三星近年来把代工业务当作重点，曾豪言要争取25%的代工市场，并在7纳米上发力。日前随着格芯和联点宣布退出先进工艺研发，全球7纳米玩家仅剩英特尔、台积电和三星了，英特尔代工不是主业，台积电在7纳米大获全胜，这让三星看不到7纳米的未来……
三星周二(9月4日)在日本举行“三星晶圆代工论坛2018日本会议”(Samsung Foundry Forum)，简称SFF Japan 2018。这是三星第二次在日本举行代工会议，日本PCwatch网站介绍了三星这次会议的主要内容，三星的口号是“最受信任的代工厂”，并公布了三星在晶圆代工上最新的3纳米工艺技术路图，以及7纳米投产进度，将抢攻高端计算与联网设备市场。
三星高管在这次会议上表示，三星7纳米是第一个采用FinFET EUV技术的半导体工艺，将于2018年晚些时候推出。这点没错，台积电要到第二代7纳米工艺N7+上才会使用EUV工艺，但是三星比较激进，7纳米节点上会直接上7纳米工艺，未来的5/4/3纳米节点也会全面使用EUV工艺。
据三星表示，关键知识产权（IP）已在开发，将于2019年上半年完成。而8纳米LPU工艺也会开始风险试产，2019年则会推出5/4纳米 FinFET EUV工艺，同时开始18纳米FD-SOI工艺的风险试产，后者主要面向RF射频、eMRAM等芯片产品。
根据三星的说法，他们在韩国华城的S3 Line生产线上部署了ASML的NXE3400 EUV光刻机，这条生产线原本是用于10纳米工艺的，现在已经被改造，据说现在的EUV产能已经达到了大规模生产的标准。
此外，三星还在S3生产线之外建设全新的生产线，这是EUV工艺专用的，计划在2019年底全面完成，EUV的全面量产计划在2020年完成。
2020年三星则会推出3纳米EUV工艺，三星晶圆代工部门总裁郑恩昇(E.S. Jung)表示，3纳米工艺晶体管架构将首度由FinFET变成闸极全环(GAA，Gate-All-Around)，GAA公认为7纳米节点之后取代FinFET晶体管的新一代技术候选，并将配合极紫外光（EUV）微影设备，来克服物理限制。
对三星来说，他们的7纳米客户都有谁至关重要，特别是在台积电抢下绝大多数7纳米订单的情况下，不过台积电7纳米产能不可能包揽所有订单，三星依然有机会抢得客户。
有趣的是，三星在会上表示其7纳米将应用在网络、汽车领域，而非效能要求较高的图像处理器（GPU），意谓着三星7纳米技术似乎未能获得Nvidia与AMD青睐。AMD日前已宣布下一代Zen 2中央处理器与Navi图像处理器，都将交予台积电以7纳米工艺代工。 耗费巨资的7纳米如果只能拿来小打小闹，意义也就不大了。
下面是三星在封装测试方面的路线图了，目前三星已经可以提供FOPLP-PoP、I-Cube 2.5D封装，明年则会推出3D SiP系统级封装，其中I-Cube封装已经可以实现4路HBM 2显存堆栈了。
本文综合自MoneyDJ、超能网报道
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