为硬化电源中的变压器防止磁篡改,一种选择是屏蔽变压器;但是,这只在一定程度上有效。第二种选择是选择足以应对预期的磁篡改攻击的具有完全磁免疫力或磁阻的变压器。对于不会吸收太多电流的系统,第三种选择是使用不带任何磁性元件的电容降电源。

为最大限度地提高效率,电力公司供应商必须尽量减少发电和客户分布之间的能量损失。这些损失的一部分包括非技术性损失,例如盗电造成的损失。一些最普遍的盗电方法包括篡改电表(e-meter),因为电表相对来说容易找到。

有多种方法可以篡改仪表。除侵入式篡改方法外,还可在不打开仪表外壳的情况下非侵入式地篡改电子仪表。

磁性篡改是非侵入式篡改的最常见形式之一。在仪表附近放置强磁铁,强磁铁可能会使附近的变压器饱和,从而导致它们瘫痪。具体而言,强磁铁可能使电源中的变压器或电流互感器的电流传感器瘫痪,这可能导致用电用户的电费低于他们实际应该交纳的电费。

为应对磁篡改,对策包括尝试使用霍尔效应传感器检测磁场的存在,以及使仪表硬化以防止磁性篡改攻击。为检测磁篡改,三个霍尔效应传感器可检测所有三个维度中强磁铁的存在。当系统备用电源用完时,霍尔效应传感器的平均电流消耗很低至关重要。霍尔效应传感器可通过外部工作循环实现低平均电流消耗,或选择集成此工作循环的霍尔效应传感器。

为硬化电源中的变压器防止磁篡改,一种选择是屏蔽变压器;但是,这只在一定程度上有效。第二种选择是选择足以应对预期的磁篡改攻击的具有完全磁免疫力或磁阻的变压器。对于不会吸收太多电流的系统,第三种选择是使用不带任何磁性元件的电容降电源。

与电源中的变压器类似,为硬化电流互感器以防止磁篡改,可选择屏蔽电流互感器。但是,这只在某种程度上有效。获得磁免疫电流传感的最佳方法是使用分流传感器代替电流互感器。将分流器用于单相仪表相对简单:只需相对于分流器参考系统。对于多相电表,将分流器用作传感器更复杂。由于分流器没有固有的隔离,必须进行外部隔离,以防止连接到分流器的器件上出现大的、破坏性的差分电压。

图1所示为带有隔离式分流传感器的三相系统的功能组件。在该架构中,每相一个独立器件测量分流传感器两侧的电压。这些器件可以是隔离的delta-sigma调制器或计量模拟前端(AFE)微控制器(MCU)。由于分流传感器件是隔离的,因此每个器件必须具有单独的电源。

图1:具有隔离分流传感器的多相系统的功能组件

基于其与分流传感器件通信的能力选择后端器件(如图1所示)。例如,若您将隔离调制器用作分流传感器件,则选择带有数字滤波器的后端器件。这些数字滤波器可构成独立器件的一部分,也可集成在计量MCU中。或者,若您将计量AFE用作分流传感器件,则选择具有串行外设接口或通用异步接收器发送器接口的后端器件。

要计算有功电能,除客户负载的电流外,还需要测量电源电压。电阻分压器通常将电源电压转换为模数转换器可感测的范围。在具有隔离式分流传感器的多相系统中,您可在同一器件上实现电源电压检测,以检测分流器上的电压,或者若器件的电压检测与分流检测同步,则可在后端器件上实现。若后端器件正在感测电压,则无需隔离,因为仍然可在多相上测量电压,而后端器件上没有大的破坏性电压。

为防止后端器件上的危险电压(因为分流器本身不具有隔离功能),有必要将通信与分流传感器件隔离到后端器件。这种隔离可集成在分流传感器件中,也可是单独的数字隔离器器件。

有两种方法可实现隔离分流电流传感。第一种方法,如图2所示,涉及使用计量AFE。在这种方法中,计量AFE计算主要计量(电压、电流、功率等),而非让后端器件执行这些计算。在分流传感器件上计算这些参数减少了后端装置所需的处理,并在计量和主机功能之间提供了良好分离。

0505-TI-2.JPG

图2:使用计量AFE的隔离分流传感器

隔离式分流传感的第二种方法是使分流传感器件仅检测电流,并让计量MCU执行计量计算。图3所示为此方法的一个示例。这种架构的优点是它更容易在相位之间进行参数计算,例如测量不同相位之间的角度。

