三星FinFET工艺侵权韩国科学技术院，被罚4亿美元

韩国三星为了多元化营收来源，这两年把晶圆代工业务做为重点发展项目。2018 年率先宣布推出了 7 纳米的 EUV 工艺，抢在台积电、格罗方德与英特尔之前推出。

只是，三星如今似乎“欲速则不达”，他们的 FinFET 工艺惹上了麻烦。因为根据韩国媒体报导，上周三星就被美国法院判决，侵犯了自家韩国科学技术院（KAIST）的专利，需要赔偿 4 亿美元的金额。

其实这起诉讼早在2016年就已经提出，当时《电子工程专辑》也做了相关报道，只不过到了2018年才正式宣判。

报导指出，高通和GLOBALFOUNDRIES也被认定有相同侵权行为，但未被要求支付任何费用。 三星对此表示不服，将再提出上诉。

KAIST是韩国顶尖研究型大学之一，此次引发侵权纠纷的专利是被称为鳍式场效应晶体管（FinFET），是一种新的互补式金氧半导体晶体管。在如今芯片体积愈设计愈小的趋势下，FinFET可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。FinFET由加州大学伯克利分校胡正明教授发明，属于多闸极晶体管。

根据报导指出，三星与 KAIST 在 FinFET 工艺上的争议已久。本次，KAIST 在诉讼中表示，当时还在 KAIST 工作的教授 Lee Jong-ho，在 2001 年向三星展示过 FinFET 技术，但三星起初对 FinFET 工艺并不在意，直到后来看到英特尔的 FinFET 量产之后，三星随之也加快了 FinFET 工艺的开发。其中，三星使用了 Lee Jong-ho 教授的 FinFET 工艺为基础，改进本身的 FinFET 工艺。最后，在 2011 年推出了跟 Lee Jong-ho 教授研发的 FinFET 工艺相近的 FinFET 工艺技术。

而就是因为这样，KAIST 就跟三星结下了梁子。2016 年，KAIST 就在美国德州的知识产权局控告三星，宣称三星的 FinFET 工艺侵犯了他们的专利权。三星响应表示，他们是跟 KAIST 合作开发的 FinFET 工艺的，并质疑 KAIST 的 FinFET 专利有效性。不过，陪审团没有听从三星的理由，最终在上周判决三星侵犯 KAIST 的 FinFET 专利权成立，需要赔偿 KAIST 大概 4 亿美元的金额。

对于审判的结果，美国德州知识产权局的陪审团认为，三星侵权是故意的。所以，这个 4 亿美元的赔偿还不是最后的结果，未来甚至有可能被判最重罚款 12 亿美元。而三星方面则对判决表示不服，指出将会考虑所有可能的选向，以在未来上诉后获得合理的判决结果。

此外，这起侵权案中还涉及到了高通及GlobalFoundries，他们也被判侵权成立。作为全球最大的手机芯片制造商，高通是前两者的客户。上述三家公司在本案中进行了联合辩护，但只有三星被罚款。

这起诉讼案标志着韩国顶尖科研机构与对该国经济至关重要的公司之间的冲突。截至目前，双方的辩护律师均拒绝对裁定发表评论。

本文综合自Technews、DoNews报道

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