随着半导体工艺持续朝着距离只有几个节点、难以突破的技术壁垒接近,半导体技术蓝图出现了发展“分支”的征兆...

未来新一代晶体管可能会有出自英特尔(Intel)、三星(Samsung)与台积电(TSMC)的不同血统──随着半导体工艺持续朝着距离只有几个节点、难以突破的技术壁垒接近,这是半导体技术蓝图正出现分支的征兆之一。

在比利时安特卫普(ANTWERP)举行的Imec年度技术论坛(Imec Technology Forum,ITF)上,该研究机构的研究人员列出了一位观察家形容为“寒武纪生命大爆发”(Cambrian explosion)的硅芯片技术演进选项,涵盖了各种新的晶体管、材料、架构以及封装技术。

Imec首席技术官Luc van den Hove在专题演说中表示:“通用组件可能不复存在…1D平面架构的技术蓝图已经不再足够。未来会如何还不清楚,我们需要更多选项;”从该机构展示的一张发人深省之技术蓝图,工程师会需要利用所有可行的方案来实现技术演进。

根据Imec预测,半导体工艺特征尺寸在接下来几个节点会继续以个位数纳米微缩,但在2纳米节点的40纳米闸极长度与16纳米金属间距之后,恐怕不会再往下缩小。

Imec展示的技术蓝图中,7纳米节点与目前晶圆代工业者的5纳米节点类似。

(来源:Imec)

这可能导致芯片性能无法因应最高端应用需求;而尽管对有效功率的最高端有顾虑,技术进展仍可能发生,特别是那些愿意从FinFET晶体管转向更小巧的纳米片(nanosheet)晶体管的人。那些专注于为移动装置应用缩小芯片占位面积以及功耗的IC厂商,或许会希望能“赖”着FinFET有多久是多久,但那些最渴望芯片性能提升的业者,会是最早转向纳米片架构的。

Imec预期,纳米片架构会在频率上带来8%的提升,但得牺牲面积缩小。而Imec也指出,纳米片结构晶体管会出现一种该机构称之为“叉形片”(forksheet)的中期产物,这种设计仍在定义中,是将n型与p型单元更紧密地靠在一起;而终极的小巧晶体管是互补或垂直FET,藉由堆栈n型与p型单元以降至4轨(tracks)甚至3轨。

在此过程中,工程师或许会尝试将介电值(k)降低至3.3甚至是大幅超越锗(germanium,Ge)晶体管结构。Imec的逻辑工艺微缩项目总监Julien Ryckaert表示:“很多人都有自己的方法。”

纳米片(NS)结构晶体管性能预期在未来的每一个节点都会超越FinFET (FF)。

0610-002.png

(来源:Imec)

Imec的另一位项目总监Diederik Verkest则表示,负责标准单元以及更高层级设计的工程师可以忽略晶体管的变化,但如果他们想换代工厂,会面临额外的交叉检查工作;至于拥有自家内存宏与单元库的无晶圆厂IC业者,则“需要特别注意晶体管技术端现况。”

全新的SoC

此外有一些新兴的晶圆、芯片与晶体管堆栈方案将带来额外之吸引力,基本上就是将传统的系统单芯片(SoC)彻底改造。不过这类技术在组件对准以及冷却方面会面临挑战,特别是预期功率耗散达到500W以上的设计。

Imec将这种“砍掉重练”的SoC结构称为序列3D (sequential 3D),能分别为不同的电源、逻辑与内存电路需求进行设计并优化。其中一个版本将电力传递电路放在削薄至几百纳米厚度的晶圆片背面,以微小的硅穿孔进行连结。

还有一个更大胆的版本是将SRAM高速缓存,放置在乘载晶圆的核心电路上方,再以铜接合(copper-to-copper bonding)。而最后的序列3D是一个三明治结构:SRAM数组在最底部、电源电路在最上方,核心逻辑夹在中间;如此能将SRAM最大化,同时又能降低成本。

埋入式电源轨(Buried power rails,BPR)在晶体管以补偿式FET结构微缩至3至4轨单元时会变得很常见。

0610-003.png

(来源:Imec)

这种方法为整合各种组件,例如被动组件,提供了新的机会;尽管Imec一开始打造的5纳米示范设计,并没有包含任何主动结构,对此Ryckaert表示:“这是一个新的游乐场…有一整套可能实现的技术蓝图,所以摩尔定律(Moore’s Law)并没有终结。”

然而在迈向1~2纳米节点的旅程中,工程师会需要换掉铜与钴,大概会改用钌(ruthenium)──这种材料能让工程师将目前用以避免金属扩散至硅氧化层的金属屏障薄化。

除了芯片工艺,研究人员也讨论了一些封装技术,例如Imec正在研发英特尔(Intel)嵌入式多芯片互连桥接技术(EMIB)的“便宜版”,也就是将桥接基板整合至封装中。其他技术选项包括利用数百微米、数十纳米尺寸的互连。

负责3D芯片项目的Imec研究院士Eric Beyne表示:“在某种程度上,这与单一逻辑节点无关…但没有一种封装技术能满足所有需求;”而因为密集的芯片堆栈会产生耗散数百瓦功率的组件,他的团队正在以3D打印的“塑料瓶盖”开发液态冷却方法。

晶圆片、裸晶与晶体管封装选项涵盖很多微米到几纳米的范围。

0610-004.png

(来源:Imec)