0505-TI-3.JPG

图3:使用隔离调制器的隔离分流传感器

结论

我们可使用分流电流传感器和电容降电源设计磁免疫电子仪表。

通过遵循这些防篡改技术,可阻止或至少减轻仪表篡改事件,从而在供电时减少效率低下问题。

阅读全文,请先
您可能感兴趣
SiC的特定特性要求对MOSFET器件和栅极驱动电路进行仔细选择,以确保安全地满足应用需求,并尽可能提高效率。在本文中,我们将讨论为SiC MOSFET选择栅极驱动器时应考虑的标准。
由于在满足所有要求方面存在不同的权衡,因此很难采用一种适用于所有情况的电流检测方法。
宽禁带半导体(例如SiC和GaN)在可靠性、能效、功率密度和降低成本方面具有重要优势。
ITSA报告对当前的V2X应用进行了分析,并对两个关键的V2X部分进行了展望——使用5.9GHz频谱的直连V2X和使用4G LTE和5G蜂窝通信的网联V2X。此外,该报告还对未来在5.9GHz当前30MHz带宽限制之外的扩展进行了展望。
提升功率密度的需求给功率器件及其封装与冷却技术带来了特定的挑战。
在电气设计过程中,需要做出某些设计选择。其中一个例子是使用跨接式连接器的USB C型连接器设计。在这种情况下,使用跨接式连接器时,PCB的整体厚度受到限制,因为跨接式连接器的厚度决定了整体厚度。
目前,智能终端NFC功能的使用频率越来越高,面对新场景新需求,ITMA多家成员单位一起联合推动iTAP(智能无感接近式协议)标准化项目,预计25年上半年发布1.0标准,通过功能测试、兼容性测试,确保新技术产业应用。
中科院微电子所集成电路制造技术重点实验室刘明院士团队提出了一种基于记忆交叉阵列的符号知识表示解决方案,首次实验演示并验证了忆阻神经-模糊硬件系统在无监督、有监督和迁移学习任务中的应用……
C&K Switches EITS系列直角照明轻触开关提供表面贴装 PIP 端子和标准通孔配置,为电信、数据中心和专业音频/视频设备等广泛应用提供创新的多功能解决方案。
投身国产浪潮向上而行,英韧科技再获“中国芯”认可
来源:苏州工业园区12月17日,江苏路芯半导体技术有限公司掩膜版生产项目迎来重要进展——首批工艺设备机台成功搬入。路芯半导体自2023年成立以来,专注于半导体掩膜版的研发与生产,掌握130nm至28n
来源:观察者网12月18日消息,自12月2日美国发布新一轮对华芯片出口禁令以来,不断有知情人士向外媒透露拜登政府在卸任前将采取的下一步动作。美国《纽约时报》12月16日报道称,根据知情人士以及该报查阅
来源:IT之家12 月 18 日消息,LG Display 韩国当地时间今日宣布,已将自行开发的“AI 生产系统”投入到 OLED 生产线的日常运行之中,该系统可提升 LG Display 的 OLE
有博主基于曝光的信息绘制了iPhone 17系列渲染图,对比iPhone 16系列,17系列最大变化是采用横置相机模组,背部DECO为条形跑道设计,神似谷歌Pixel 9系列,这是iPhone六年来的
对于华为来说,今年的重磅机型都已经发完了,而明年的机型已经在研发中,Pura 80就是期待很高的一款。有博主爆料称,华为Pura 80将会用上了豪威OV50K传感器,同时电池容量达到5600毫安时。至
万物互联的时代浪潮中,以OLED为代表的新型显示技术,已成为人机交互、智能联结的重要端口。维信诺作为中国OLED赛道的先行者和引领者,凭借自主创新,实现了我国OLED技术的自立自强,成为中国新型显示产
“ 洞悉AI,未来触手可及。”整理 | 美股研究社在这个快速变化的时代,人工智能技术正以前所未有的速度发展,带来了广泛的机会。《AI日报》致力于挖掘和分析最新的AI概念股公司和市场趋势,为您提供深度的
阿里资产显示,随着深圳柔宇显示技术有限公司(下称:“柔宇显示”)旗下资产一拍以流拍告终,二拍将于12月24日开拍,起拍价为9.8亿元。拍卖标的包括位于深圳市龙岗区的12套不动产和一批设备类资产,其中不
扫描关注一起学嵌入式,一起学习,一起成长在嵌入式开发软件中查找和消除潜在的错误是一项艰巨的任务。通常需要英勇的努力和昂贵的工具才能从观察到的崩溃,死机或其他计划外的运行时行为追溯到根本原因。在最坏的情
LG Display  12月18日表示,为加强OLED制造竞争力,自主开发并引进了“AI(人工智能)生产体系”。“AI生产体系”是AI实时收集并分析OLED工艺制造数据的系统。LG Display表