长江存储还表示，到2020年将会推出128层堆栈的3D闪存，在技术上缩短甚至追上与国际一流厂商的差距——今年三星、东芝、美光等公司量产了96层的3D闪存，部分厂商甚至开始量产128层堆栈的闪存。

（Source：Trendforce）

根据目前趋势，2020年将会是100+层堆栈闪存的爆发之年。目前主流出货多在64/72层产品，三星、美光等公司已经量产96层3D闪存，目前正提供客户UFS、SSD等产品样品导入，100+层堆栈闪存的研发也已经完成。如今中国首款64层3D NAND闪存刚刚量产，相较于其他供应商先发展9x层，长江存储将直攻128层以缩减与其他供应商的差距，国产厂商任重道远。

据官方资料，长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技（XMC）之后成立的，于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。长江存储为全球工商业客户提供存储器产品，广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。目前长江存储的闪存主控芯片，主要跟群联合作，而闪存封装则是紫光与南茂合资的紫光宏茂公司负责。

当前中国正在大力开展存储芯片自研，在DRAM厂之一的福建晋华停摆后，合肥长鑫成了目前中国DRAM的唯一希望。而以前专注NAND的紫光，在今年6月宣布组建DRAM事业群，旗下子公司紫光国微半导体具备研发DDR内存技术的能力，其前身为西安华芯半导体有限公司，2015年紫光国芯（2018年5月8日改名为紫光国微）对其完成收购。但是紫光国微没有内存生产能力，所以在8月底，紫光宣布在重庆建设DRAM厂并将DRAM总部设立于此。

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责编：Luffy Liu

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