Beyne表示,其封装技术蓝图仍面临一些设备功能上的差距,而且支持完整签核功能的EDA工具也还没到位;“但我们已经看到不错的进展。”

如同英特尔技术长Mike Mayberry在专题演说中所指出,各种变化代表了传统半导体正在演化而非终结;旧的处理器会与针对特定领域的新一代加速器共存,像是微软(Microsoft)数据中心利用x86处理器与FPGA组合方案,“在你还不确定方向何在时,推动了技术前进。”

他主张:“…摩尔定律仍持续有效,只是以各种功能、架构搭配组合(mix-and-match)的功能演进,以因应数据的泛滥。”

本文英文原文链接:Imec’s semiconductor outlook shows limits and options   编译:Judith Cheng

 

阅读全文,请先
您可能感兴趣
欧洲在1nm和光芯片技术上的试验线启动,将有助于缩小研究与制造之间的差距,并推动整个半导体生态系统的发展。
过去四年里,美国电子制造业的投资额已经超过此前三十年的总和,整体规划投资约达4500亿美元,堪称美国史上规模最大的半导体制造扩张。
近日,美国智库彼得森研究所就发布了一份研究报告,从减少国外依赖、达成2030年发展目标、维护国家经济安全、政策补贴预期效果等方面,进行了深刻的解读,同时对政策补贴未来转向也提出了相关的建议。
尽管市场上有传言称英伟达大幅削减了对台积电CoWoS-S封装的需求,甚至有报告指出砍单幅度高达80%,但台积电和英伟达均对此进行了否认......
塔塔电子正在逐渐模仿富士康(Foxconn)的模式,并希望通过为智能手机厂商生产如摄像头和显示屏模块等组件,来提升自己在价值链中的位置......
Wolfspeed 决定将其位于得克萨斯州达拉斯郊外的工厂关闭,通过挂牌的方式将其出售,包含四栋建筑,包括一个 14MW 的数据中心设施,这四栋建筑均不可单独出售。关闭得克萨斯州工厂的原因主要是由于150毫米晶圆需求下降......
大多数研发人员和导热界面材料配方设计师可能会推荐使用具备诸多优异特性的硅。然而,也存在一些例外情况。这些问题强调了在选择导热界面材料时考虑终端产品最终应用的重要性.....
在与芯科科技(Silicon Labs)首席技术官Daniel Cooley的交谈中,我们了解到该公司在物联网(IoT)和智能边缘领域所发挥的作用和未来发展。
虽然绕过产品防伪保护的手段变得越来越高级,但是最新的 NFC 芯片技术提高了信息安全性,让品牌能够保护知识产权,预防客户误买假冒商品。
西门子推出Simcenter更新版本,助力客户简化工作流程,加快航空航天认证,同时提供深入洞见
荣耀正站在品牌独立第五年和IPO的关键时刻。美通社消息,1月17日,荣耀终端股份有限公司发布公告,宣布了最新的高管任职:赵明先生因个人原因辞去公司董事、CEO等相关职务,董事会决定由李健先生接替赵明先
 /记得星标我/比大部分人早一步看见未来在日新月异的数字浪潮中,中小企业作为国家经济的生力军,正站在数智化转型的十字路口。中国移动,作为信息通信领域的领军者,积极响应国家政策,以科技创新为笔,绘制出一
近日,荣耀公司高层人事变动频繁,继原CEO赵明因身体原因离职后,荣耀中国区CMO姜海荣、中国区销售部部长郑树宝等多位高管也相继离职。           1月20日,据荣耀内部公告,荣耀中国区CMO姜
该计划旨在降低成本,减少网络风险和运营的复杂性首批合作伙伴包括 Forescout、Instrumentix 和 Nozomi Networks是德科技(NYSE:KEYS)推出网络可视化合作伙伴计划
“什么是5G,用户说了算”。记得在5G商用之前,当人们都在谈论5G是什么、5G到底能做啥时,这句话引起了业界广泛共鸣——5G建设和发展需倾听用户的声音,以消费者和各行各业日益增长的需求为导向。时至今日
点击蓝字 关注我们SUBSCRIBE to USWestinghouse Electric Company西屋电气公司和Radiant公司正在开发一些世界上最小的反应堆。对两座新微型反应堆的资助可能会
1月20日消息,据外媒报道,英特尔已成为“某家公司”的收购目标,而特斯拉CEO马斯克被认为是该传闻中英特尔的潜在收购者!据悉,这一收购传闻最早由SemiAccurate报道,该网站称约两个月前读到一封
    三极管的电流放大作用应该算是模拟电路里面的一个难点内容,我想用这几个动画简单的解释下为什么小电流Ib能控制大电流Ic的大小,以及放大电路的原理。    我这里的三极管也叫双极型晶体管,模电的放
文|温风2024是所有豪华品牌都不好过的一年。中国市场豪华品牌在参与价格战和不参与价格战中反复横跳,也牵动着跨国品牌全球市场的销量和财报数字。想在全球豪华市场榜单脱颖而出,就必须在销量占全球近1/3,
刚进入2025年,汽车电驱行业又有2个项目宣布投产:● 上汽通用五菱:青岛电驱项目正式落地投产,年产能30万台;● 菲仕科技:赣州电驱项目投产,年产能12万台,供应小鹏汽车。五菱电驱项目投产年产能30